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半导体学报(英文版)2004年第9期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 基于热力学平衡理论,对在电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积系统中的GaN薄膜生长给出了一个化学平衡模型.计算表明,GaN生长的驱动力Δp是以下生长条件的函数:Ⅲ族输入分压,输入Ⅴ/...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出了一种采用低能量大剂量He离子注入局域寿命控制的高速LIGBT,并对其进行了实验研究.粒子辐照实验结果显示与常规的LIGBT相比较,该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善.同时研...
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3. CMOS双带低噪声放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 描述了基于CMOS工艺的双带低噪声放大器的设计,其目的是用单个低噪声放大器取代双带收发机(如符合IEEE 802.11a和802.11b/g标准的WLAN)中的两个单独的低噪声放大器.讨论了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI nMOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 对已报道的Gilbert混频器工作在低电压时存在的问题进行了分析,在此基础上,描述了利用改进的低电压设计技术,用于2.4GHz蓝牙收发机的上混频器/下混频器的设计.利用适用于低电压工作的负反...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 用纯Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率650nm实折射率AlGaInP压应变量子阱激光器.对偏角衬底,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面.制备的激光器条宽腔长分别为4μm和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的LDD MOSFET.在以双曲正切函数描述的I-V特性基础上,该解析模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了低压化学气相淀积方法制备的n-3C-SiC/p-Si(100)异质结二极管(HJD)在300～480K高温下的电流密度-电压(J-V)特性.室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了热载流子应力下栅厚为2.1nm,栅长为0.135μm的pMOSFET中HALO掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系.实验发现,器件的退化机制对HALO掺杂剂量的改变不敏感,但是器件...
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11. 直拉硅单晶中位错的光致发光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 利用低温光致发光谱研究了直拉硅单晶中位错的光致发光.实验发现普通直拉硅单晶在晶体生长过程中引入的位错密度高于107cm-2时,位错的发光光谱出现了典型的位错D1～D4发光峰;而位错密度较低时...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 通过PL谱和Raman谱对MOCVD生长Si基AlN的深陷阱中心进行了研究,发现三个深能级Et1,Et2,Et3,分别在Ev上2.61,3.10,2.11eV.Et1是由氧杂质和氮空位(或A...
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13. 掺杂对硅薄膜窗口材料生长的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了掺杂剂对p型微晶硅窗口材料生长的影响.实验发现,与B(CH3)3不同,B2H6作为微晶硅掺杂剂时,掺硼量对材料的晶化率和生长速率有重要影响.在线等离子体发射光谱分析表明:B2H6的掺入...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 结合AM0太阳光谱特性对空间硅太阳电池的减反射膜进行了设计分析,得到了最小反射时的最佳膜厚.分别讨论了单、双、三层减反射膜厚度变化对反射率的影响,并对有钝化层的SiO2(94nm)/TiO2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了AlGaAs层掺1%的In对AlGaAs/GaAs量子阱光致发光谱的半峰宽的影响.25K的光致发光结果表明,In作为表面活化剂能有效改善AlGaAs/GaAs异质界面的粗糙度.将此方法...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了4H-SiC MESFET器件的电学击穿特性和热学稳定性.建立了金属半导体场效应晶体管器件二维数值模型,分析了雪崩碰撞离化效应、隧穿效应和热效应在器件击穿中的作用.综合考虑了栅极偏置、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 讨论了采用埋栅结构实现GaAs基改性高电子迁移率晶体管(MHEMT)增强型模式工作的有关问题,提出了增强型MHEMT的设计与实现方法.通过不同金属(Al,Pt,Ti)/InAlAs Scho...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 采用钨丝掩模技术,通过调整制作过程中的工艺参数,研制出批量器件阈值在2mA以内,最低阈值为1.25mA的850nm垂直腔面发射激光器.同时对TO封装的器件进行了高频特性测试,结果表明3dB带...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出了一种新颖的基于非线性受控电压源的单电子晶体管宏模型.该宏模型通过受栅压和温度控制的非线性受控电压源使温度效应和栅控效应的模拟更加方便,并提高了单电子晶体管特性的模拟精度.此外,该宏模型...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 给出基于硅微加工技术的一种新型可变形反射镜的设计和加工方法,并且通过工艺流片制造出有效反射面积为30mm×30mm,拥有49个静电驱动单元的可变形反射镜.测试得到的镜面变形-电压数据显示其与...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 分析了6H-SiC肖特基源漏MOSFET的电流输运机制,并建立了数值-解析模型.模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响,能准确反映器件的特性.模拟结果显示,源极肖特基的势垒高度是影响器件特...
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23. 基于双基区晶体管结构的光控振荡器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 采用DUBAT(双基区晶体管)和光电二极管构成新型无电感光控振荡器,并对其等效电路进行了模拟,分析了工作原理.实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比,可实现光的模数转化.由于DUBAT结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出了一种自顶向下的基于晶体管级的全定制IP漏电流功耗计算方法,该方法计算快速高效,实用性强,取代了以往完全依靠软件仿真进行功耗计算的技术.在设计龙芯Ⅱ号CPU中的全定制IP时应用了此方法,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出一种基于运算跨导放大器共享技术的流水线操作A/D转换器体系结构,其优点是可以大幅度降低芯片的功耗和面积.采用这种结构设计了一个10位20MS/s转换速率的全差分流水线操作A/D转换器,并...
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26. 硅衬底上共面线的特性及应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 基于理论和实验结果对深亚微米硅集成电路中的共面传输线的特性进行了研究,提出了硅衬底上传输线分布参数的提取方法和减小共面线衰减的一些设计准则.成功地将共面线应用在深亚微米高速集成电路的设计中,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 采用单层多晶硅3.3V,0.35μm CMOS数字工艺,实现了用于蓝牙系统的自适应带通滤波器,其中心频率为2MHz,带宽为1.2MHz,功耗为12mW.并对滤波器PLL自适应电路中压控振荡器...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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