基于MOCVD高/低温调制生长AlN模板材料方法

• 作者: 龙长林 陈峰武 陈洪
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 关键词: AlN 高温MOCVD 晶体质量 表面质量
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术|NEW TECHNOLOGY & TECHNIQUES
• 页码范围: 232-235
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2021.04.012

摘要

宽禁带半导体紫外光电器件和功率半导体器件的发展对AlN材料和高Al组分AlGaN材料有着迫切的需求.由于缺乏大尺寸AlN同质衬底,基于异质外延生长的AlN模板材料成为了宽禁带半导体器件制造的最佳选择.但是,由于Al原子表面迁移能力较差,AlN外延材料表面易呈现岛状生长模式,导致AlN模板材料的晶体质量和表面质量较差,严重影响了宽禁带半导体器件的实用化进程.基于自主研制的高温MOCVD设备,采用多周期高/低温调制生长技术,制备出了厚度达2μm的AlN模板材料.测试结果显示:(002)和(102)X-ray摇摆曲线半高宽分别为71arcsec和632arcsec,表面粗糙度RMS(5μm×5μm)达0.39 nm,101.6 mm晶圆膜厚均匀性为2.13％.研究表明基于国产装备生长的AlN模板材料具备较为优异的质量,可为我国新一代半导体产业发展提供有力的支撑.