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半导体学报(英文版)2006年第9期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 用MOCVD技术在高阻6H-SiC衬底上研制出了具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)结构材料,其室温和80K时二维电子气迁移率分别为1944和1...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开启,工作电压应当低于0.7V.而采用反偏肖特基势垒结构,DT...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 提出了实现在一个2.4GHz零中频接收机中的一种正交相位自校准方法.这种方法基于一个采用提出的正交相位检测器的延迟锁定环路来大大减小正交相位误差.该接收机采用0.18μm CMOS工艺实现....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 计算了Sb掺杂SrTi1-xSbxO3(x=0,0.125,0.25,0.33)体系电子结构,分析了掺杂对SrTiO3晶体的结构、能带、态密度、分波态密度的影响.所有计算都是基于密度泛函理论...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计了工作在2GHz,差分控制的单片LC压控振荡器,并利用0.18μm CMOS工艺实现.利用模拟和数字(4位二进制开关电容阵列)调频技术,压控振荡器的调频范围达到16.15%(1.8998...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计了一个三管有源像素和其用开关电容放大器实现的双采样读出电路.该电路被嵌入一64×64像素阵列CMOS图像传感器,在Chartered公司0.35μm工艺线上成功流片.在8μm×8μm像素...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 提出了一种新型的系统矫正结构CMOS音频功率放大器.该放大器是由4个单端运放组成的伪差分结构.相对于传统的CMOS功率放大器,它具有低功耗、超低THD、易于补偿、驱动能力强等优点.采用1st...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 在微波电路原理和半导体器件物理的基础上,设计和模拟了两种用于微波功率器件的测试电路,并且设计了与之配套的测试夹具.采用矢量网络分析仪对该测试电路和夹具在3～8GHz范围内进行了小信号测试.模...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 提出采用双传管逻辑设计三值电路的方法,对每个MOS管的逻辑功能均采用传输运算予以表示以实现有效综合.建立了三值双传输管电路的反演法则和对偶法则.新提出的三值双传输管逻辑电路具有完全基于标准C...
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10. 用共蒸发法制备AlSb多晶薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 采用元素共蒸发法结合退火处理制成了AlSb多晶薄膜.利用x射线衍射、透射光谱、暗电导温度关系等方法研究了薄膜的结构、光学和电学性质.发现540℃退火后得到的AlSb多晶薄膜呈立方相结构,间接...
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11. 掺锰硅材料的电流振荡特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 用高温扩散方法制备出补偿Si∶(B,Mn)材料,并研究了这种材料的电流振荡参数与光照和电场之间的关系.结果表明:在一定光照和电场范围内(276～305V/cm),电阻率为104Ω·cm的材料...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 用双源电子束蒸发的方法,在K9玻璃基片上蒸镀Si和SiO2的混合膜.通过改变两种膜料蒸发速率的比例,得到的各个膜层,其折射率大小在两种膜料折射率之间的范围内变化.从实验上得出了混合膜层的折射...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 基于实验数据对GaN材料的少子寿命和碰撞电离率进行了建模,应用漂移-扩散传输模型开展了npnAlGaN/GaN异质结双极晶体管的特性研究,给出了器件导通电压、偏移电压和饱和电压的解析式.结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 异质结双极型晶体管(HBT)是MMIC领域中最具有竞争力的三端器件之一.本文提出了一种三指发射极HBT的设计.通过与同一版上两指发射极HBT比较,证实了该设计的工艺宽容度高、可靠性和一致性好...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 研究了国产SiGe异质结双极晶体管(HBT)60Co γ射线100Gy(Si)～10kGy(Si)总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性.测试了辐照及退火后的直流电参数.实验结果显示,辐照...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 通过优化InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)的材料结构和器件结构,采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术,研制了C波段InGaP/GaAs HBT功率管.其击穿电压B...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 与传统的金属线宽和间距固定不变的无源片上螺旋电感相比,线宽和间距由外圈到内圈渐变的新型结构电感能有效提高电感品质因子.这种新结构电感的出现使得Jenei等人提出的闭合电感公式已不再适用于其电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 采用MOCVD生长了InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料系分别限制异质结构(SCH) 的高功率半导体激光器.对于厚度为10nm 的单量子阱,通过计算量子阱增益谱优化了器件的激射波长....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 采用速率方程与Volterra变换方法,分析了垂直腔面发射激光器在微波模拟调制情况下,频率、自发辐射因子以及自发辐射寿命对三阶谐波和三阶互调失真的影响.结果表明垂直腔面发射激光器的非线性失真...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 通过实验方法找出了去损伤刻蚀的最佳工艺参数,并研究了利用ICP两步刻蚀法去除刻蚀损伤的实验过程及结果.从实验结果可以看出,当ICP功率为750W时,刻蚀引入的损伤最小,刻蚀引起的损伤层厚度最...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 结合制作光子晶体结构的具体要求,研究了电子束曝光得到的电子束胶上(GaAs衬底)随实验条件变化的图形.结果表明,胶的厚度、曝光剂量、显影/定影时间等参数对图形的质量有重要影响.通过合理优化这...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 通过运用Si3N4和SiO2作掩膜,采用各向同性和各向异性腐蚀液,利用硅的腐蚀自停止特性,实现了硅梁的纳米宽度控制,同时利用多次氧化在SOI材料上实现了纳米厚度控制,最终成功批量制作了硅纳米...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 给出了一种MEMS薄膜材料参数的在线测试技术与方法.这种技术包括微测试结构图形、测试硬件设备和测试分析软件.它能够快速测试MEMS薄膜的主要性能参数,并且测试设备和测试方法都与集成电路测试方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计了一种新型的用于低功耗LDO线性稳压器的CMOS高精度参考电流源.通过亚阈值设计方法得到30nA与电源电压无关的基准电流.利用MOS管寄生二极管反向电流的高温特性,对各支路的镜像电流进行...
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25. Sagnac滤波器的自动补偿刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 提出了对双折射光纤Sagnac滤波器的自动补偿方案,将其粘贴在大热膨胀系数的基底材料上,使双折射光纤Sagnac滤波器自动补偿其光谱波长对温度产生的漂移.经过封装后双折射光纤Sagnac滤波...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器.该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成.基于0.25μm CMOS工艺的测试结果...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 设计并制备出两种新型电热驱动微型静电场传感器.一种利用了V型梁阵列作为驱动结构,另一种引入了位移放大机构.针对传感器的弱电流输出信号,建立了基于锁相放大器的测试系统对两种传感器的输出信号进行...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 针对片上系统测温及其过温保护问题,提出了一种基于CMOS亚阈值特性制造的低功耗温度传感器.CSMC 0.6μm数模混合工艺仿真表明,其在-50～150℃的温度范围内,都能良好工作,且因为运放...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 分析了超深亚微米工艺参数波动对电路的影响;采用"放大"的思路设计了简单的用于测量超深亚微米工艺门延迟、动态功耗、静态功耗及其波动的电路,并提出了一种用于测量门延迟波动特性曲线的新型电路,该电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2006年9期页码:摘要： 从电磁理论出发解释了片上电感电流分配的原因,得出小横界面积金属的趋肤效应弱,大的金属线宽和相邻金属间距比的偶耦合临近效应小的结论.采用4层金属的0.35μm标准CMOS工艺制造片上电感,将差...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
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| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
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| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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