选区外延生长半极性GaN材料上的肖特基接触特性

• 作者: 张佰君 杨杭 潘郑州 邢洁莹 钟昌明 陈杰 韩小标 黄溥曼
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 半极性 电流传输机制 光致发光 肖特基接触
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 半导体材料
• 页码范围: 774-778
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.10.010

摘要

半极性GaN材料的研究在光电器件和电子器件领域有重要意义.采用选区外延生长技术在Si衬底上生长半极性GaN材料,并制备肖特基势垒二极管(SBD).通过测量SBD在不同温度下的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,观察到电流的大小随着温度的增加而增加,且受反向偏压影响,证明半极性GaN基SBD的电流传输机制为热电子场发射模型.光致发光光谱和X射线光电子能谱测试进一步表明,相比极性c面GaN材料,半极性GaN材料表面存在较高的氧杂质原子浓度和氮空位,此为半极性GaN肖特基特性偏离热电子发射模型的主要因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈杰	中山大学电子与信息工程学院	118	529	11.0	17.0
2	黄溥曼	中山大学电子与信息工程学院	1	0	0.0	0.0
3	韩小标	中山大学电子与信息工程学院	1	0	0.0	0.0
4	钟昌明	中山大学电子与信息工程学院	1	0	0.0	0.0
5	潘郑州	中山大学电子与信息工程学院	2	1	1.0	1.0
6	邢洁莹	中山大学电子与信息工程学院	2	1	1.0	1.0
7	杨杭	中山大学电子与信息工程学院	1	0	0.0	0.0