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半导体技术2014年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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61. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年4期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 设计与实现了一款两级赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA).考虑到实际片上无源电感的性能(低Q值),最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能,相...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 基于绝缘体硅(SOI)0.35μm工艺实现了一款满足IEEE 1596.3和ANSI/TIA/EIA-644工业标准的低压差分信号(LVDS)驱动器芯片.全芯片分为预驱动模块、输出驱动模块、...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 设计了一种高效率原边反馈隔离式发光二极管(LED)驱动电路.驱动电路由误差放大器电路、脉宽调制电路、过温保护电路、欠压锁定电路以及前沿消隐电路等构成.利用这个驱动电路设计了原边反馈驱动电路系...
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65. 抗辐射加固的Σ-△调制器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 针对辐射环境下的传感器应用,设计了一种抗辐射加固的∑-△调制器.通过对调制器非理想特性的建模来确定电路的设计参数.通过调节放大器的偏置电路使其在总剂量(TID)辐射引起的阈值偏移下仍然工作在...
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66. 低噪声整数频率合成芯片的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 设计了一个锁相环频率合成芯片.该芯片集晶体振荡电路、鉴频鉴相器、电荷泵、分频器、低通环路滤波器和压控振荡器(VCO)等电路于一体.详细分析了频率综合器中的各个关键模块,利用MATLAB软件优...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 利用薄膜声体波谐振器(FBAR),结合GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺研制了一款小型化低相噪FBAR压控振荡器.将振荡三极管、偏置电路及隔离缓冲放大器集成到一个GaAs单片微波集成电路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 针对功率集成电路中的高压器件应用,提出一种局部电荷补偿超结横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件结构.利用常规LDMOS工艺,通过调整n阱的版图尺寸,在漏区形成局部的电荷补偿,可以缓解...
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69. L波段GaN HEMT器件的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 基于标准工艺自主研制了L波段0.5μm栅长的GaN HEMT器件.该器件采用了利用MOCVD技术在3英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长的AlGaN/GaN异质结外延材料,通过欧姆...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 根据光学薄膜原理,针对正装LED芯片设计了5种不同方式的电极结构,得出电流阻挡层SiO2和Al反射镜叠加制备出的反射电极具有较高的反射率,光电特性明显优于常规电极制备出的LED芯片.实验结果...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 介绍了射频功率横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOSFET)器件的设计原理,分析了影响器件输出功率、增益、效率和可靠性的关键因素.报道了采用扩散通源结构实现源极到衬底的低阻导通,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 通过研究超薄Ni0.86Pt0.14金属硅化物薄膜的特性,提出采用310℃/60 s与480℃/10 s两步快速热退火(RTA)的工艺方案,形成的Ni (Pt)硅化物薄膜电阻率最小,均匀性最...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 硅通孔(TSV)是三维系统集成的关键技术和发展趋势,目前已经可以实现深宽比为10∶1的TSV结构,且向着更高深宽比方向发展.在TSV制造工艺中,硅通孔刻蚀后的清洗是目前的关键技术难点之一.针...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 超声波检测是一种非常重要的无损检测方法,能灵敏地探测塑封器件的内部缺陷.分别在超声波扫描的单点扫描工作模式、截面扫描工作模式、层扫描工作模式和穿透式扫描工作模式下,结合X光检测技术对霍尔电路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要： 提出了一种针对肖特基势垒特性曲线(Cj-Vj曲线)的测量方法(特定电容法).实验测定了特定电容C-V曲线,通过解析处理C-V曲线信息,计算得到肖特基势垒Cj-Vj曲线,以Cj-Vj曲线为应用...
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76. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年5期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 半导体产业是信息技术革命的基础,半导体产业发展规划引领半导体产业发展,在国家科技战略中具有举足轻重的作用.在借鉴发达国家半导体产业规划促进经济发展成功经验的基础上,利用内容分析软件着重研究中...
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78. 3 mm 波段低噪声放大器刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 基于InP HEMT在3 mm波段的优越的噪声性能,设计制作了一款3 mm波段InP HEMT低噪声放大器.通过合理设计外延材料结构和器件结构,提高器件性能.测试1～40 GHz器件的S参数...
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79. 光控晶闸管的集成BOD转折电压刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 介绍了新型光控晶闸管,其集成了一个非常重要的电气功能,即正向过压保护功能.通过在光控晶闸管光敏区内集成转折二极管(BOD),实现光控晶闸管正向保护功能.如果集成BOD转折电压太高,不能有效保...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的A1GaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅长为86 nm,源漏间距为0.8 μm....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 研制了一款大功率900 nm超大光腔三叠层隧道级联激光器.针对高功率900 nm隧道级联激光器存在的光学灾变损伤(COD)和工作电压高等问题,通过Lastip软件和波导模拟软件,设计并优化了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 研究了微波退火(MWA)对高k/金属栅中缺陷的修复作用.在频率为1和100 kHz下,对所有Mo/HfO2/Si (100)金属-绝缘体-半导体(MIS)结构样品进行C-V特性测试.通过在频...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 激光退火是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)背面工艺的重要步骤.基于一种国产激光退火设备,对激光退火工艺的关键参数如激活率、激活深度与工艺条件之间的关系进行了研究.结果表明:双激光具有比单激光更...
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84. 通孔内镀金工艺研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 针对化合物半导体芯片通孔内镀金层薄导致通孔接地电阻大的问题,优化了喷液电镀台和挂镀电镀台的通孔镀金工艺条件,研究了两者在电镀过程中的镀液流场的差异,分析了两种电镀方式的工艺结果有显著差异的原...
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85. 大尺寸硅片超薄技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 随着器件小型化技术的发展,硅芯片厚度成为了发展超薄封装的关键问题.为了实现大尺寸硅片减薄到100 μm的批量生产,研究了减薄工艺原理和大尺寸(以直径为200 mm为例)Si片超薄工艺的控制点...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 提高背反射率、降低背表面复合速率是提高太阳电池转换效率的重要研究方向之一.SiNx薄膜因其良好的钝化特性不仅应用在传统太阳电池发射极钝化,也同时应用在局部背接触太阳电池(PERC)背表面,起...
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87. 功率型LED热特性测试及评价刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 针对现有热特性测试及评价标准尚不完善的问题,以功率型发光二极管(LED)的精确热特性测试及评价为目标,采用光热一体化测试技术对不同的LED灯珠进行了热特性测试,研究了测试电流对K值标定及结温...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 非接触迁移率测试是一种测试载流子浓度以及迁移率的新型方法,与传统的范德堡霍尔测试相比,具有无损测量和分层测试等诸多优点.分别采用传统的范德堡霍尔测试法和新型的非接触迁移率测试法对不同帽层厚度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 提出了一个简易的浅沟道隔离(STI)应力波动检测电路.该电路可以放入晶圆片狭长的划片槽中,有利于减小芯片测试成本.采用了双开关管以确保测量精度,并实现了对256个器件参数的同时测量,以得到器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2014年6期页码:摘要： 功率监测是检验微波系统是否正常工作最常用又比较有效的技术手段.对于复杂的微波系统需要对多个微波信号端口同时进行监测的情况来说,传统的功率监测方法成本太高,很难满足使用的要求.为了满足多系统长...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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