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半导体技术2009年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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31. 电子封装技术的最新进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步.概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温...
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32. NH3掺杂ZnO薄膜的生长及特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,以NH3作为N元素的掺杂源,在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及先致荧光光谱等测试技...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪及荧光分光光度计研究了氧分压变化对ZnO薄膜的微观结构及光致发光特性的影响.结果表明,当工作气压恒...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 氧化铪(Hf02)介质材料是目前用来取代Si02的最有前途材料之一.介绍了Hf02的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点.比较了Hf02介质材料的电学性能、热稳定...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 用磁控溅射法制备了Mnx Ge1-x(x=0.05、0.07、0.11、0.15、0.19、0.23、0.26、0.29)系列薄膜样品.X射线衍射(XRD) 表明所有样品为Ge立方体结构,没...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 用退火法在玻璃衬底上生长ZnO籽晶,然后将衬底置于醋酸锌和六亚甲基四胺溶液中,分别对溶液温度和物质的量浓度进行调控,生长了棒状、片状和菊花状等多种形态的纳米晶体.采用X射线衍射仪分析了纳米晶...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 以Al2O3膜为模板,通过溶胶-凝胶浸渍法,经过干燥、高温加热制备了ZnO纳米点阵结构.SEM结果表明,AAO模板孔遭呈六角形排布,孔道垂直无交叉,孔径为50mm左右,在AAO模板内装入的Z...
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38. Si3N4钝化层质量分析研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 用磁控溅射工艺在不同的沉积温度下生长300 nm厚Cu膜.用原子力显微镜(AFM)获取薄膜表面形貌,并基于分形理论定量表征;用四点探针电阻测试仪测定薄膜电阻率.结果表明,Cu膜表面分形维数(...
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40. 磁控溅射Cu膜的织构与残余应力刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 用磁控溅射工艺在不同沉积温度制备200 nm与2μm厚的Cu膜,并用X射线衍射仪(XRD)与光学相移方法测量薄膜织构与残余应力.结果表明,对于200 nm厚Cu膜,随着沉积温度T增加,晶粒取...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法在室温柔性衬底PET上制备了掺锆氧化锌(ZZO)透明导电薄膜.利用不同方法提高了ZZO薄膜的电阻率而未使其可见光透过率降低.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在一定射频功率、衬底温度和气压下,在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si薄膜材料.使用喇曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究.结果表明,随着...
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43. 征稿启示刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 由于光电转换效率较低,产生的多余熬已成为提升单位体积下大功率LED (HPLED)灯光输出量的主要瓶颈,使有效减少HPLED灯热流回路上各界面接触热阻成为重要课题.研究了不同的非金属基导热界...
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45. 掺杂VO2薄膜的制备及其光电性质刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 以石英片为基底,采用直流/射频磁控共溅射法制备了掺A、掺Ti的V02薄膜.对所制样品进行了电阻-温度关系、原子力显微镜、透射光谱等光电性能测试.结果分析表明,Al元素可以提高薄膜相变温度及T...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 为解决CVD设备在工艺过程中有时存在工艺参数周期性波动的现象,进行了相关分析.发现使用高压钢瓶存储的高纯气态源时,常使用单个调压阀和质量流量计(MFC)来减压和控制流量.而高压差和小流量工作...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 设计并实现了一种新颖的超高频RFID标签的基带处理器.该标签以ISO/IEC 18000-6C协议为基础,但在反向链路通信方面,在原协议FM0编码/Miller调制副载波的基础上增加了扩频编...
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48. Au纳米晶MIS结构存储性能研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径,建立了纳米晶浮栅结构的存储模型,并在模型中考虑了量子限制效应对纳米晶存储性能的影响.基于模型计算,分析了纳米晶材料、高k隧穿介质...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 设计了一种用于MEMS电容传感器的低噪声低失调全差分运算放大器.微传感器传感电容一般很小,传感电容的变化更小.低噪声低失调放大器大大提高了整个传感器检测电路精度.该放大器采用连续时间共模反馈...
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50. 超低相位噪声LC压控振荡器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 研制出了超低相位噪声压控振荡器,在保证调谐范围的前提下,采取各种措施有效降低了压控振荡器的相位噪声.设计的压控振荡器采用普通环氧板材,表面贴装工艺,国际标准封装,成本低、人工调试量小,适合规...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 设计了一款工作在C波段(4.2 GHz)的CMOS射频前端电路,电路包括低噪声放大器和Gilbert型有源双平衡混频器.其中低噪声放大器采用共源和共栅放大器方式,实现了单端输入到差分输出的变...
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52. X波段介质振荡器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的x波段介质振荡器设计方法.利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数εr和损耗角正切值tanδ以及DR...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要：
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54. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 随着LED流明效率的不断上升,它在照明领域的应用也越来越广泛.其中LED室内照明是增长最快的领域之一.论述了目前国内外室内照明的四大主要发展趋势:节能化、功能多样化、柔性化和环保化.在此基础...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 随着平板显示器大型化、薄型化、高分辨率的发展趋势,对平板显示器封装技术提出了更高的要求.ACF符合电子线路封装精细化、集成化的发展要求,目前已广泛应用于平板显示器(例如LCD)的封装领域.综...
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57. 美国高温微系统封装技术现状刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 到内太阳系执行各种空间探索研究任务离不开高性能的高温传感器与电子元器件;此外,宇航发动机环境也急需耐高温的燃烧/发射控制传感器与电子部件.在高温微器件与系统的开发中,封装技术至关重要.美国在...
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58. 平滑陡直的Si深槽刻蚀方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： Si深槽刻蚀技术在MEMS器件加工中具有重要的作用,现有的刻蚀方法在选择比和各向异性问题上各有优缺点.常用的Bosch工艺采取了钝化与刻蚀交替进行的措施,但具有侧壁粗糙的缺点.提出了不同于B...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 基于场终止型IGBT的结构特点与工作机理,提出了一种通过提取IGBT拖尾电流计算基区掺杂浓度新方法,该方法针对已有商用器件只需测试端口电气参数而无需破坏性实验,具有易操作、准确性高的特点.最...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年3期页码:摘要： 利用Si片中填充Cu通孔技术实现芯片间互连是目前最有前景的三维芯片技术.利用有限元模型仿真研究了Cu通孔在Si中引起的诱导应力对CMOS晶体管迁移率的影响.分析了键合力、键合温度、通孔直径和...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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