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半导体技术2009年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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181. ECLD激光器三种模型的双稳特性比较刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 为了研究频率偏离增益峰值时光栅外腔半导体激光器的双稳特性,对比了以前研究双稳态的原简化模型和近期建立的H参量简化模型、H参量模型所得的双稳环环宽及其存在的条件;采用数值计算和模拟的方法,讨论...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响.利用X射线衍射仪、场扫...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 阐述了Si片表面时间依赖性雾的形成过程、分布、形状、密度及识别和去除的方法.通过同样流程清洗、不同条件干燥处理的Si片在不同湿度条件下储存的实验,指出了时间依赖性雾是H与掺杂原子的联合体以及...
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184. 提高PZT阴极电子发射性能的实验研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 实验研究了提高PZT(锆钛酸铅)阴极电子发射性能.在电子发射快极化反转机理的基础上,分析了电流发射密度随激励场强增大的原因.通过电极绝缘保护层改散了阴极的表面击穿特性,通过等静压工艺改善了阴...
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185. Ge单晶片的激光标识技术研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： Ge材料具有优良的红外光学性能以及抗辐射性能,在航天领域有着广泛的应用.产品的可追溯性一直是困扰Ge单晶抛光片的技术难题.介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1 064 nm的光纤型激光...
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186. 表面光伏谱在光电材料与器件研究中的应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 利用表面光伏谱可测光电材料的禁带宽度、导电类型、表面态能级和少数栽流子扩散长度等.分析了表面光伏技术的非破坏性、快速和高灵敏度等方面的优点,指出它可以在一个合适的温度范围内对任何环境下的任何...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 论述了扩展电阻分布法的基本原理和具体操作方法,该法中两个精确排列的探针,沿着被测晶片的磨制斜面边移动,边测试,得出系列数据.二探针扩展电阻分布法采用平式针尖无凹痕接触模型和多层理论计算扩展电...
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188. 掺硼p+-Si外延层厚度的测试方法刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 给出了一种掺硼p+-Si外延层厚度的测试方法.该方法是根据Si在KOH溶液中呈现的腐蚀特性而衍生出来的.Si在KOH溶液中的腐蚀速率与Si的掺杂浓度有关,当掺杂浓度超过5×1019 cm-3...
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189. 静磁微执行器模型研究进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 磁驱动微执行器是一种重要的微执行器.与静电驱动相比,磁驱动具有一些无可替代的优点.静磁驱动是磁驱动方式中重要的一种,具有广阔的应用前景.综述了国内外静磁微执行器模型的最新进展,分析了各类模型...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 利用Ni材料的高电阻温度系数特性,结合MEMS微加工技术,研究开发了全柔性的Ni基热敏传感器及其阵列.对传感器阵列的材料选择、Ni薄膜电阻的特点以及制备工艺进行了研究.通过油浴升温和电流阶跃...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 介绍了采用传统的三台面工艺,利用湿法选择腐蚀形成发射极.基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极性晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10 Gb/s跨阻放大器.其中SHBT获得了在Ic=...
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192. 一种单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 采用PIN二极管工艺技术,设计、制作了一种微波单端匹配式PIN单刀单掷功率开关芯片,并给出了详细测试曲线.该开关由四级PIN二极管组成,采用单端匹配结构.工作频率8～10 GHz,整个带内插...
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193. 雷达接收机混频交扰抑制的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 设计实现了一个雷达接收机用的二次变频接收前端组件,考虑了主要技术指标及本振和信号通道寄生频率的影响,解决了一本振和二本振交调在信号通道内产生的交调干扰问题.通过理论计算预先确定了频率干扰点,...
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194. 一种高矩形平延时带通滤波器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 高性能微波通信系统对滤波器的性能要求越来越高.特别是在中频输出电路或脉冲调制系统中,为保证信号波形无畸变的输出,高矩形系数、带内平坦、平延时的滤波器受到相当重视.传统的滤波器不能满足要求,介...
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195. 一种GMOS SnO2气体微传感器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要： 采用TSMC 0.6 μm 1P3M标准CMOS工艺设计了一种检测O2浓度的SnO2气体微传感器.传感器材料是由实验分析及CMOS工艺共同确定,其多晶硅加热电阻温度系数小、功耗低,而SnO2...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要：
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197. 业界动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要：
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198. 综合新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年7期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： InP/CaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAs SHBT与InP/InG&As/InP ...
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200. 综合新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要：
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201. Halo结构器件研究综述刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22 nm特征尺寸的研究.讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情况.与传统长沟器件结构进行了比较,指出由于短沟效应(SC...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 分析介绍了Cu层表面粗糙度对器件性能的影响以及超大规模集成电路中多层Cu布线CMP的作用机理,研究分析了碱性抛光液对Cu的表面粗糙度的影响因素,如磨料、氧化剂、pH值、表面活性剂等对表面粗糙...
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203. CMP中酸碱度对InSb晶片粗糙度的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： InSb是一种重要的半导体材料.研究了在压力、流量等工艺参数一定的条件下,通过改变有机碱在抛光液中的体积分数,得到了不同pH值的抛光液.采用化学机械抛光(CMP)对InSb进行了表面加工,并...
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204. ULSI多层互连中W-CMP速率研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 随着IC制造技术进入到亚深微米时代,化学机械抛光(CMP)工艺成为ULSI多层布线的关键技术之一.分析了W-CMP的机理,抛光液对W材料表面具有化学腐蚀和机械研磨的双重作用,对抛光速率有着重...
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205. 蓝宝石衬底表面粗糙度的研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 简述了纳米级超光滑蓝宝石衬底的用途及发展前景,以SiO2为磨料并且加入了表面活性剂和螯合剂的碱性抛光液做了抛光实验.分析了表面粗糙度与抛光液pH值的关系,比较了不同压力对粗糙度的影响,研究了...
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206. 抛光工艺对GaAs抛光片粗糙度的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 研究了化学机械抛光过程中抛光布、抛光液中SiO2溶胶粒径、pH值以及清洗工艺对GaAs抛光片表面粗糙度的影响,为降低粗糙度而保持一定的抛光速率,应尽量采用多步抛光的方式,逐步降低抛光布的硬度...
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207. 利用RELACS辅助技术制作"T"型栅刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 利用RELACS化学收缩辅助技术制作了i线三层胶结构的"T"型栅.首先利用水溶性的化学收缩试剂RELACS,涂在曝光完成的光刻图形上,然后借由混合烘焙让光刻胶中的光酸分子因受热而产生扩散运动...
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208. 应力对双极型晶体管参数性能的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 半导体器件和集成电路中存在着两大类应力,提出了应力及其引起的二次缺陷产生的原因、以及如何减小产生的应力和减少二次缺陷的措施,分析了应力和二次缺陷对双极型晶体管的参数性能的不同影响,以及如何区...
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209. 器件设计中费密积分的精确近似计算刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 用MATLAB软件中的自适应洛巴托求积公式精确计算了费密积分,精确值比被广泛采用的G.J.Mc-DO和E.C.Stoner计算值多一位有效数字,根据精确值求出了费密积分的近似、易用的多项式回...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年8期页码:摘要： 制作了发射极面积为1μm×15μm×4指的InP DHBT器件,器件拓扑使用了共基极和共发射极两种结构,通过负载牵引测试系统对器件功率特性进行测试.在功率优化匹配条件下,所测得最大输出功率密...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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| 5. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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