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半导体学报(英文版)2005年第12期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 利用应变补偿和优化波导结构来提高量子级联激光器的性能,实现了波长为5.5μm量子级联激光器的室温激射.利用双晶X射线衍射实验对材料生长质量进行了检验.对于条宽为20μm,长为2mm的脊形波导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 提出了一种快速推算栅极氧化膜TDDB寿命的新方法.该方法可以用于对工艺的实时监控.通常情况下,为了得到栅极氧化膜在器件使用温度下的TDDB寿命,必须得到三个在一定温度下的不同电压下的TDDB...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 提出一种用于提取神经电信号的新型单片集成CMOS前置放大器.在放大器输入端引入的交流耦合电容可以消除存在于电极-电解液之间的电极极化电压,栅源电压为负值的二极管连接的nMOS晶体管能够作为大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用一种新的工艺方法提高了垂直腔面发射激光器的输出功率.采用开环分布孔代替环形沟槽,使器件的输出功率提高了0.34倍.14μm孔径的器件输出功率超过10mW,工作电流为29.6mA时,最大输...
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6. 热退火对多晶硅特性的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 为研究热退火对太阳电池用多晶硅的影响,在750～1150℃,N2和O2环境下分别对硅片进行热处理.用傅里叶红外光谱仪和准稳态光电导衰减法测量退火前后的氧碳含量和少子寿命的变化.为了比较,对有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用自制的低压金属有机化学气相淀积设备,用三甲基镓、三甲基铟作为Ⅲ族源,三甲基锑和砷烷作为Ⅴ族源在(100)面GaSb和GaAs单晶衬底上分别外延生长了InAsSb材料.用X射线双晶衍射、原...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 研制了一种新型的非选择性再生长掩埋异质结构长波长超辐射二极管(SLD).该器件采用渐变组分体材料InGaAs作为有源区,由金属有机物化学气相外延制备.150mA下,SLD发射谱宽的半高全宽为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 对DBR几何参量不同的InGaAs-GaAs-AlGaAs DBR半导体激光器样品的输出线宽进行了测量和分析.样品激光器DBR光栅取不同的长度和蚀刻深度以考察其几何特性对耦合系数、反射率以及...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 将一种精确高效的等效电路训练人工神经网络模型引入共面波导不连续性结构建模.该建模算法继承了等效电路模型和电磁仿真人工神经网络模型的优点.此次开发并得到验证的共面波导不连续性结构模型包括:台阶...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 不同化学机械抛光剂使单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%,电迁移寿命猛降至早期失效的量级,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 提出了一种基于CBL布图表示的新的增量式布图规划算法.该算法能很好地解决包括不可二划分结构在内的布图规划问题.针对现有增量式的一些需求,算法给出了相应的高速解决方案.在已有的初始布局的基础上...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 利用Broyden算法,通过自洽求解一维半导体量子线的电子浓度分布和电势分布,和常用的牛顿法以及逐次超松弛(SOR)法相比较,确认了Broyden算法的收敛结果正确,并减少了达到收敛的迭代步...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 研究了半导体量子点中磁极化子的性质.采用线性组合算符和微扰法,导出了半导体量子点中磁极化子的基态能量.在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论了对半导体量子点中磁极...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用自组织生长应变量子点的二维轴对称模型,系统分析了量子点内部及周围材料的应变分布.分别对透镜形、圆柱形、圆锥形和金字塔形量子点的应变分布进行了比较.结果表明主应变和切应变的分布受几何形状影...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 用射频溅射设备,采用两步法制备了宽带隙立方氮化硼(c-BN)薄膜.研究了在其他条件不变的情况下,成核阶段衬底温度对制备c-BN薄膜的影响.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上,薄膜成分...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 理论分析了共熔法在玻璃中生长的CdSe0.9S0.1半导体量子点在恒定外场作用下的电偶极矩.由于玻璃介质与量子点的互溶,共熔法在玻璃中生长的量子点是球形梯度量子点,其相对介电常数沿径向的变化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 在硅衬底上利用具有质量选择功能的低能离子束沉积技术沉积碳离子制备出除碳、硅之外无其他杂质元素的纯净的立方SiC薄膜.利用X射线光电子谱、俄歇电子能谱、X射线衍射对样品进行了表征.结果显示常温...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 以Al2O3为衬底利用多能态离子注入法在离子注入设备上制备了一系列具有室温铁磁性的Al2O3:Mn样品.在Al2O3的X射线衍射峰附近发现新的衍射峰,该衍射峰既可能对应一种未知新相,也可能对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/Al...
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22. CMOS宽带可变增益放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 设计了一种CMOS宽带、低功耗可变增益放大器.在分析使用源极退化电阻的共源放大器高频特性基础上,通过加入频率补偿电容改变放大器的零极点分布,在不增加功耗的情况下扩展了带宽.分析了放大器在低增...
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23. CMOS器件光学特性的测量刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 介绍了一种测量CMOS像感器调制传递函数(modulation transfer function,MTF)的方法,分别构造了可用于MTF和光谱量子效率测量的实验系统.并利用上述实验系统对1...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 研究了90nm工艺条件下的轻掺杂漏(lightly-doped drain,LDD)nMOSFET器件最大衬底电流应力特性.在比较分析了连续不同电应力后LDD nMOSFET的GIDL(ga...
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25. 负阻异质结晶体管的模拟与实验刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用MBE方法生长了8nm基区的InGaP/GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管.在恒压恒流条件下均观察到了负阻特性并对其物理机制进行了讨论.推导出集电极电流Ic与VCE的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 对AlxGa1-xAs/GaAs半导体单异质结系统,引入有限高势垒与考虑导带弯曲的真实势,同时计入电子对异质结势垒的隧穿,利用变分法和记忆函数方法讨论在界面光学声子和体纵光学声子的散射下,异...
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27. 低电场应力下闪速存储器的退化特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元,研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制,同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压漂移量进行了测量.并利用电容耦合效应模型对闪速存储器存储单元的可靠...
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28. 混沌随机数发生器的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 为了使由模拟电路实现的混沌随机数发生器可以在标准数字CMOS工艺上实现,设计了一类基于MOS电容的混沌随机数发生器,可以作为一个通用IP,用于SOC的设计.当电路工作时,用于电容设计的MOS...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 研制了一种高电容率的电容式RF-MEMS开关.与普通电容式开关设计不同的是,在CPW信号线上的绝缘层上表面覆盖了一层金属板,使开关在down-state时,上电极能与介质膜紧密接触,而在up...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年12期页码:摘要： 采用0.2μm GaAs PHEMT工艺设计并实现了超高速光纤通信系统用激光二极管/调制器集成驱动器电路.整个电路由带源极跟随器的两级差分放大电路、电容耦合电流放大器和输出电路组成.电路芯片...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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