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半导体技术2009年第2期出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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38
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅(a-Si)薄膜横向结晶的特点和机理.研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素,如场强及分布等.结果表明,相...
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3. 电子封装技术的最新进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 现今集成电路的特征线宽即将进入亚0.1nm时代,根据量子效应这将是半导体集成的极限尺寸,电子产品小型化将更有赖于封装技术的进步.概括总结了SiP三维封装、液晶面板用树脂芯凸点COG封装、低温...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法,以NH3作为N元素的掺杂源,在蓝宝石衬底上生长了掺N的ZnO薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、原子力显微镜、霍尔测量及先致荧光光谱等测试技...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用射频反应磁控溅射法在玻璃衬底上成功制备出具有c轴高择优取向的ZnO薄膜,利用X射线衍射仪及荧光分光光度计研究了氧分压变化对ZnO薄膜的微观结构及光致发光特性的影响.结果表明,当工作气压恒...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 氧化铪(Hf02)介质材料是目前用来取代Si02的最有前途材料之一.介绍了Hf02的制备方法,对几种制备方法进行了比较,并分析了各种制备方法的优缺点.比较了Hf02介质材料的电学性能、热稳定...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 用磁控溅射法制备了Mnx Ge1-x(x=0.05、0.07、0.11、0.15、0.19、0.23、0.26、0.29)系列薄膜样品.X射线衍射(XRD) 表明所有样品为Ge立方体结构,没...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 用退火法在玻璃衬底上生长ZnO籽晶,然后将衬底置于醋酸锌和六亚甲基四胺溶液中,分别对溶液温度和物质的量浓度进行调控,生长了棒状、片状和菊花状等多种形态的纳米晶体.采用X射线衍射仪分析了纳米晶...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 以Al2O3膜为模板,通过溶胶-凝胶浸渍法,经过干燥、高温加热制备了ZnO纳米点阵结构.SEM结果表明,AAO模板孔遭呈六角形排布,孔道垂直无交叉,孔径为50mm左右,在AAO模板内装入的Z...
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10. Si3N4钝化层质量分析研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用扫描电镜(SEM)、X光电子能谱仪(XPS)、二次离子质谱仪(SIMS)等多种微分析手段对失效器件芯片表面生成物产生原因进行了分析,同时结合器件制备工艺和器件可靠性实验分析了Si3N4钝...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 用磁控溅射工艺在不同的沉积温度下生长300 nm厚Cu膜.用原子力显微镜(AFM)获取薄膜表面形貌,并基于分形理论定量表征;用四点探针电阻测试仪测定薄膜电阻率.结果表明,Cu膜表面分形维数(...
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12. 磁控溅射Cu膜的织构与残余应力刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 用磁控溅射工艺在不同沉积温度制备200 nm与2μm厚的Cu膜,并用X射线衍射仪(XRD)与光学相移方法测量薄膜织构与残余应力.结果表明,对于200 nm厚Cu膜,随着沉积温度T增加,晶粒取...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法在室温柔性衬底PET上制备了掺锆氧化锌(ZZO)透明导电薄膜.利用不同方法提高了ZZO薄膜的电阻率而未使其可见光透过率降低.X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)表...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,在一定射频功率、衬底温度和气压下,在普通玻璃衬底上制备了不同硅烷体积分数的Si薄膜材料.使用喇曼光谱对薄膜材料的结构进行了研究.结果表明,随着...
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15. 征稿启示刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 由于光电转换效率较低,产生的多余熬已成为提升单位体积下大功率LED (HPLED)灯光输出量的主要瓶颈,使有效减少HPLED灯热流回路上各界面接触热阻成为重要课题.研究了不同的非金属基导热界...
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17. 掺杂VO2薄膜的制备及其光电性质刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 以石英片为基底,采用直流/射频磁控共溅射法制备了掺A、掺Ti的V02薄膜.对所制样品进行了电阻-温度关系、原子力显微镜、透射光谱等光电性能测试.结果分析表明,Al元素可以提高薄膜相变温度及T...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 为解决CVD设备在工艺过程中有时存在工艺参数周期性波动的现象,进行了相关分析.发现使用高压钢瓶存储的高纯气态源时,常使用单个调压阀和质量流量计(MFC)来减压和控制流量.而高压差和小流量工作...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 设计并实现了一种新颖的超高频RFID标签的基带处理器.该标签以ISO/IEC 18000-6C协议为基础,但在反向链路通信方面,在原协议FM0编码/Miller调制副载波的基础上增加了扩频编...
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20. Au纳米晶MIS结构存储性能研究刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径,建立了纳米晶浮栅结构的存储模型,并在模型中考虑了量子限制效应对纳米晶存储性能的影响.基于模型计算,分析了纳米晶材料、高k隧穿介质...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 设计了一种用于MEMS电容传感器的低噪声低失调全差分运算放大器.微传感器传感电容一般很小,传感电容的变化更小.低噪声低失调放大器大大提高了整个传感器检测电路精度.该放大器采用连续时间共模反馈...
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22. 超低相位噪声LC压控振荡器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 研制出了超低相位噪声压控振荡器,在保证调谐范围的前提下,采取各种措施有效降低了压控振荡器的相位噪声.设计的压控振荡器采用普通环氧板材,表面贴装工艺,国际标准封装,成本低、人工调试量小,适合规...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 设计了一款工作在C波段(4.2 GHz)的CMOS射频前端电路,电路包括低噪声放大器和Gilbert型有源双平衡混频器.其中低噪声放大器采用共源和共栅放大器方式,实现了单端输入到差分输出的变...
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24. X波段介质振荡器的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要： 研究了一种具有较宽机械调频范围和较低相位噪声的x波段介质振荡器设计方法.利用介质谐振器法对三种型号的介质谐振器(DR)材料进行了精确的测试,得到了其介电常数εr和损耗角正切值tanδ以及DR...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要：
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26. 产业新闻刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要：
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27. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2009年2期页码:摘要：
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
半导体技术统计分析
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