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银烧结技术在功率模块封装中的应用
银烧结技术在功率模块封装中的应用
作者:
徐文辉
李聪成
滕鹤松
牛利刚
王玉林
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
银烧结技术
宽禁带半导体
功率模块
封装
摘要:
银烧结技术是一种新型的高可靠性连接技术,在功率模块封装中的应用正受到越来越多的关注。作为传统软钎焊技术的替代方案,银烧结技术在宽禁带半导体封装中具有良好的应用前景。阐述了银烧结技术原理,介绍了目前银烧结技术在功率模块中的应用情况,总结了影响银烧结层质量的因素,并从检测手段、材料成本及专利方面对银烧结技术的应用前景进行了展望。
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文献信息
篇名
银烧结技术在功率模块封装中的应用
来源期刊
电子工艺技术
学科
工学
关键词
银烧结技术
宽禁带半导体
功率模块
封装
年,卷(期)
2016,(6)
所属期刊栏目
综 述
研究方向
页码范围
311-315
页数
5页
分类号
TN305
字数
5012字
语种
中文
DOI
10.14176/j.issn.1001-3474.2016.06.001
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王玉林
5
46
2.0
5.0
3
李聪成
2
6
1.0
2.0
5
牛利刚
2
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滕鹤松
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引证文献(1)
二级引证文献(4)
研究主题发展历程
节点文献
银烧结技术
宽禁带半导体
功率模块
封装
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工艺技术
主办单位:
中国电子科技集团公司第二研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
1001-3474
CN:
14-1136/TN
开本:
大16开
出版地:
太原市115信箱
邮发代号:
22-52
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
2306
总下载数(次)
10
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