InGaAs/InP量子线的子带结构和光学增益

• 作者: 何国敏 刘宝林 王仁智 郑永梅
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 物理学
• 关键词: 有效质量理论 量子线 光学增益
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 50-56
• 页数: 7页
• 分类号: O471.5
• 字数: 2451字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.009

摘要

采用有效质量理论6带模型，计算了In0．53Ga0．47As／InP量子线的光学性质，具体计算了In0．53Ga0．47As／InP量子线的能带结构、态密度、载流子浓度、光学跃迁矩阵元和光学增益谱，并把量子线的光学增益谱和量子阱的光学增益谱作了比较。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘宝林	厦门大学物理系	30	167	9.0	11.0
2	王仁智	厦门大学物理系	14	35	3.0	5.0
3	郑永梅	厦门大学物理系	10	18	3.0	3.0
4	何国敏	厦门大学物理系	7	12	2.0	3.0