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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
5044
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
出版文献量（篇）
5044
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  • 31. 可延展柔性电子技术研究进展
    作者： 刘旭 吕延军 王龙飞 赵银燕
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  161-166,226
    摘要： 近年来由于突出的可延展性、适应性和便携性,可延展柔性电子已成为电子产业界和学术界的研究热点.通过硅等无机脆性材料与柔软的弹性基体的精巧结合,可使电子器件保持优异电学性能的同时具有柔性和可延展...
  • 32. SoC低功耗多电压设计方法的研究进展
    作者： 乔树山 秋攀
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  167-173,238
    摘要： 综述了片上系统(SoC)低功耗多电压设计方法的研究进展.介绍了低功耗多电压设计方法的研究背景和国内外的研究现状.重点探讨了低电压、多电源电压、电源门控、动态电压频率缩减(DVFS)和自适应电...
  • 33. 超低功耗逐次逼近寄存器型模数转换器的设计
    作者： 居水荣 朱樟明 魏天尧
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  174-181
    摘要： 采用逐次逼近方式设计了一个12 bit的超低功耗模数转换器(ADC).为减小整个ADC的芯片面积、功耗和误差,提高有效位数(ENOB),在整个ADC的设计过程中采用了一种改进的分段电容数模转...
  • 34. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  181,239-240
    摘要：
  • 35. 基于超谐波注入锁定的低相噪QVCO的设计
    作者： 刘江华 江金光 许亚兰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  182-187,204
    摘要： 对基于注入锁定的正交压控振荡器(QVCO)电路进行了研究和分析,设计了一个低相位噪声、低相位误差的QVCO电路,该电路由两个电感电容压控振荡器(LC VCO)在正交相位进行超谐波耦合,通过一...
  • 36. 一种6 Gbit/s低功耗低抖动电压模发送器
    作者： 吕俊盛 田泽 邵刚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  188-194,221
    摘要： 提出了一种应用于高速串行链路中的基于二阶预加重和阻抗校正技术的6 Gbit/s低功耗低抖动电压模(VM)发送器.在综合分析阻抗、供电电流和输出驱动器预加重等因素影响的基础上,采用了多种技术来...
  • 37. 一种螺旋巴伦结构的毫米波二倍频器MMIC设计
    作者： 吴洪江 赵宇 陈长友
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  195-200
    摘要： 基于GaAs肖特基二极管工艺,研制了一款无源毫米波二倍频器单片微波集成电路(MMIC).该电路的拓扑结构包含并联二极管对,输入巴伦和输入、输出匹配电路,其中输入巴伦为螺旋型Marchand巴...
  • 38. C波段大功率GaN HEMT内匹配器件
    作者： 刘桢 娄辰 张志国 张蓓蓓 银军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  201-204
    摘要： 基于GaN微波功率器件工艺制作了大栅宽GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)管芯,通过负载牵引及建模技术提取了管芯的输入阻抗、输出阻抗.采用二项式多节阻抗匹配变换器实现了宽带功率分配器及合成器...
  • 39. 栅介质氧化层缺失缺陷的形成原因及解决方案
    作者： 张红伟
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  205-210
    摘要： 氮氧化技术是45 nm及以下技术节点栅介质制备的关键工艺,严格控制由氮氧化工艺所诱发的界面缺陷是提高栅介质质量的重点.研究了形成栅介质氧化层缺失缺陷的原因,并提出了解决方案.结果表明,原位水...
  • 40. 优化CMP碱性铜抛光液配比的新方法
    作者： 刘恩海 刘玉岭 林凯 樊世燕 石陆魁
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  211-216
    摘要： 采用响应曲面法(RSM)和人工神经网络(ANN)分别对化学机械抛光(CMP)碱性铜抛光液的主要成分(SiO2磨料、FA/O型螯合剂、H2O2氧化剂)进行优化研究.采用RSM优化,当抛光液中磨...
  • 41. AlGaN/GaN异质结材料的中子辐照效应
    作者： 全思 刘盼芝 张林 徐小波 谷文萍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  217-221
    摘要： 采用归一化能量1 MeV的中子脉冲反应堆对AlGaN/GaN异质结材料进行了辐照研究.实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,...
  • 42. 采用MEMS工艺制作封装载体的LED封装技术
    作者： 夏明颖 崔东辉 杨云童 聂丛伟 贾默然 陈军波
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  222-226
    摘要： 针对SiC衬底的白光LED技术研究和智能化半导体照明技术发展的需求,基于Si材料的功能特性和物理特性,研究了将Si作为SiC基LED封装载体的相关技术.采用MEMS的加工工艺,设计了精确尺寸...
  • 43. 评估芯片多层布线薄膜层间黏合性能的新方法
    作者： 张冠 简维廷
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  227-233
    摘要： 芯片小型化和超薄化的趋势促使晶圆级封装(WLP)技术变得更为普及.由于金属及低介电材料叠层制造的芯片后段(BEOL)薄膜层间黏合特性对WLP的切割良率以及产品出厂后的可靠性有很大的影响.提出...
  • 44. 基于UVM的可重用SoC功能验证环境
    作者： 吕毓达 张小玲 谢雪松
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年3期
    页码:  234-238
    摘要： 现在系统级芯片(SoC)系统集成度和复杂度不断提高,验证环节消耗时间占用了芯片研发时间的70％,芯片验证已经成为芯片研发中最关键的环节.目前业界验证方法大多有覆盖率低和通用性差等缺点,基于上...
  • 45. 近红外波段Ge光电探测器的研究进展
    作者： 柯星星 王桂磊 罗军 赵超
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  241-249
    摘要： 随着光通信技术的发展,如何制备能与Si基电路单片集成的响应波长在1.3和1.55 μm的高性能光电探测器成为研究热点.总结了SiGe组分变化的缓冲层技术、低温缓冲层技术以及选区外延这三种主流...
  • 46. 基于关键路径延时检测的自适应电压缩减技术
    作者： 乔树山 凌康 孙晓蕾 宋强国 秋攀 赵慧冬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  250-254
    摘要： 为了减小传统的最差情况设计方法引入的电压裕量,提出了一种变化可知的自适应电压缩减(AVS)技术,通过调整电源电压来降低电路功耗.自适应电压缩减技术基于检测关键路径的延时变化,基于此设计了一款...
  • 47. 用于IEEE 802.11 b/g/n WLAN的高线性度功率放大器
    作者： 史佳 崔杰 艾宝丽 金婕
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  255-260
    摘要： 基于2μm的InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)工艺设计了一种可应用于IEEE802.11 b/g/n无线局域网(WLAN)的高线性度射频功率放大器.为了提高射频功率放大器的线性度...
  • 48. 6-T CMOS SRAM单元稳定性分析及设计优化
    作者： 刘士全 印琴 胡水根 蔡洁明 魏敬和
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  261-272
    摘要： 介绍了一种由两个交叉耦合反向器构成的6-晶体管(6-T)存储单元的噪声容限分析方法.对6-T CMOS SRAM单元的稳定性作了分析及仿真.借助SPICE和MATLAB工具,对存储单元在数据...
  • 49. 基于仲裁器PUF的SRAM FPGA防克隆技术设计与实现
    作者： 丁浩 吕方旭 王建业
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  273-277
    摘要： 为保护电子设备中使用的静态随机存储器(SRAM)型现场可编程门阵列(FPGA)内部电路设计不被窃取,设计了用于SRAM FPGA的防克隆电路.该电路利用FPGA制造过程中的随机误差,提取每块...
  • 50. 电子辐照对AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
    作者： 全思 刘盼芝 张林 徐小波 杨丽媛 谷文萍
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  278-283
    摘要： 采用能量为1 MeV的电子对几种不同结构的A1GaN/GaN HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014 cm-2的辐照.实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化...
  • 51. 基于PSpice的单电子器件模型创建及其应用
    作者： 应时彦 肖林荣 许翔
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  284-288,307
    摘要： 单电子晶体管(SET)有望被广泛应用于新一代集成电路技术中.PSpice是一款适用于PC机的电子电路仿真软件,但PSpice标准库不提供SET器件模型及相应元件的图形符号.为了采用图形化输入...
  • 52. LEC-InP晶体中孪晶现象的研究
    作者： 孙同年 孙聂枫 李晓岚 李玉茹
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  289-293
    摘要： 在LEC-InP晶体生长过程中,孪晶的产生是一个影响InP单晶率的突出问题.生长高质量、大直径的单晶是当前InP晶体生长的发展方向,减少孪晶一直是InP单晶生长技术的研究重点.国内外学者研究...
  • 53. 新型同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔
    作者： 史凌峰 王兴君
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  294-301
    摘要： 针对碳纳米管填充的硅通孔(TSV)的信号传输性能优化问题,提出一种新型的基于同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔结构.在内外层管束交界处的耦合电容的基础上,提出新型TSV结构的可变参数等效电路模型...
  • 54. 薄膜基板中填充孔工艺的研究
    作者： 史光华 常青松 徐达 王合利 王志会
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  302-307
    摘要： 在微波混合电路和多芯片模块中,填充孔相比于传统电镀通孔在解决微波接地、芯片散热和微组装工艺问题等方面具有很大优势.利用填充孔工艺使微波电路的设计更加灵活;由于填充孔消除了组装时通孔溢出导电胶...
  • 55. 硅铝合金在微波模块电路封装中的应用
    作者： 戴立强 田飞飞 祝超 邵登云 陈以钢
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  308-313
    摘要： 硅铝合金以其重量轻、高热导率以及可调节热膨胀系数(CTE)的优越综合性能,在电子产品特别是微波组件中得到越来越广泛的应用.利用ANSYS软件系统地对Si50Al合金和硬铝合金进行热和结构静力...
  • 56. 信息动态
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  313,319-320
    摘要：
  • 57. 金属电迁移测试过程中的电介质击穿效应
    作者： 于赫薇 周柯 尹彬锋 钱燕妮
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年4期
    页码:  314-318
    摘要： 金属互连电迁移有断路失效和短路失效两种常规失效模式,其中短路失效是由于发生了析出效应.目前对电迁移断路失效的研究较多,但是对于析出效应(短路失效)的研究较少.研究发现在金属电迁移析出效应监测...
  • 58. 国外军用大功率半导体激光器的发展现状
    作者： 何君 李明月
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年5期
    页码:  321-327
    摘要： 由于半导体激光器具有体积小、结构简单、质量轻、转换效率高、可靠性好、寿命长、易于调制及与其他半导体器件易于集成等特点,可应用于军事、工业、医疗、通信等领域,尤其是在激光制导跟踪、激光雷达、激...
  • 59. 超低功耗RFID标签基带处理器
    作者： 吴秋莉 张春 张炜 赵西金 邓雨荣
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年5期
    页码:  328-332
    摘要： 针对集成片上天线(OCA)的超高频射频识别(RFID)标签设计了一款RFID专用协议的基带处理器,以满足RFID标签嵌入纸张及微小物体的防伪功能.由于OCA与读写器天线近场耦合获取能量有限,...
  • 60. 一款阻抗自校正5Gbit/s大摆幅电压模发送器
    作者： 周玉梅 张锋 陈玉虎
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2015年5期
    页码:  333-337,363
    摘要： 研究并设计了一款5 Gbit/s大摆幅电压模发送器,输出信号差分眼图高度可达1.2V.工作在1.2V电压下的输出驱动器由28个相同的子驱动器并联而成,且每个子驱动器都包含权重按照二进制关系递...

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

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期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

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