半导体技术期刊
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管,中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办,业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊,它以严谨风格,权威著述,在业内深孚众望,享誉中外,对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯,为客户开拓更大市场”,是《半导体技术》的追求,本刊一如既往地坚持客户至上,服务第一,竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
中国学术期刊光盘版《CAJ-CD》执行优秀期刊奖(03)  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN:
1003-353X
CN:
13-1109/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄179信箱46分箱
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  • 作者: 傅岳鹏 田民波 陈军君
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  185-189
    摘要: 总结了目前几类关键封装材料的发展现状,包括积层多层板、挠性板、无铅焊料、电子浆料等,指出了发展中存在的主要问题,并对国内外的生产研发情况和未来的发展趋势进行了概述.指出积层多层板和挠性板适应...
  • 作者: 孟李林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  190-192
    摘要: 遵循摩尔定律的预言,半导体集成电路工艺技术持续高速向深亚微米工艺发展,大规模集成电路设计技术是发展过程中需要解决的关键问题.基于片上总线的SOC设计技术解决了大规模集成电路的设计难点,但是片...
  • 作者: 刘欣 姚达 岳世忠
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  193-196
    摘要: 随着芯片集成度的不断提高、器件尺寸的不断缩小,光刻技术和光刻设备发生着显著变化.通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研...
  • 作者: 吴小洪 姜永军 曹占伦 林晓新 袁喜林
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  197-199
    摘要: S曲线加减速运动控制是中高档三极管粘片机系统中的一项重要功能.对S曲线加减速度算法进行了研究,从三极管粘片机的运动控制流程工艺要求出发,设置系统不同的运动参数.运用二分法迭代的编程思维对时间...
  • 作者: 吴小洪 姜永军 曹占伦 林晓新
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  200-203
    摘要: 在全自动LED粘片设备中,为了实时快速精确地识别出LED芯片,提出了一种新的金字塔-序贯相似性检测匹配算法,有机地结合了金字塔算法的快速性和序贯相似性检测匹配算法精确性的优点.该算法先采用金...
  • 作者: 刘学平 吴小峰 段广洪 邹松青
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  204-207
    摘要: 介绍了LED固晶机的工作原理.阐述了其系统设计思想和实现方法,分析了其运动控制系统采用基于PCI总线的运动控制卡与口C工控机相结合的方案,其气动部分和机器视觉部分也是通过PCI总线实现相互间...
  • 作者: 丛晓庆 严诚 张正君 王益军 王锐廷 苏德坦
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  208-211
    摘要: 基于微通道板的清洗工艺,设计了清洗设备的结构,并对设备的核心部件详细说明.利用液体射流喷射实现喷淋清洗,采用液体液下喷射循环实现液体的紊流,减少了搅动和传动系统为系统带来的复杂性.利用超声和...
  • 作者: 乔建良 常本康 牛军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  212-215
    摘要: 基于光电阴极光谱响应测试原理,研制了光谱响应在线测试仪,经多次实验验证,准确度达到1 nA,完全能够检测出NEA激活过程中产生的微弱光电信号,且具有良好的重复性.利用该光谱响应测试仪,成功实...
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  215
    摘要:
  • 作者: 何平 孙以材 李晓丽 李晓琳 钟晓泉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  216-219
    摘要: 介绍了一种新型、高精度的智能气体体积分数测量设备.该设备将ARM7应用到电路中,利用其强大的数据计算处理能力及控制能力,设计出了显示气体体积分数值的测试电路.传感器输出的电信号采用牛顿插值法...
  • 作者: 任晓敏 崔海林 李轶群 江琳琳 黄永清 黄辉
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  220-222
    摘要: 对用于光电集成(OEIC)的InP基异质结双极性晶体管(HBT)进行了分析,提出了一种新的集电区外延结构,该结构在集电极区和次集电区之间插入一层特定厚度的P-InGaAs和两层特定厚度但不同...
  • 作者: 何玉娟 刘洁 师谦 恩云飞 罗宏伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  223-226
    摘要: SOI CMOS技术存在许多优势,但由于存在厚的埋氧层,其总剂量效应反而比体Si器件更差,因此需进行总剂量抗辐射加固设计.对几种SOI MOSFET的栅氧、埋氧和场氧总剂量抗辐射加固的方法进...
  • 作者: 刘琦 刘磊 柯导明 洪琪 陈军宁 高珊
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  227-230
    摘要: 提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法.此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功...
  • 作者: 吴为敬 吴朝晖 姚若河 邓婉玲 郑学仁 陈荣盛
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  231-234
    摘要: 多晶硅薄膜晶体管(P-Si TFTs)技术在SOP(system on panel)显示应用中发挥着越来越重要的作用.随着尺寸的不断缩小,P-si TFT 的Kink效应越来越明显,对有源液...
  • 作者: 李海霞 毛凌锋
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  235-238
    摘要: 随着器件尺寸的进一步减小,Si能带的非抛物线性以及高电场对MOSFET中沟道电子输运的影响变得越来越重要.在基于全能带蒙特卡罗方法的基础上,研究了非抛物线因子对沟道电子输运的影响.研究表明,...
  • 作者: 徐艳蕾 焦玉斌
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  239-241
    摘要: 有机电致发光显示器件(OLED)被认为是LCD最强有力的竞争者.因OLED显示屏的像素驱动电路至少由两个TFT管和一个电容组成,在实际制作驱动电路中,电容面积较大,影响显示屏开口率.基于对像...
  • 作者: 杜宏伟 林悦香 江景涛 潘志国 魏昕
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  242-244
    摘要: 通过化学腐蚀方法研究了liTaO3(LT)晶片的化学机械抛光的化学腐蚀机理,研究了LiTaO3单晶的化学机械抛光过程腐蚀作用的主要影响因素及其影响规律,获得了LiTaO3晶片CMP过程有效的...
  • 作者: 孙震海 郭国超 韩瑞津
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  245-247,256
    摘要: 研究并讨论了在WSix制备的前清洗中,用气态氟化氢(HF)清洗时,多晶硅表面有从其体内析出的含磷物,这种析出物很容易跟气态HF中的微量水汽结合,形成HPO3晶体.这样的晶体在Si片表面不容易...
  • 作者: 关荣锋 王杏 田大垒
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  248-251
    摘要: 介绍了有限元软件在大功率LED封装热分析中的应用,对一种多层陶瓷金属(MLCMP)封装结构的LED进行了热模拟分析,比较了不同热沉材料的散热性能,模拟了输入功率以及强制空气冷却条件对芯片温度...
  • 作者: 乔峻石 李冬梅
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  252-256
    摘要: 基于UMC 0.18 混合信号工艺,设计了一种低功耗逐次逼近ADC,重点考虑了功耗的优化和电路的改进,采用了开关运放技术,降低了传统缓冲器30%左右的能量消耗,同时比较器低功耗的设计也使该A...
  • 作者: 任怀龙 冯威 吴思汉 吴洪江 廖斌 陈兴 默立冬
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  257-260
    摘要: 介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术.采用O.18 μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 ...
  • 作者: 周继承 李嘉颖 罗宏伟
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  261-263,268
    摘要: 研究了传统传输线脉冲测试波形的失真机理,实现了一种基于R-2R网络的负载电路匹配特性优化设计方案,与传统传输线脉冲测试波形相比,优化之后的系统消除了传统设备所产生脉冲波形的过冲和振荡现象.从...
  • 作者: 李博 程鹏 魏廷存 魏晓敏
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  264-268
    摘要: 混合信号VLSI芯片的单片特性验证是此类芯片的设计难题之一.针对典型的混合信号VLSI芯片--单片集成薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片,设计了一种能够直观模拟液晶显示的系统级验...
  • 作者: 施亮 林昆 程秀兰 顾怀怀
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  269-271,274
    摘要: 金属纳米晶存储器件具有低功耗、高速读写特性及较高的可靠性,因此近年来在非易失存储器研究领域备受关注.对比分析讨论了量子限制效应与库仑阻塞效应对金属纳米晶费密能级的影响后,发现库仑阻塞效应会严...
  • 作者: 何大伟 王生国 胡志富 蔡树军
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  272-274
    摘要: 分析了理论公式在计算截圆锥通孔电感中的局限性.设计了频率在20 GHz以下GaAs基微波单片电路中通孔的专门测试结构并建立了其对应的等效电路,用去嵌入寄生参数的方法和安捷伦公司标准的IC-C...
  • 作者: 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  275-276
    摘要:
  • 作者:
    刊名: 半导体技术
    发表期刊: 2008年3期
    页码:  后插1-后插2
    摘要:

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

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