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半导体技术2019年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
38
半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 研究了Cu/SiO2逐层沉积增强的无杂质空位诱导InGaAsP/InGaAsP多量子阱混杂(QWI)行为.在多量子阱(MQW)外延片表面,采用等离子体增强的化学气相沉积(PECVD)不同厚度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 随着工艺节点减小,对高深宽比接触孔形貌和关键尺寸的精准控制变得愈加困难.基于40 nm逻辑器件量产数据,研究了高深宽比接触孔刻蚀工艺参数和刻蚀设备内部耗材的磨损对器件电性能稳定性的影响,并提...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 研究并分析了半导体激光密集谱合束技术中体布拉格光栅(VBG)的热效应问题.为了提高半导体激光器的输出功率及其电光转换效率,利用COMSOL软件模拟了半导体激光器中VBG在自由传导散热和水循环...
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34. 层压封装平面LED光源的耐候实验刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 研究了层压封装的平面LED光源在高温高温与水下环境的可靠性.平面LED光源采用标准层压工艺封装,对封装后的LED模组进行高温高湿耐候试验与水下环境试验,并与未封装的LED模组进行对比实验.实...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 提出一种基于机器视觉的陶瓷方形扁平封装外观缺陷检测方法.对于封装外形尺寸较大而缺陷较细微的情形,将待检片分为多个区域与标准样片进行比对检测.首先通过Foerstner特征点检测法提取标准片图...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 针对负偏置温度不稳定性引起的组合逻辑电路老化,提出了一款消除浮空点并自锁存的老化预测传感器.该传感器不仅可以预测组合逻辑电路老化,而且能够通过传感器内部的反馈来锁存检测结果,同时解决稳定性校...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 随着高压大功率IGBT器件容量的进一步提升,对考核其可靠性的功率循环测试装备在测量精度、测试效率和长期运行可靠性等方面提出了挑战.针对柔性直流输电系统用高压大功率IGBT器件的测试需求,基于...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 研制了一套用于片上皮法级电容测试系统的电容标准件,量值低至1 pF,频率达到1 MHz.该电容标准件采用GaAs衬底,金属-绝缘层-金属(MIM)结构的电容器阵列实现,其标称值分别为1,10...
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39. 《半导体技术》稿约刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年3期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 作为一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,AlN不仅具有超宽直接带隙(6.2 eV)、高热导率、高电阻率、高击穿场强、优异的压电性能和良好的光学性能,而且AlN晶体还与其他Ⅲ-N材料具有非常接近的晶...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 针对微电容超声换能器(CMUT)微弱电流信号检测的要求,设计了一种用于CMUT的前端专用集成电路——运算放大器(OPA)电路.运算放大器电路采用两级放大结构,第一级采用全差分折叠-共源共栅结...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 寄生电感是影响功率管开关特性的重要因素之一,开关频率越高,寄生电感对低压增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的开关行为影响越深,使其无法发挥高速开关的性能优势.通过建立数学模型...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al2O3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT).采用高温热氧化栅极...
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44. MPS二极管的少子特性仿真刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性.对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析.仿真结果表明,MP...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 门极可关断(GTO)晶闸管是应用在脉冲功率领域中的一种重要的功率器件.目前,由于常规SiC GTO晶闸管的阴极注入效率较低,限制了器件性能的提高.提出了一种带有注入增强缓冲层的碳化硅门极可关...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 将空气隙应用于逻辑器件后段金属互连线中可以有效降低互连线间的寄生电容,提升电路信号传输速度,但制备过程仍具有一定的困难.基于三维闪存(3D NAND)中后段(BEOL)W的自对准双重图形化(...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 基于凹槽栅增强型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)研究了不同的栅槽刻蚀工艺对GaN器件性能的影响.在栅槽刻蚀方面,采用了一种感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术与高温热氧化湿法刻...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 采用水热法以Cu片为基底,Cu (NO3)2为铜源,十二烷基苯磺酸钠(SDBS)为添加剂,通过调节Ag+浓度,制备不同Ag掺杂Cu2O (Ag/Cu2O)薄膜.研究了样品的光电性能及电容-电...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 研究了Si缓冲层对选区外延Si基Ge薄膜的晶体质量的影响.利用超高真空化学气相沉积系统,结合低温Ge缓冲层和选区外延技术,通过插入Si缓冲层,在Si/SiO2图形衬底上选择性外延生长Ge薄膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 负偏压温度不稳定性(NBTI)退化是制约纳米级集成电路性能及寿命的主导因素之一,基于40 nm CMOS工艺对NBTI模型、模型提参及可靠性仿真展开研究.首先对不同应力条件下PMOS晶体管N...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 超大规模集成电路后道工艺(BEOL)中的失效日益增多,例如多层金属化布线桥连、划伤,栅氧化层的静电放电(ESD)损伤、裂纹等失效模式,由于失效点本身尺寸小加上电路规模大,使得失效分析难度增加...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要： 封装腔体内部的可动粒子会引起半导体器件和电路的短路或间歇性功能失效,从而对其使用可靠性产生影响.粒子碰撞噪声检测(PIND)试验可有效剔除腔体内部含有可动粒子的器件,从而被纳入多项标准中作为...
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53. 信息动态刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年4期页码:摘要：
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 采用金刚石衬底可显著提升GaN微波功率器件的散热能力, 从而制作尺寸更小、功率更高的金刚石基GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 器件.介绍了金刚石基GaN HEMT技术优势.综述了金刚石...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 盖革模式 (GM) 雪崩光电二极管 (APD) 探测器具有单光子级探测灵敏度, 可广泛用于三维成像和测量测绘等领域.针对InGaAs基GM-APD, 提出一种用于自由模式探测的主动淬灭电路....
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 提出了一种分辨率、电源电压等性能指标可配置的逐次逼近寄存器型 (SAR) 模数转换器 (ADC) 的设计思想和实现方式.分析了SAR ADC的采样速率、精度、功耗和能量效率等主要性能指标之间...
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57. SiC MOSFET的短路特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 以SiC MOSFET为代表的功率器件的驱动及保护技术长期被国外垄断, 国内对SiC MOSFET的驱动保护技术研究较少.SiC MOSFET栅极氧化层薄、短路耐量小, 由于高频开关特性, ...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 利用喷墨打印技术制备了非晶铟镓锌氧化物(IGZO) 薄膜、铟氧化物(In2O3) 薄膜和性能明显改善的双层In2O3 /IGZO 异质结沟道薄膜,研究了薄膜的物理与电学特性.结果表明,喷墨打...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 采用二维有限元法(FEM) 模拟了激射波长为1 550 nm 的InGaAsP /InGaAsP 多量子阱(MQW) 双沟道脊波导(DCRW) 激光器的热分布,系统研究了钝化层材料、沟道宽度...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 研究了Statz模型对于表征射频 (RF) 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 器件特性的适用情况, 并提出了一个MOSFET非线性电容改进模型.对英飞凌公司生产的规格为4×0....
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
半导体技术评价信息
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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