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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 1. Design and Characteristics of InGaAs/GaAs MQW SEED Arrays Structure
    作者： 吴荣汉 唐君 杜云 梁琨 潘钟 王启明 邓晖 陈弘达 马晓宇 黄永箴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  113-116
    摘要： 讨论了谐振腔中的DBR对InGaAs／GaAs多量子阱SEED面阵光反射特性的影响．采用InGaAs／GaAs作为多量子阱SEED器件的有源区，从而获得了980nm工作波长．设计和分析了In...
  • 2. Comparison of Mode Quality Factors for Equilateral Triangular,Square and Rhombus Optical Micro-Resonators
    作者： 国伟华 黄永箴
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  117-120
    摘要： 采用时域有限差分和Padé近似计算了等边三角形、正方形和平行四边形微谐振腔的模式频率和品质因子．数值结果表明等边三角形谐振腔中的谐振模式具有较高的品质因子，这主要是由于等边三角形谐振腔中的模...
  • 3. GeSi Source/Drain Structure for Suppression of Short Channel Effect in SOI p-MOSFET's
    作者： 卜伟海 王阳元 黄如
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  121-125
    摘要： 提出在SOI p-MOSFET中采用GeSi源／漏结构，以抑制短沟道效应．研究了在源、漏或源与漏同时采用GeSi材料对阈值电压漂移、漏致势垒降低(DIBL)效应的影响，并讨论了Ge含量及硅膜...
  • 4. GSMBE-Grown InGaAs/InGaAsP Strained Quantum Well Lasers at 1.84 Micron Wavelength
    作者： 张云妹 方祖捷 李爱珍 柏劲松 陈建新 陈高庭
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  126-129
    摘要： 报道了GSMBE方法生长波长1.84μm的InGaAs/InGaAsP/InP应变量子阱激光器．40μm条宽、800μm腔长的平面电极条形结构器件，室温下以脉冲方式激射，20℃下阈值电流密度...
  • 5. Ridge Waveguide Electro-Optic Polymer Modulator with a New Kind of Corona Poled Crosslinkable Polyurethane
    作者： 吴荣汉 杜云 杨晓红 殷爱民 石志文
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  130-133
    摘要： 制备了一种全部以聚合物为波导材料的电光调制器，其中芯层为新型可交联极化聚胺脂电光功能材料．旋涂制备波导薄膜、电晕极化产生非线性、光刻和氧反应离子刻蚀完成脊波导为主要的工艺步骤。1.3μm光源...
  • 6. High Performance 70nm CMOS Devices
    作者： 刘明 季红浩 徐秋霞 朱亚江 殷华湘 贾林 钱鹤 陈宝钦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  134-137
    摘要： 首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件．为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力，采用了一些新的关键工艺技术，包括3nm的氮化栅氧化介质，多晶硅双栅电极，采用重...
  • 7. 直接键合硅片界面键合能的理论分析
    作者： 余金中 王启明 韩伟华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  140-144
    摘要： 直接键合硅片界面的键合能依赖于界面成键的密度，是退火温度和时间的函数，界面反应激活能决定着成键的行为．硅片键合能随退火温度分两步增加，这种现象被归因于界面反应存在两种不同的激活能．将硅本征氧...
  • 8. 分子束外延生长Al掺杂n型ZnS1-x Tex的类DX中心
    作者： I.K.Sou J.WANG K.K.Mak Weikun Ge Z.H.Ma 卢励吾 张砚华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  145-150
    摘要： 应用光致发光(PL)、电容-电压(C-V)、深能级瞬态谱(DLTS)和光电导(PC)技术系统研究Al掺杂ZnS1-xTex中与Al有关的类DX中心．实验结果表明，ZnS1-xTex中存在与Ⅲ...
  • 9. 聚焦离子束刻蚀性能的研究
    作者： 唐雷钧 宗祥福 江素华 王家楫 谢进
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  151-155
    摘要： 对聚焦离子束（FIB）的基本刻蚀性能进行了实验和研究．通过扫描电镜对FIB刻蚀坑的观测，给出了在不同材料上（硅、铝和二氧化硅）FIB的刻蚀速率及刻蚀坑的形貌同离子束流大小的关系．由于不同材料...
  • 10. 薄栅氧化层相关击穿电荷
    作者： 刘红侠 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  156-160
    摘要： 栅氧化层厚度的减薄要求深入研究薄栅介质的击穿和退化之间的关系.利用衬底热空穴注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和空穴量，对相关击穿电荷进行了测试和研究.结果表明薄栅氧化层击穿的限制因...
  • 11. 在SiO2中掺Al对Au/纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si 结构电致发光的影响
    作者： 乔永萍 宗婉华 张伯蕊 王孙涛 秦国刚 陈源 马振昌
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  161-165
    摘要： 利用射频磁控溅射方法，制成纳米SiO2层厚度一定而纳米Si层厚度不同的纳米(SiO2/Si/SiO2)/p-Si结构和纳米(SiO2∶Al/Si/SiO2∶Al)/p-Si结构，用磁控溅射制...
  • 12. MOCVD生长的InGaN合金的性质
    作者： 卢励吾 王占国 闫华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  166-170
    摘要： 对使用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长的典型InGaN样品进行了光致发光(PL)、霍耳(Hall)及扫描电镜(SEM)测量．结果表明:适当的生长温度(750℃)提高了样品中In的含量和PL强...
  • 13. ZnTe∶Cu薄膜的制备及其性能
    作者： 冯良桓 张静全 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 黎兵
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  171-176
    摘要： 用共蒸发法在室温下沉积了ZnTe∶Cu多晶薄膜.刚沉积的不掺Cu的薄膜呈立方相，适度掺Cu时为立方相和六方相的混合相.随着Cu含量的增加，六方相增加，光能隙减小.根据暗电导温度关系，结合XR...
  • 14. Cd1-xZnxTe晶片中Zn组分的室温 显微光致发光平面扫描表征
    作者： 何力 李志锋 杨建荣 沈学础 蔡炜颖 陆卫 黄根生
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  177-181
    摘要： 用显微光致发光（μ-PL）平面扫描的方法对CdZnTe(CZT)晶片进行了研究．分别在19μm×16μm的缺陷区域进行微米尺度和7.9mm×6.0mm的大面积范围内进行毫米尺度的逐点PL测量...
  • 15. 利用高频Plasma CVD在蓝宝石衬底上生长 立方GaN缓冲层及其光学性质
    作者： 修向前 岛袋淳一 池上隆兴 汤洪高 王大志 野崎真次
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  182-186
    摘要： 研究了采用高频PlasmaCVD技术在较低温度下(300—400℃)生长以GaN为基的Ⅲ-Ⅴ族氮化物的可行性，在蓝宝石衬底上生长了GaN缓冲层.热处理后的光致发光谱和X光衍射表明，生长的Ga...
  • 16. 溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响
    作者： 侯立松 干福熹 李晶 谢泉 阮昊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  187-192
    摘要： 研究了溅射参数对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数随波长变化关系的影响，结果表明：(1)当溅射功率一定时，随溅射氩气气压的增加Ge2Sb2Te5薄膜的折射率先增大后减小，而消光系数先减小后增大...
  • 17. 电化学沉积非晶NiOxHy膜的电致 变色特性及其机理
    作者： 冯博学 甘润今 蒋生蕊 蔡兴民 谢亮
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  193-197
    摘要： 研究了用电化学方法在SnO2基底上沉积的NiOxHy膜电致变色特性，该膜是一种富氧结构，具有优良的变色特性，其透射式光密度ΔOD在可见光区可达1以上．NiOxHy膜在KOH电解液中的电致变色...
  • 18. 真空蒸镀双层有机电致发光器件及其稳定性
    作者： 叶丽娜 杨志伟 杨田林 解士杰 赵俊卿 韩圣浩
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  198-202
    摘要： 以8-羟基喹啉铝（Alq3）为发光层，成功地制备成ITO（铟锡氧化物）/TPD（2-甲基-4-苯基联苯二胺）/Alq3/Al结构的双层有机发光器件．与ITO/Alq3/Al结构器件相比，其亮...
  • 19. Au/PZT/BIT/p-Si结构铁电 存储二极管I-V 特性
    作者： 于军 周文利 王华 王耘波 董晓敏 赵建洪 郑远开
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  203-207
    摘要： 采用脉冲激光沉积方法（PLD）制备了Au/PZT/BIT/p-Si多层结构铁电存储二极管.对铁电存储二极管的P-E电滞回线、I-V特性曲线分别进行了测试与分析，并对其导电行为及基于I-V特性...
  • 20. 一种新的求解ULSI双介质互连电容的模拟电荷法
    作者： 刘勇 宋任儒 朱兆旻 肖夏 阮刚
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  208-213
    摘要： 论述了一种模拟电荷法与镜像格林函数法相结合，对模拟电荷用DFP法进行最优设置的提取双介质ULSI互连电容参数的基本算法，并与其它互连电容模拟软件模拟的结果进行了比较，相对偏差小于10%，表明...
  • 21. 一类时序逻辑电路的逻辑参数提取 激励波形自动生成
    作者： 贺祥庆 陈水珑
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  214-219
    摘要： 提出了对具有反馈信息的时序逻辑电路进行逻辑参数提取时用于SPICE模拟的激励波形自动生成方法，该方法能根据用户指定的要提取的时延参数要求，很快产生这种时序逻辑电路的模拟激励波形，从而可以加快...
  • 22. 风冷热电空调器的研制
    作者： 冯倩莹 张华俊 董晓俊 邹挺 陶文铨
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  220-223
    摘要： 建立了风冷热电空调器数值模拟模型，对空调器进行了模拟计算.在对风冷热电空调器研制的基础上，进行了最佳隔热层厚度、不同结构形式、变工况、变风量和复现性实验，验证了仿真程序的可靠性，并应用模拟程...
  • 23. 蓝光聚合物单层薄膜发光器件的退化机理
    作者： 朱长纯 闫金良
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  224-227
    摘要： 聚合物电致发光器件以其独有的优点在显示方面显现了光明的前景.聚合物电致发光器件的稳定性是器件实用化过程中所面临的一个重要的技术难题.合成了单层薄膜电致发光器件ITO/P10/A1.研究了聚合...
  • 24. 利用FN电流估计薄栅MOS结构栅氧化层的 势垒转变区的宽度
    作者： 毛凌锋 许铭真 谭长华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  228-233
    摘要： 通过数值求解整个势垒的薛定谔方程，发现FN电流公式中的B因子强烈依赖势垒的转变区的宽度，而C因子则弱依赖于势垒的转变区的宽度．给出了一种利用WKB近似所得的处理电子隧穿存在转变区势垒的过程，...
  • 25. 槽栅NMOSFET结构与性能仿真
    作者： 任红霞 许冬岗 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  234-240
    摘要： 基于流体动力学能量输运模型，利用二维器件模拟器MEDICI对深亚微米槽栅NMOSFET器件的结构参数，如结深、凹槽拐角及沟道长度等对器件性能的影响进行了仿真研究，并与相应的常规平面器件特性进...
  • 26. 带有发射极边减薄结构的异质结双极 晶体管直流电流增益的计算
    作者： 刘晓伟 吴德馨 张荣
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  241-246
    摘要： 为了计算带有发射极边减薄结构的异质结双极晶体管（EET-HBT：Emitter Edge Thinning-HeterojunctionBipolar Transistor）的电流增益，提出...
  • 27. 高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管
    作者： 严北平 张鹤鸣 戴显英
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  247-250
    摘要： 利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准，采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管，器件直流电流增益大于20，电流增益截...
  • 28. 第六届固态和集成电路技术国际会议(ICSICT—2001)征文通告
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年2期
    页码:  251-252
    摘要：

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

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