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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 为了生长制作器件所需的外延片,采用低压金属有机物化学气相沉积方法在半绝缘InP衬底上生长了InP/InGaAs异质结双极晶体管(HBT)结构、1.55μm多量子阱激光二极管以及两者集成的光发...
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62. TiO2薄膜制备及其氧敏特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 以钛酸丁酯为无机原料、二乙醇胺作稳定剂,加入聚乙二醇(PEG)作模板制备前驱体溶胶,通过溶胶-凝胶工艺和浸渍提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10～1000nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 介绍了一种简单而准确地确定薄膜光学常数和厚度的方法.借助于Forouhi-Bloomer物理模型,用改进的单纯形法拟合分光光度计透过率测试曲线,获得半导体薄膜的光学常数和厚度.对射频磁控溅射...
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65. 磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 研究了多晶硅的浓磷扩散吸杂、铝吸杂、磷-铝联合吸杂(双面蒸铝).采用准稳态光电导衰减法测试了吸杂前后多晶硅片的有效少数载流子寿命,发现磷-铝联合吸杂于硅片少子寿命的提高最大达30μs以上,其...
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66. 一种单基极引出结构的硅晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 为研究单基极薄基区晶体管的特性,设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管,在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为80nm的npn纵向结构,基区的平均浓度为1018cm-3.经过版图设计...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pM...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响.结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性,特别是在短波方向有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 基于垂直腔半导体光放大器(VCSOA)双稳模型,从数值上分析了VCSOA的双稳条件、双稳控制以及双稳环简并下的AND逻辑实现.结果表明,在阈值附近(大于阈值的93%)和初始相位失谐量为负的情...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出利用紫外光聚合反应来制作聚合物光栅的方法.实验发现,光栅的表面起伏深度很小,约为12.4～0.7nm;折射率调制较大,达到0.010左右.这种方法在低阶分布反馈聚合物激光器的制作中具有很...
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71. 硅热流量传感器封装的热模拟分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 针对硅热流量传感器的封装,给出了其一维简化理论模型,并采用有限元分析工具ANSYS/FLOTRAN,建立了该封装结构的热模型.模拟结果显示,该封装后的传感器的温度场与未封装传感器相似,证明陶...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 分析了梳齿电容式传感器梳齿极板间的不平行在三种电容驱动下,对传感器的可靠工作范围的影响.结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,当电容极板间的倾斜角由0.1°变到0.5°时,单边电容结构和双边电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 分析了微加工悬臂梁在横向冲击下的响应.将悬臂梁看作一个质量分布参数系统,利用模态叠加法计算悬臂梁在冲击下的位移和应力分布,并根据位移和应力的最大值判断悬臂梁可能的失效模式,从而为MEMS器件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出了一种新结构发射电路,适用于10/100MHz Base TX以太网,兼容10MHz Base TX和100MHz Base TX两种工作模式,并能在这两种模式间自由切换.电路采用了波形...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 在新型的共振隧穿二极管(RTD)器件与PHEMT器件单片集成材料结构上,研究和分析了分立器件的制作工艺,给出了分立器件的制作工艺参数.利用上述工艺成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室温下...
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76. 乙二醇辅助多层硅/硅直接键合刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 利用乙二醇的分子结构和氢键在10万级的超净环境下成功地进行了多层乙二醇环境下的硅/硅直接键合,并在氮气保护下1100℃热处理后进行了拉力强度测试,平均键合强度达到了10MPa.SEM观测表明...
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77. 动态串扰优化的开关盒布线刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 针对超深亚微米芯片设计中的开关盒布线问题提出了可变参数的串扰优化布线算法.该算法充分利用了双层布线资源,将动态信号波形和耦合电容结合起来考虑,进一步减小了线网间的总串扰,并力求通孔数最少.实...
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78. 多孔硅新的表面处理技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌,破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题.阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面,满足SI分子化合价的需要,...
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79. 兆声清洗法和离心喷射清洗法的比较刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 用基于改进的RCA清洗液结合兆声清洗法和离心喷射法清洗抛光的硅片,干燥后用激光扫描法测试抛光硅片表面颗粒.结果表明,改进的RCA清洗液结合兆声的清洗方法对于去除硅片表面的微小颗粒具有更高的效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性.用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料.GaN材料的X射线双...
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81. 静电感应晶体管的空间电荷效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I-V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 推导了双栅MOSFET器件在深度方向上薛定谔方程的解析解以求得电子密度和阈电压.该解析解考虑了任意深度情况下沟道中深度方向上电势的不均匀分布,结果与数值模拟吻合.给出了电子密度的隐式表达式和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布.基于该模型可以计算出高压 RESURF ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用传统的光刻和湿法腐蚀工艺制作了1.55μm波长的新型半导体激光器和模斑转换器的单片集成器件.其中激光器采用脊型双波导,模斑转换器采用掩埋双波导结构,水平楔型的有源波导和宽而薄的无源波导同...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 将对称噪声滤波技术应用到4.8GHz LC全集成VCO设计中.该VCO具有很低的相位噪声以及716MHz的调节范围,在SMIC 0.25μm单层多晶、五层金属、n阱 RF CMOS工艺上实现...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象.GaAs光电导开关的电极间隙为4mm,当偏置电场分别为2.0和6.0kV/cm时,用脉冲能量为0.8mJ,宽度为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 在考虑各向异性散射的基础上,对锗中电子输运特性进行了全能带蒙特卡洛模拟.计算过程如下:锗的全能带由nonlocal empirical pseudopotential 方法求得;态密度的相对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 报道了具有良好直流特性的晶格匹配InP基HEMT，器的跨导为600mS/mm，阈值电压为－1-2V，最大电流密度为500mA/mm，截止频率为120GHz.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 介绍了一种应用于大功率激光二极管列阵的新型单片集成微通道制冷热沉.这种热沉已制造并经过测试.10叠层的激光二极管列阵的热阻为0.121℃/W.相邻两个激光条的间距是1.17mm.在20%高占...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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