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摘要:
银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用正受到越来越多的关注。作为传统软钎焊技术的替代方案,银烧结技术在宽禁带半导体封装中具有良好的应用前景。阐述了银烧结技术原理,介绍了目前银烧结技术在功率模块中的应用情况,总结了影响银烧结层质量的因素,并从检测手段、材料成本及专利方面对银烧结技术的应用前景进行了展望。
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内容分析
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文献信息
篇名 银烧结技术在功率模块封装中的应用
来源期刊 电子工艺技术 学科 工学
关键词 银烧结技术 宽禁带半导体 功率模块 封装
年,卷(期) 2016,(6) 所属期刊栏目 综 述
研究方向 页码范围 311-315
页数 5页 分类号 TN305
字数 5012字 语种 中文
DOI 10.14176/j.issn.1001-3474.2016.06.001
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王玉林 5 46 2.0 5.0
3 李聪成 2 6 1.0 2.0
5 牛利刚 2 6 1.0 2.0
7 滕鹤松 8 99 4.0 8.0
15 徐文辉 1 5 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
银烧结技术
宽禁带半导体
功率模块
封装
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工艺技术
双月刊
1001-3474
14-1136/TN
大16开
太原市115信箱
22-52
1980
chi
出版文献量(篇)
2306
总下载数(次)
10
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