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半导体学报(英文版)2002年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 尝试用侧向外延(ELOG)方法来降低立方相GaN中的层错密度.侧向外延是在SiO2/GaN/GaAs图形衬底上进行的,对生长所得的立方相GaN外延层用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜...
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212. 微型电光探针的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 介绍了用湿法化学腐蚀的方法制备GaAs晶体微型电光探针.用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了探针形貌.微探针为金字塔形,底座是边长为20μm的正方形,尖端尺寸在2μm左右.侧面比较光滑,棱角分...
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213. 渐变应变偏振不灵敏半导体光学放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 采用渐变应变有源区结构,制备出偏振不灵敏半导体光学放大器,工作电流在60～160mA范围内,其3dB带宽范围不小于35nm,偏振不灵敏度小于0.35dB,自发发射出光功率为0.18～3.9m...
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214. 共源-共栅组态S2I电流存储单元及其性能刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 针对原型S2I开关电流存储单元性能上的一些弱点,提出了共源-共栅组态的S2I电流存储单元(简称CS2I)新结构,使其关键速度与精度性能得到较好的改善.相同器件尺寸下的S2I与CS2I单元电路...
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215. 基于核的信息安全处理芯片可测性设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 从可测性设计角度讨论了信息安全处理芯片的芯片级测试控制器的设计以及相应核的可测性设计.综合结果显示,所设计的芯片级测试控制器所占用的面积代价非常小.
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216. 响应表面法在工艺综合中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年10期页码:摘要： 通过实例,介绍多分区响应表面法的优点及其给工艺综合带来的好处,并用其构建的响应表面模型分析工艺窗口带来的影响.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 半导体集成电路技术的发展对互连技术提出了新的需求,互连集成技术在近期和远期发展中将面临一系列技术和物理限制的挑战,其中Cu互连技术的发明是半导体集成电路技术领域中具有革命性的技术进展之一,也...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 采用相同生长结构的MOCVD外延片,研究制备适用于单片集成的垂直腔面发射与接收器件及列阵,发射及接收波长相同,由谐振腔模式决定.采用双氧化电流限制结构,优化串联电阻,提高电光转换效率,制备9...
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219. 异质结双极晶体管高频噪声建模及分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 提出了一个T等效异质结双极晶体管高频噪声电路模型.该模型是对通常用在硅双极晶体管中的Hawkins噪声模型进行改进得到的,主要的改进包括发射极理想因子、发射极电阻、内部BC结电容、外部BC结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 给出了超薄栅MOS结构中直接隧穿弛豫谱(DTRS)技术的细节描述,同时在超薄栅氧化层(＜3nm)中给出了该技术的具体应用.通过该技术,超薄栅氧化层中明显的双峰现象被发现,这意味着在栅氧化层退...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 研究了一种采用非对称结构和注Ge的部分耗尽0.8μm SOI nMOSFET的浮体效应,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V,减轻反常亚阈值斜率和kink现象.浮体效应的减少是由于...
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222. 新的非平面Flash Memory结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 提出了一种为在低压下工作的具有较快编程速度的新的非平面的flash memory单元结构,该结构采用简单的叠栅结构并只需增加一步光刻制做出这一新的沟道结构.对于栅长为1.2μm flash单...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 给出了寄存器传输级工艺映射(RTLM)算法,该方法支持使用高层次综合和设计再利用的现代VLSI设计方法学,允许复杂的RT级组件,尤其是算术逻辑单元(ALU)在设计中重用.首先提出了ALU的工...
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224. 不同Mg掺杂浓度的GaN材料的光致发光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 研究了用低压金属有机物化学沉积方法生长得到的具有不同Mg掺杂浓度的GaN样品薄膜,经不同温度退火处理后的发光特性.实验发现随着退火温度的升高,不同掺杂浓度的Mg∶GaN材料的光致发光谱蓝带峰...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程.结果表明,加入Pd层后,退火形成Ni1-xPdxSi固熔体,该固熔体比NiSi的热稳定性好,使得NiSi向NiSi2的转变温度升高.加入P...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 讨论利用原子力显微镜(AFM)动态电场诱导阳极氧化作用下Si表面生成纳米氧化结构的特征,并进行相应的机理分析.实验表明,直流电压作用下的氧化结构表现出单峰特征,而电压脉冲和连续方波所得到的氧...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关...
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229. 量子共振隧穿二极管的频率特性与分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 用HP8510C网络分析仪测量了AlAs/InGaAs/AlAs共振隧穿二极管的S参数,通过实测曲线拟合提取器件等效电路参数,计算出所研制器件的阻性截止频率为54GHz,并分析了影响器件工作...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 使用有限元方法分析了硅基二氧化硅光波导的应力分布,结果表明波导主要受横向压应力影响,而且应力主要集中在芯区和包层的界面附近.根据波导的应力分布,得出波导的折射率分布,并使用ADI全矢量方法求...
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231. 新型铁电不挥发性逻辑电路的分析和实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 提出了一种利用与CMOS工艺相容的铁电薄膜来实现使一般逻辑电路成为非挥发性的新技术.通过电路模拟及对锁存器和触发器实验电路进行测试,表明逻辑集成电路的铁电锁存新技术是切实可行的.
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232. 氮化H2-O2合成薄栅介质的击穿特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 研究了14～16nm的H2-O2合成薄栅介质击穿特性.实验发现,N2O气氛氮化H2-O2合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性.H2-O2合成法制备的样品,其击穿场强分布特...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： MOSFET ESD潜在损伤的有效检测一直是一个难以解决的问题.实验对比发现,MOSFET沟道电流的1/f噪声比传统的电参数更能敏感地反映栅氧化层中ESD潜在损伤的情况.在相同的静电应力条件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 研究了用Ni进行金属诱导横向晶化(MILC)制备大尺寸多晶硅晶粒的结构改进和工艺条件优化,改进了MILC的结构,通过在埋层氧化层上开出与衬底相连的籽晶区,减少了大晶粒多晶硅中的缺陷分布;同时...
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235. IC测试系统精密定时器的新结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 讨论了一种适合于VLSI的精密定时子系统的新结构.该结构将定时计数器分为高速和低速两部分,低速部分采用存储器代替分散的寄存器,既有利于集成,又降低了系统的成本.同时,新的精密定时子系统还解决...
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236. 带偏差约束的时钟线网的拓扑构造和优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年11期页码:摘要： 提出了一种新的拓扑构造和优化方法,综合考虑了几种拓扑构造方法的优点,总体考虑偏差约束,局部进行线长优化.实验结果表明,它可以有效控制节点之间的偏差,同时保证减小时钟布线树的整体线长.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年12期页码:摘要： 通过对Co2+自由离子的3D电子径向波函数进行分析,引入了一个电子云延伸效应修正因子κ来修正这一波函数,从而得到了稀磁半导体Zn1-xCoxSe晶体中Co2+受到了晶体场作用的3D电子径向波...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年12期页码:摘要： 研究了用电子回旋共振(ECR)等离子体增强金属有机物化学气相沉积(PEMOCVD)技术在Si(001)衬底上,低温(620～720℃)下GaN薄膜的直接外延生长及晶相结构.高分辨透射电镜(H...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年12期页码:摘要： 推导建立了一个用于微电子机械(MEMS)器件压膜空气阻尼的一般化微分方程.该方程很好地解决了分析有限尺寸孔板的边界和孔板的厚度对压膜阻尼的影响的困难.结合边界条件求解该方程可以得到各种压膜阻...
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240. 4H-SiCN离子注入层的特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2002年12期页码:摘要： 研究了在4H-SiC p型外延层上用N离子注入制备n型层的方法及其特性,注入层的浓度分布用蒙特卡罗分析软件TRIM进行了模拟.为了测试注入层的特性,制备了横向肖特基二极管和TLM (tran...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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