用X双晶衍射法研究InGaAs/GaAs量子阱结构

• 作者: 张文栋 张斌珍 杨艳 薛晨阳
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 物理学
• 关键词: 分子束外延 超晶格半导体 X射线双晶衍射
• 年，卷（期）: 2006,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 105-107
• 页数: 3页
• 分类号: O434.1|O47
• 字数: 1769字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2006.02.008

摘要

用X射线双晶衍射方法对MBE方法生长的InGaAs/GaAs量子阱结构材料进行了测试分析.结果表明,在材料生长过程中,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性.通过改变衬底温度、V/Ⅲ速流比等实验条件,得到了质量较好的材料.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文栋	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	167	1172	16.0	26.0
2	薛晨阳	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	136	765	14.0	21.0
3	张斌珍	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	107	535	12.0	18.0
4	杨艳	中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室	25	87	5.0	8.0