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半导体技术2020年出版文献
出版文献量（篇）
5044
总下载数（次）
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半导体技术
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《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。
《半导体技术》是中文核心...
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主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
中国科技论文统计用刊
中文核心期刊
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
出版文献量（篇）
5044
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 设计并实现了一款超宽带高速模数转换器(ADC)芯片.该ADC采用时间交织的架构,提高了数据转换的速率;改进了前端接收电路,增加了信号的模拟输入带宽;使用优化的自举开关电路以增加信号采样率;并...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款高性能X波段四路开关滤波器微波单片集成电路(MMIC)芯片.芯片内集成了输入和输出单刀四掷(SP4T)开关、驱...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 蓝光LED的光效衰减可以使器件在高电流密度下的发光效率急剧降低.研究了GaN材料中不同位错类型对蓝光LED光效衰减效应的影响.通过控制物理气相沉积AlN缓冲层厚度及GaN缓冲层的有无,得到了...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法.该方法仅依赖于S参数测试数据,采用精确的闭式方程式直接提取电路元件参数.该方法简单、易于实施....
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95. 双栅负电容隧穿场效应晶体管的仿真刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov (LK)模型的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 制备大直径单晶是降低器件成本的重要手段之一.对于制备大尺寸半绝缘InP单晶而言,由于其需要在高温高压环境下生长,随着热场尺寸的增大,炉体中气氛以及熔体中的对流增大,因而易产生孪晶和多晶.采用...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 采用金属有机气相外延(MOVPE)方法在6英寸(1英寸=2.54 cm)SiC衬底上生长了GaN HEMT材料.使用高分辨X射线衍射仪、原子力显微镜和微区拉曼光谱仪等对材料的表面形貌、晶体质...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 利用三路脉冲金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了非极性a面AlGaN外延层.使用高分辨率X射线衍射系统、扫描电子显微镜、原子力显微镜、光致发光测试系统对...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 采用电子束蒸镀在重掺杂Si衬底上制备了150 nm厚的Ta2O5薄膜,研究原位生长温度(150,250和350 ℃)和后退火工艺对Ta2O5薄膜性能的影响.X射线衍射测试结果表明,当衬底原位...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 研究了单面抛光中有蜡贴片工艺对抛光后4英寸(1英寸=2.54 cm)SiC晶片总厚度变化(TTV)和翘曲度的影响.分别选择固体蜡和液体蜡进行贴片实验,采用平面度测量仪检测加工前后晶片的TTV...
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101. 高可靠抗辐射CMOS复合栅工艺刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 针对CMOS器件栅氧化层的早期失效问题,研究了化学气相沉积(CVD)氧化层/热氧化层的双层复合栅结构.对高温氧化(HTO)层、等离子体增强正硅酸乙酯(PETEOS)和低压正硅酸乙酯(LPTE...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年8期页码:摘要： 采用熔融氢氧化钠对生长在蓝宝石衬底上的InxGa1-xN外延层进行化学腐蚀,通过深紫外光致发光光谱仪测量InxGa1-xN的激发光谱来控制其腐蚀过程,用硫酸和氨水对腐蚀InxGa1-xN后得...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)具有高工作电压、大功率密度、高截止频率等特点,被广泛应用于微波射频领域.然而GaN材料内部的结构缺陷降低了GaN HEMT的可靠性,因此研究器件...
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104. 一种增益与共模电压可编程的输出缓冲级电路刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 针对输出级电路增益和输出共模电压灵活可变的需求,提出了一种新型增益与共模电压可编程的输出缓冲级电路.电路由可编程增益放大器(PGA)和采用自适应电流源与新型可编程电阻阵列的输出电压可编程(P...
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105. 一款S波段双通道FBAR滤波器刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 研制了一款S波段双通道薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器,其两个通带频率分别为(2 000±45)MHz和(2 800±45)MHz,在两个通道的输入、输出端分别加入匹配电路.FBAR滤波器...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 通过在氧化铟锡(ITO)薄膜上蒸镀金属Al,获得ITO/Al复合透明导电薄膜,研究了不同退火条件下不同Al金属层厚度的复合透明导电薄膜的方块电阻和在紫外波段的透过率.结果 表明,在ITO薄膜...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 设计了一种具有分组缓变间距场限环(MGM-FLR)结终端结构的SiC功率MOSFET,并基于国内现有的SiC电力电子器件工艺平台进行了流片,完成了1 700 V/10 A SiC功率MOSF...
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108. 基于体硅MEMS工艺的基片集成波导双工器刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 基于体硅微电子机械系统(MEMS)工艺,采用多层基片集成波导(SIW)谐振腔的垂直堆叠耦合结构研制了一款工作在K/Ka波段的SIW双工器.实测结果表明:在K波段的接收通带内,该双工器插入损耗...
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109. 16线集成窄脉冲半导体激光器模块的研制刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 为提高激光雷达系统的探测距离和空间探测精度,并减少其体积及成本,研制了一款16线集成窄脉冲半导体激光器模块,该模块主要包括高密度排列的激光器芯片、集成驱动电路及光电混合集成封装结构.采用三层...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 采用分子束外延(MBE)方法制备了高质量的高Al组分AlGaN薄膜,在室温下获得了266 nm波长的深紫外发光.利用原位监控系统,结合原子力显微镜(AFM)和变温光致发光(PL)谱研究了生长...
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111. 高纯InP多晶的合成技术刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 采用原位磷注入法合成了不同化学配比的磷化铟(InP)多晶.分析了熔体温度、磷泡压力和环境压力对合成速率的影响;对不同化学配比的多晶样品进行霍尔测试和辉光放电质谱(GDMS)测试,分析了影响I...
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112. 少层二硫化钼薄膜的制备及其光谱特性刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 二硫化钼(MoS2)具有与石墨烯类似的层状结构和优异的电学、光学特性,在光电器件和能量存储等领域具有广阔的应用前景.以MoS2靶材和硫粉作为原料,采用磁控溅射结合硫化法制备出少层MoS2薄膜...
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113. 一种新型的硅片研磨后清洗液刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 基于硅片研磨后清洗工艺的方法和原理,通过分析硅片在加工过程中污染物的种类和硅片表面的吸附性质,配制出由氢氧化钾、烷基苯磺酸盐、聚氧乙烯烷基醚为原材料构成的清洗剂.分析了清洗剂原材料溶于水后的...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 与传统的硅基器件相比,碳化硅绝缘栅双极型晶体管(SiC IGBT)具有更小的导通电阻、更高的耐受电压以及更快的开关速度.由于这些优异的特性,SiC IGBT在电力行业有较大的市场需求.基于一...
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115. 手机结构设计因子对产品级跌落可靠性的影响刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年9期页码:摘要： 设计了一款手机三维结构并建立了手机的有限元模型,通过有限元仿真研究了产品级跌落条件下底填料、螺钉间距、屏蔽框、芯片与前壳间隙等手机结构设计因子对板载芯片级封装(CSP)组装可靠性的影响.仿真...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 二维层状MoS2薄膜具有超高的光响应度、高导电特性、良好的光学透明度以及优异的机械性能,是制造多功能和高性能光电探测器、传感器等最理想的半导体材料之一.在不同衬底上制备的MoS2薄膜性质有所...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 基于GaAs肖特基二极管,研制了1×4多像素220 GHz线阵列被动接收前端,接收前端的每个接收通道包含一个W波段三倍频器和一个220 GHz分谐波混频器.三倍频器使用两个以串联结构集成4个...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 针对Ka波段单片收发(T/R)集成电路对发射大功率和高隔离度的需求,分析了传统单刀双掷(SPDT)开关中并联、串联晶体管尺寸对插入损耗、隔离度和线性度的影响,设计了一款非对称的毫米波单刀双掷...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 通过氧等离子体处理工艺,在AlGaN/GaN异质结构上制备了肖特基二极管.基于正向电流-电压特性和双二极管模型,对AlGaN/GaN异质结构的肖特基势垒高度和理想因子进行了计算和分析.采用氧...
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刊名： 半导体技术发表期刊： 2020年10期页码:摘要： 采用磁控溅射法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃衬底上制备InN薄膜,研究了氮气体积分数对InN薄膜晶体结构、表面形貌和光电特性的影响.X射线衍射测试结果表明,所制备的InN薄膜均为六方纤锌矿结构...
半导体技术基本信息
| 刊名 | 半导体技术 | 主编 | 赵小宁 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 主管单位 | 中华人民共和国工业和信息化部 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1003-353X | CN | 13-1109/TN |
| 邮编 | 050002 | 电子邮箱 | bdtj1339@163.com |
| 电话 | 0311-87091339 | 网址 | |
| 地址 | 石家庄179信箱46分箱 |
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期刊荣誉
| 1. | 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03） |
| 2. | 中国科技论文统计用刊 |
| 3. | 中文核心期刊 |
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