5W ISM波段InGaP/GaAs HBT功率放大器MMIC

• 作者: 冯威 戚伟 柳现发 王绍东
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 功率放大器 ISM波段 InGaP/GsAs HBT 无线通信 MMIC
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 286-290
• 页数: 5页
• 分类号: TN45|TN722.75
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353x.2010.03.022

摘要

通过分析InGaP/GsAs HBT器件的热学和电学特点,结合HBT大功率放大器芯片在技术性能、稳定性、可靠性及尺寸等方面的要求,通过优化设计HBT功率器件单元和匹配电路,开发了一个大功率、高效率、小尺寸的ISM波段功率放大器单片集成电路.该三级放大器的各级器件单元的发射极面积分别为320 μm~2,1 280μm~2,5 760μm~2,芯片内部包括了输入、输出50 Ω匹配电路.面积仅为1.9mm×2.1 mm.放大器采用5 V单电源供电,在2.4～2.5 GHz频率范围内线性增益为27 dB,2 dB增益压缩点输出饱和功率达到37 dBm,功率附加效率为46%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯威	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	25	2.0	4.0
2	王绍东	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	78	6.0	8.0
3	柳现发	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	30	4.0	4.0
4	戚伟		2	11	2.0	2.0