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半导体技术2017年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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91. 银键合丝力学性能对键合质量的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 通过调节微合金元素的含量获得3种具有不同力学性能的银键合丝.利用拉伸试验、键合试验、焊线挑断力、焊球推力测试等手段,研究了银键合丝力学性能对键合质量的影响.结果表明,在延伸率相同的条件下,随...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 有机-无机杂化钙钛矿薄膜作为太阳电池的光吸收层,其薄膜的形貌、结构以及结晶程度等因素对电池的光电转换效率起到了决定性的作用,而薄膜的质量主要取决于制备工艺.采用一步溶液法制备了有机-无机杂化...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 论述分析了国内外晶体硅太阳电池回收技术现状,研究了太阳电池的结构及制备工艺,提出了废弃多晶硅太阳电池回收高纯硅片的工艺.依次去除铝背场/铝硅合金层/背银、氮化硅减反膜/正银、磷扩散层及金属杂...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： Si衬底与GaN之间较大的晶格失配和热失配引起的张应力使GaN外延层极易产生裂纹,如何补偿GaN所受到的张应力是进行Si基GaN外延生长面临的首要问题.采用金属有机化合物化学气相沉积(MOC...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年8期页码:摘要： 提出了一种基于硅通孔(TSV)和激光刻蚀辅助互连的改进型CMOS图像传感器(CIS)圆片级封装方法.对CIS芯片电极背部引出的关键工艺,如锥形TSV形成、TSV绝缘隔离、重布线(RDL)等进...
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96. 光源掩模协同优化的原理与应用刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 当半导体技术节点缩小至14 nm及以下时,光刻技术也逐渐接近了其物理极限.光源掩模协同优化(SMO)作为一种新型的分辨率增强技术,能够显著提升极限尺寸下半导体光刻的重叠工艺窗口,有效延伸当前...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 基于128 kbit AlOx/WOx双层结构阻变存储器(RRAM)芯片,提出并验证了还原时间对RRAM开关速度的调制作用,同时设计了一种固定电压幅值逐步增大脉宽的算法用于RRAM阵列中速度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 峰值电流模式升压型直流-直流转换器在连续导通模式下,当占空比大于50%时会出现闭环不稳,产生次谐波振荡等现象,需进行斜坡补偿.讨论了斜坡补偿的意义,并设计了一种结构简单的电流检测和斜坡补偿电...
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99. 高性能栅压自举开关的设计刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路.该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性...
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100. 逆导型沟槽FS IGBT的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 逆导型沟槽场终止绝缘栅双极型晶体管(RC Trench FS IGBT)是一种新型的功率半导体器件,具有成本低、体积小、可靠性高等优点.设计并实现了一款1200V逆导型沟槽FS IGBT.重...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 高质量AlN薄膜对制造高性能深紫外器件非常重要,但是目前还很难使用大型工业MOCVD生长出高质量的AlN薄膜.采用磁控溅射制备了不同厚度的用作成核层的AlN薄膜,使用大型工业MOCVD直接在...
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102. 一种新型SiC SBD的高温反向恢复特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 与传统硅基功率二极管相比,碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)可提高开关频率并大幅减小开关损耗,同时有更高的耐压范围.设计并制作了具有场限环结终端和Ti肖特基接触的1.2 kV/30 A...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 功率损耗一直是功率半导体器件应用时备受关注的问题.压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件靠外部压力使内部各个组件保持电气和机械连接,因此压力直接或间接地影响着压接型IGBT器件的功率损耗....
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104. 大面积规则排布的AlN纳米柱阵列制备刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法在2英寸(1英寸=2.54 cm)c面蓝宝石衬底上异质外延厚度1μm、具有原子级平整表面的高质量氮化铝(AlN)外延层.并在此高质量AlN薄膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 以Ti/Al/Ni/Au作为欧姆接触金属体系,通过电感耦合等离子体(ICP)刻蚀的预处理,在氢化物气相外延法生长的单晶氮化镓(GaN)材料的N面实现了良好的欧姆接触,其比接触电阻率为3.7×...
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106. 溅射AlN技术对GaN基LED性能的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 研究了在图形蓝宝石衬底(PSS)上利用磁控溅射制备AlN薄膜的相关技术,随后通过采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在相关AlN薄膜上生了长GaN基LED.通过一系列对比实验,分析了AlN...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 陶瓷材料具有优良的综合特性,被广泛应用于高可靠微电子封装.陶瓷倒装焊封装的特殊结构使得对其进行失效分析相较其他传统封装形式更为困难.针对一款在可靠性试验中发生开路的高密度陶瓷倒装焊封装器件,...
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108. 28 nm低功耗工艺SRAM失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年9期页码:摘要： 在28 nm低功耗工艺平台开发过程中,对1.26 V测试条件下出现的SRAM双比特失效问题进行了电性能失效模式分析及物性平面和物性断面分析.指出失效比特右侧位线接触孔底部空洞为SRAM制程上...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 设计了一种带片内变压器、适用于0.05～2.5 GHz频段的宽带低噪声放大器(LNA).电路设计采用了并行的共栅共源放大结构,将从天线接收到的单端输入信号转换为一对差分信号输出给后级链路.针...
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110. 负电荷泵LED驱动芯片的设计与实现刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 设计了一种负电荷泵低压差电流源白光LED驱动芯片.基于负电荷泵原理,消除了传统正电荷泵结构中电流调整晶体管和地焊盘的寄生电阻,电流调节模块中电流源的压降可以达到80 mV的超低压状态,降低了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 研究了低温(LT) GaN和AlN不同插入层对抑制Mg掺杂p-GaN金属有机化学气相沉积外延中存在的记忆效应的影响,外延生长p-GaN缓冲层,制作具有该缓冲层的AlGaN/GaN高电子迁移率...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 压接型绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件因具有双面散热、短路失效和易于串联等优点,正逐步应用到柔性直流输电等领域.但其在工作过程中的热学、力学特性与传统焊接式IGBT模块相比有很大差异,故存...
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113. SiC电力电子器件研究现状及新进展刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向.综述了SiC材料、SiC电力...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能.为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC (0001)外延片分别在1 200,1 250,1 350,...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 在Si和SiO2基底上,采用热原子层沉积技术,以四(二甲基氨基)钛(Ti(N (CH3)2)4)和三甲基铝(Al (CH3)3)为前驱体,制备TiAlCN薄膜.测试结果表明,随着基底温度的升...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备了GaN基LED外延层,采用磁控溅射法制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,ITO薄膜用于制作与p-GaN的欧姆接触.研究了快速热退火温度...
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117. 硒化镉晶片的化学机械抛光刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 硒化镉(CdSe)的表面加工质量对CdSe基器件的性能至关重要.化学机械抛光(CMP)是一种获得高质量晶体加工表面的常用方法.为改善CdSe晶片的表面加工质量,以SiO2水溶胶配制抛光液,研...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义.采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒二极管(SBD).通过测量SBD在不同温度下的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,...
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119. 一种CMOS驱动器的晶圆级芯片尺寸封装刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 采用晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)工艺完成了一款小型化CMOS驱动器芯片的封装.此WLCSP驱动器由两层聚酰亚胺(PI)层、重分配布线层、下金属层和金属凸点等部分构成.完成了WLCSP驱动...
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120. 多模计数器静电放电损伤的失效分析刊名： 半导体技术发表期刊： 2017年10期页码:摘要： 静电放电(ESD)损伤会降低半导体器件和集成电路的可靠性并导致其性能退化.针对一款国产2-32型多模计数器的失效现象,通过分析该计数器的电路结构,利用X射线成像、显微红外热成像、光束感生电阻...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
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