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半导体学报(英文版)2005年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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151. TiO2薄膜紫外探测器的光电特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用溶胶-凝胶法(Sol-Gel),在Si衬底上生长了TiO2纳米薄膜,并用此材料制备了光电导型的TiO2薄膜紫外光探测器.通过测量探测器的光电流与照射光波长的关系,可以看出,TiO2探测器...
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152. MSM光探测器直流特性的二维分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 基于有限差分方法对金属-半导体-金属(MSM)光探测器进行了二维分析,得到有明确物理意义的模拟曲线和结论,并结合模拟结果对MSM光探测器的光电直流特性进行了分析.全部模拟工作都是基于半导体物...
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153. 垂直腔面发射激光器的热学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布.详细分析了注入电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 将Connelly提出的SOA稳态模型和Durhuus提出的动态数值方法结合起来,分析了交叉增益调制过程中连续探测光的输入能量对转换信号的影响.模拟结果表明,当连续探测光的输入能量较小时,转...
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155. 具有多运动自由度的新型多功能微镜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 基于多层硅表面微加工技术,设计并制造了一种全新的微镜结构,它由底电极层、支撑层和镜面层构成.支撑层采用对称布置的双T型梁结构,能提供垂直方向的平动和绕两水平轴的转动,从而实现微镜对入射光的强...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响,并研究了旁栅阈值的光敏特性.结果表明:半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因,Ti/Au/Ti布线金属做旁...
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157. 1V电源的CMOS能隙电压基准源刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用SMIC 0.35μm CMOS工艺实现了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS能隙基准源.测试表明,该电路可以工作在1～2.5V电源电压下,输出的基准电压可以稳定在约0.446V.在从...
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158. 晶片表面几何特性对键合的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得...
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159. 注氮工艺对SIMOX器件电特性的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS-FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX...
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160. 新型多晶硅薄膜热膨胀系数在线测试结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出了一种新型多晶硅薄膜热膨胀系数的在线测试结构.给出了热电机械耦合模型和测试方法、结构参数设计的优化方案及误差分析,并利用ANSYS软件进行模拟.该结构测量方便,独立性较高,误差较小,用电...
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161. 快速计算频变互连电感电阻的加权平均法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 通过引入导体细丝的电流值占总电流的比例作为权重系数,将现有的仅能计算低频互连电感的平均值公式推广到高频情况;并通过分析功耗计算公式,得到类似形式的加权平均公式,可用于计算高频下的互连电阻.分...
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162. 宽带可调谐取样光栅DBR激光器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 利用离子注入量子阱混杂技术,成功研制了三段取样光栅(SG)-DBR激光器.器件不连续调谐范围超过30nm,边模抑制比大于30dB.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 提出了一种用于提高硅基螺旋电感性能的局部介质增厚技术.这种技术通过淀积、光刻和湿法腐蚀工艺,局部增加电感下方的氧化层厚度,以降低衬底损耗和提高电感性能.所采用的结构及工艺简单、成本低廉,与C...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 为了提高SIMOX(separation-by-implanted-oxygen)SOI(silicon-on-insulator)结构中埋氧层(BOX)的总剂量辐射硬度,埋氧层中分别注入了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 在0.35μm 2P4M标准CMOS工艺上,设计了一个精确的1.08GHz CMOS电感电容压控振荡器.提出了一种有效计算压控振荡器周期的新方法,采用该方法计算的频率-电压调谐曲线与实验结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 详细论述了用于数字射频存储器系统的单片超高速GaAs 3bit相位DAC的设计、制造及测试.在南京电子器件研究所标准75mm GaAs工艺线采用0.5μm全离子注入MESFET工艺完成流片....
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167. 一种新的射频CMOS混频器结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 提出了一种低电压高增益CMOS下变频混频器的新结构.这个结构避免了堆叠晶体管,因此可以在低电压下工作.在LO信号的频率为1.452GHz,RF信号频率为1.45GHz的情况下,仿真结果表明:...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT-Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓...
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169. 一种适用于通信系统的异步加-选择-比较器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 介绍了一种适用于Viterbi解码器的异步ACS(加法器-比较器-选择器)的设计.它采用异步握手信号取代了同步电路中的整体时钟.给出了一种异步实现结构的异步加法单元、异步比较单元和异步选择单...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 在分析隔离岛式FPGA结构的基础上,提出了基于LUT的面积和延迟模型,用于分析LUT尺寸对FPGA面积和性能的影响.结果表明利用计算模型得到的最佳LUT尺寸与实验结论一致:4-LUT获得最好...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 提出了一种解决SU-8去胶难题的方法.该方法首先将SU-8微结构用PDMS进行复制,然后利用复制的PDMS微结构进行下一步的电铸,电铸完成后只要简单地将PDMS揭下即可释放出金属模具.通过该...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 用多层模型和膜系传递矩阵计算了HgCdTe/CdZnTe外延薄膜的红外透射光谱,结果表明组分扩散区主要影响透射光谱的干涉条纹和透射率小于10%的区域,而组分梯度区则影响吸收边斜率.横向组分波...
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173. 高碳CZ硅中氧沉淀的两种成核长大机制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 应用红外光谱、高分辨透射电镜研究了高碳CZ硅中的氧沉淀.实验表明:高碳样品中有两种成核长大机制形成的氧沉淀,一是多碳中心的异质成核长大的氧沉淀,碳原子同时参与氧沉淀的成核和长大,红外光谱上1...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 在用X射线双晶衍射研究GaN和ZnO结晶性能的实验中,观察到(102)非对称衍射摇摆曲线的半峰宽比(002)对称衍射更窄以及ZnO(002)摇摆曲线分裂的现象.经研究证实,这是由于Kα2线参...
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175. SnO2:Sb薄膜的制备和光致发光性质刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜.制备样品为多晶薄膜,具有纯氧化锡的四方金红石结构和(110)择优取向,Sb离子以替位式掺杂的形式存在于SnO2晶格中.室温条件下对样品进...
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176. 硅纳米晶的制备和电荷储存特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 在Si/SiO2/Si衬底上通过真空热处理生长了硅纳米晶,利用原子力显微镜对硅纳米晶注入电荷,在静电力模式下研究了硅纳米晶的充放电特性.实验结果表明,硅纳米颗粒充电后电荷可以保存10h以上,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 利用射频磁控溅射法在Si(111)衬底上溅射ZnO中间层和Ga2O3薄膜,然后在管式炉中常压下通氨气对ZnO/Ga2O3薄膜进行氨化,高温下ZnO层在氨气气氛中挥发,而Ga2O3薄膜和氨气反...
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178. 水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用电化学腐蚀法并结合光刻、反应离子刻蚀以及碱性腐蚀等技术,在p型(100)硅基底中制备了大深宽比的二维大孔硅光子晶体,其二维周期性结构的晶格常数为3.8μm,孔隙直径约3.0μm,孔隙深度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年5期页码:摘要： 采用HFCVD制备金刚石薄膜的方法,以乙醇为碳源,氢气为载气,在适当的衬底温度下,合成出具有(100)晶面取向均匀生长的金刚石薄膜.SEM,XRD和Raman分析表明,所合成的金刚石薄膜是高...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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