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半导体学报(英文版)2005年第3期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 建立了高压RESURF LDMOS的开态击穿模型.该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响,获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布.基于该模型可以计算出高压 RESURF ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用传统的光刻和湿法腐蚀工艺制作了1.55μm波长的新型半导体激光器和模斑转换器的单片集成器件.其中激光器采用脊型双波导,模斑转换器采用掩埋双波导结构,水平楔型的有源波导和宽而薄的无源波导同...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 在电子散射能量沉积为双高斯分布的前提下,提出了一种提取电子束光刻中电子散射参数α,β和η的新方法.该方法使用单线条作为测试图形.为了避免测定光刻胶的显影阈值,在实验数据处理中使用归一化方法....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 报道了用1064nm激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的一种奇特光电导现象.GaAs光电导开关的电极间隙为4mm,当偏置电场分别为2.0和6.0kV/cm时,用脉冲能量为0.8mJ,宽度为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 在考虑各向异性散射的基础上,对锗中电子输运特性进行了全能带蒙特卡洛模拟.计算过程如下:锗的全能带由nonlocal empirical pseudopotential 方法求得;态密度的相对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 介绍了一种应用于大功率激光二极管列阵的新型单片集成微通道制冷热沉.这种热沉已制造并经过测试.10叠层的激光二极管列阵的热阻为0.121℃/W.相邻两个激光条的间距是1.17mm.在20%高占...
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7. 模拟相关器的噪声分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 给出了分析模拟相关器的噪声模型.将相关器分成不同的几个子模块后,对各模块分别计算等效噪声源.然后用理想脉冲源代替噪声源计算电路的时变传输函数,接着用傅里叶变换计算输入输出的频域关系.利用电路...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用系统研究方法来分析包括MOS器件的沟道噪声和感应栅噪声在内的CMOS低噪声放大器中的噪声,并提出了一个新的噪声系数解析式.基于此解析式,讨论了分布栅电阻和内部沟道电阻对噪声性能的影响.对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 用MOCVD技术在50mm蓝宝石衬底(0001)面上生长了GaN∶Mg外延膜,对样品进行热退火处理并作了Hall、双晶X射线衍射(DCXRD)和室温光致发光谱(PL)测试.Hall测试结果表...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用常压金属有机物化学气相淀积法在(0001)Al2O3衬底上生长出高质量ZnO单晶膜,在空气中进行了710～860℃不同温度的退火处理.用X射线双晶衍射、光致发光法研究了退火温度对ZnO薄...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 利用常压MOCVD法在蓝宝石(0001)衬底上沉积了非故意掺杂ZnO单晶薄膜.用Van der Pauw法测量了其从15K到室温的载流子浓度和霍耳迁移率,并用双层结构单施主模型对载流子浓度和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用低雷诺数K-ε紊流模型,考虑自然对流、晶体旋转和坩埚旋转等因素,对晶体直径为300mm,磁场强度变化范围在0～0.12T条件下,熔体硅内流场及氧的浓度分布、磁场分布等作了数值模拟.计算中...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 将采用传统电化学腐蚀法制备的多孔硅样品,用浸泡液浸泡剥离其表层多孔层,使样品表面形成SiO2包裹纳米硅颗粒的结构,在表面镀半透明Au膜后制备成电致发光器件.在正向偏压下样品可以长时间稳定地发...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 在模拟集成电路的应用中,不仅注重器件fT,而且注重晶体管最高振荡频率(fmax).文中以MBE生长的SiGe材料为基础,进行了提高SiGe HBT器件fmax的研究,研制出了fmax＝157...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 通过实验成功得到了0.1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点,并分析了目前器件驱动电流...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 对SOI LDMOS进行了建模,得到了器件各主要参数的最优值与SOI硅膜厚度的关系式.以此为基础用专业软件Medici和Tsuprem-4对器件进行了模拟,得到了最优漂移区浓度、最优击穿电压...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 研究了一种带有自检功能的在平面内自限制压阻式加速度传感器.为实现该加速度传感器,提出了一套新的体硅微机械工艺,使用普通硅片取代SOI硅片来制作器件.传感器采用在深槽侧壁(悬臂梁弯曲的表面)制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 利用"局域化"的概念和二维泊松方程的解析解,建立了沟道方向上二维量子效应对阈电压的修正模型.基于密度梯度理论,建立了多晶硅栅内量子效应对阈电压的修正模型.在此基础上,结合弹道理论,开发了一个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： MEMS系统设计的节点分析法已经被成功地用于机械或机电耦合器件的仿真,但其无法用于热执行器中热-电耦合问题的分析仿真.本文提出一种通过傅里叶变换使用节点分析法动态分析仿真热执行器中热电耦合问...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 采用压应变InGaAs量子阱和张应变InGaAs准体材料交替混合的有源结构,研制了宽带偏振不灵敏的半导体光放大器.此放大器在100～250mA的工作电流范围内,获得了大于70nm的3dB光带...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 用电子束蒸发离子辅助镀膜方法为808nm大功率半导体激光器镀制了SiO2/TiO2高反膜及SiO2或Al2O3减反膜,结果表明镀膜后激光器外微分量子效率明显提高(由0.7提高到1.24),而...
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22. 超高速激光驱动器电路设计与研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 分别利用0.35μm CMOS工艺和0.2μm GaAs PHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor)工艺实现了激光驱动器集成...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 基于RLC互连树节点导纳的低阶矩构建了一种稳定的互连π模型,并讨论了它在互连树延时和逻辑门延时估计中的应用.结果表明,该模型与已有方法相比精度有一定程度的提高.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 介绍了一种新颖的DC～20GHz的4bit和5bit GaAs单片数字衰减器的设计、制造和测试结果.该衰减器的设计采用纵向思维的方法.最终得到的4bit数字衰减器的主要性能指标是:在DC～2...
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25. 基于划分的力矢量布局算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 提出了一个全新的基于划分的力矢量布局算法.针对大规模集成电路的布局问题,采用基于并行结群技术的递归划分方法进行分解解决,并结合改进的力矢量算法对划分所得的子电路进行迭代布局优化.通过对MCN...
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26. 深亚微米功耗优化的简化模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 结合DVS和ABB技术,同时调整工作电压Vdd和衬底偏置电压Vbs的方法能有效降低深亚微米功耗.在解析方法的基础上提出了已知频率下功耗优化的Vdd,Vbs简化模型.模型中任意频率下对应的优化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 从运动学角度出发,根据硅片与抛光垫的运动关系,通过分析磨粒在硅片表面的运动轨迹,揭示了抛光垫和硅片的转速和转向以及抛光头摆动参数对硅片表面材料去除率和非均匀性的影响.分析结果表明:硅片与抛光...
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28. 硅各向异性腐蚀的原子级模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 应用原子级模型中的随机CA算法,针对硅材料和具体的工艺特点,构造了相应的函数,并在此基础上编制了应用软件--SSAE.该软件可独立运行,能够模拟出硅在KOH中不同腐蚀条件下腐蚀的过程和结果,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 利用分子束外延方法生长了激射波长约为9μm的GaAs/Al0.45Ga0.55As量子级联激光器.条宽35μm,腔长2mm的器件准连续激射温度最高达120K,81K下未经收集效率修正的峰值功...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年3期页码:摘要： 报道了基于应变补偿的InP基In0.53+xGa0.47-xAs/In0.52-yAl0.48+yAs分布反馈量子级联激光器.采用二级光栅作为反馈,激射工作波长为7.8μm,在1%占空比,5...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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