高温氧化对SiC MOS器件栅氧可靠性的影响

• 作者: 万彩萍 周钦佩 夏经华 张静 许恒宇 韩锴
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: SiC金属氧化物半导体(MOS)器件 零时击穿(TZDB) 与时间有关的击穿(TDDB) 干氧氧化 可靠性
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 754-758
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.24|TN306
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.10.006

摘要

SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能.为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC (0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,1 450和1 550℃5种温度下进行高温干氧氧化实验来制备SiO2栅氧化层.在室温下,对SiC MOS电容样品的栅氧化层进行零时击穿(TZDB)和与时间有关的击穿(TDDB)测试,并对不同干氧氧化温度处理下的栅氧化层样品分别进行了可靠性分析.结果发现,在1 250℃下进行高温干氧氧化时所得的击穿场强和击穿电荷最大,分别为11.21 MV/cm和5.5×10-4 C/cm2,势垒高度(2.43 eV)最接近理论值.当温度高于1 250℃时生成的SiO2栅氧化层的可靠性随之降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩锴	潍坊学院物理与光电工程学院	8	4	1.0	2.0
2	张静	北方工业大学电子信息工程学院	15	15	2.0	3.0
3	夏经华	全球能源互联网研究院先进输电技术国家重点实验室	4	3	1.0	1.0
4	周钦佩	北方工业大学电子信息工程学院	1	3	1.0	1.0
5	许恒宇	中国科学院微电子研究所高频高压集成与器件研发中心	2	3	1.0	1.0
6	万彩萍	北方工业大学电子信息工程学院	1	3	1.0	1.0