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半导体技术2018年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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61. 一种低功耗高鲁棒性老化预测传感器刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 为了降低电路老化对数字集成电路性能的影响,提出了一种通过对比输入信号与其反向延迟信号对电路老化进行预测的传感器结构.提出的传感器结构预测部分可对组合逻辑电路进行数据失效前的老化预测,当检测到...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 阻变随机存储器(RRAM)中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率.采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本.基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbi...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年5期页码:摘要： 电源管理集成电路(IC)的自动测试机(ATE)测试故障主要包括连续性失效、直流参数测试失效、交流参数测试失效和功能测试失效.ATE测试适用于大规模量产的不良产品的筛选,但是将ATE测试结果直...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 有机-无机杂化钙钛矿具有载流子扩散长度长、发光效率高等特点,是一种性能优良的半导体材料,也是一种极具潜力的激光增益介质,受到了光伏、激光等多个领域的广泛关注.概述了利用有机-无机杂化钙钛矿作...
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65. 基于CMOS工艺的太赫兹探测器刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 提出了一种新型多频太赫磁探测器电路结构,采用圆形、菱形以及环形天线嵌套式构成多频探测单元,四个探测器相互之间设计保护层包围隔离,防止外部电路对其影响.在高频结构仿真器(HFSS)下对设计的双...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 设计并实现了一款适用于广电混合光纤同轴电缆网络(HFC)的高增益单片集成光接收芯片,该芯片主要包括跨阻放大器(TIA)、衰减器(VVA)和输出放大器三部分.跨阻放大器采用差分结构,相较于单端...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 经过调制的射频信号整流后会为无源射频识别(RFID)标签引入数万到几十万赫兹的电源纹波.为了抑制这种电源纹波,设计了一款1 MHz带宽内高电源电压抑制比(PSRR)、超低功耗、无片外电容低压...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 采用一系列不同栅长和结构的T型栅器件来研究凹栅槽结构抑制短沟道效应和提高频率特性的作用.随着栅长不断缩短,短沟道效应逐渐明显,栅长从300 nm缩短至100 nm时,亚阈值摆幅逐渐增大,栅对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 基于高纯半绝缘碳化硅衬底,采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料.室温下霍尔测试结果表明,外延层二维电子气迁移率为1 950...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)开关器件模型的研究对提高电路性能和缩短研发周期有着重要的意义.为了开发更加精确的电路模型,基于AlGaN/GaN HEMT开关器件的物理结构得到其等效电路...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： p-GaN栅沟槽侧壁与AlGaN表面特性直接影响栅注入(GIT)型AlGaN/GaN HEMT器件的输出特性及击穿特性.对比研究了两种刻蚀气体(SF6/BCl3和Cl2/N2/O2)及不同的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 采用射频感应耦合等离子体增强磁控溅射装置在p型Si< 100>基片上制备Zn3N2薄膜,用于研究不同氮氩流量比对薄膜结晶质量及微观结构的影响.用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(...
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73. TMV POP热翘曲变形及可靠性刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 研究了穿透模塑通孔(TMV)结构的叠层封装(POP)热翘曲变形及可靠性.采用云纹干涉的方法测量了回流过程中POP上下层球形矩阵排列(BGA)的热翘曲变形.通过加速热循环(ATC)试验和四点弯...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 为了比对分析多家厂商生产的NAND型Flash存储器的抗辐照能力和数据保持能力,选择了3种规格(代号为A,B和C)的商业级Flash存储器作为研究对象,设计了故障测试算法,研究了3种Flas...
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75. TSV的工艺缺陷诊断与分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年6期页码:摘要： 随着3D集成封装的发展,硅通孔(TSV)成为实现3D堆叠中最有前景的技术之一.通过通孔和微凸点实现上下堆叠IC之间的垂直电连接,先进的TSV技术能够满足3D SIP异构集成、高速宽带、小尺寸...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： AlGaInP材料在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中具有较高的带隙,是制备高效多结太阳电池中顶电池的理想材料之一.然而,在其金属有机气相外延(MOVPE)生长过程中的氧污染会形成深能级陷阱,这是影响材...
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77. 一种超低功耗RC振荡器设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 基于SMIC 55 nm CMOS工艺,设计并制备了工作在1.2V电源电压下的超低功耗RC振荡器.该振荡器主要包括运算放大器、压控振荡器(VCO)、基准电流源、低温漂电阻和可修调开关电容以及...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 提出了一种可以在宽频范围内控制恒定导通时间(COT)电流模环路开关频率的锁相环(PLL)电路.电路采用经典电荷泵锁相结构,针对传统COT锁频方案中瞬态频率锁定速度和频率锁定精度性能无法兼顾的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 基于有源相控阵雷达的应用,设计了一款四通道的发射芯片,适用于发射1.2～1.4 GHz的射频信号.电路设计采用直接上变频的结构,将低频的基带信号转换为射频信号.针对直接上变频输出谐波多和输出...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 基于0.13 μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究.该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管(T1)和信号传输管(T2)组...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 为提高电容器的比电容,设计了基于三维(3D)结构的金属-绝缘体-金属(MIM)电容器.采用原子层沉积(ALD)技术制备电容器功能薄膜层,通过建立3D结构原子层沉积理论模型,拟舍得到了原子层沉...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 为研究退火温度对肖特基接触界面特性的影响,在不同温度下测试了不同退火温度处理的Mo/4H-SiC肖特基接触的I-V及C-V特性.根据金属-绝缘层-半导体(MIS)结构二极管模型理论,认为在金...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)制备了Mg掺杂的p-GaN外延材料,并在不同气氛下对其进行退火,系统研究了不同退火气氛对p-GaN材料性质及欧姆接触性能的影响.利用X射线衍射(XRD)...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 采用低压化学气相淀积(LPCVD)非晶Si填槽工艺代替LPCVD多晶Si填槽工艺,对沟槽绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件的沟槽进行非晶Si回填,研究并优化了高深宽比非晶Si填槽工艺.分析了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 基于n型晶体硅太阳电池,分析了经光辐照后电池各性能参数的变化,探究了n型晶体硅太阳电池光诱导衰减机理.使用工业化设备在大面积(156 mm×156 mm)n型单晶硅片上制备太阳电池.利用太阳...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 采用氢化物气相外延(HVPE)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上外延生长了高质量GaN单晶薄膜.在GaN生长过程中引入点状和条状两种金属Ti掩膜图形层,研究了不同Ti掩膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 发光二极管(LED)芯片反射电极中铝的稳定性对芯片的可靠性至关重要,少量铜的加入可改善铝的耐电流性.理论计算了电子柬蒸镀沉积时,镀源和镀膜中铜质量分数的对应关系.对纯铝和不同铜质量分数的铝铜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年7期页码:摘要： 为了满足射频系统小型化的需求,提出了一种基于硅基板的微波芯片倒装封装结构,解决了微波芯片倒装背金接地的问题.使用球栅阵列(BGA)封装分布为周边型排列的GaAs微波芯片建立了三维有限元封装模...
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89. GaAs基霍尔传感器的研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 霍尔传感器作为磁传感器的重要成员,广泛应用于汽车电子和无线通信等电子系统.与以第一代半导体材料硅、锗等为基底的霍尔传感器相比,GaAs基霍尔传感器具有更高的磁场分辨率、灵敏度和稍好的温度特性...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2018年8期页码:摘要： 设计了一种适用于无源超高频(UHF)温度标签的超低功耗CMOS温度传感器电路.该电路利用衬底pnp晶体管产生随温度变化的电压信号,同时采用了逐次逼近寄存器(SAR)转换和∑-△调制相结合的模...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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