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半导体学报(英文版)2001年第4期出版文献
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时，常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势．介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的与GaAs衬底匹配（AlxGa1－x）0.51In0.49P外延材料的折射率．实验中测量的反射谱波长范围为0.5—2.5μm．在拟合实...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出了TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型．根据二维泊松方程的求解，得到了表面电场和电势分布的相关解析表达式．在此基础上，推出了为获得最大击穿电压的优化条件。...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型（简称RCE）光电探测器进行了物理分析和实验研究，由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同，通过腐蚀VCSEL器件顶部DB...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 通过对栅电流和栅电压漂移的测量，证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布．不同厚度的栅氧化层产生SILC的机制不尽相同，薄栅以陷阱辅助隧穿为主，类Pool-Frankel机制在厚二...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 采用乙醇溶液中水解醋酸盐的方法合成了一种稀土掺杂的半导体纳米材料——掺铽的ZnO纳米晶，并对其结构与发光性质进行了研究，结果表明掺铽的ZnO纳米晶为六方纤锌矿结构，纳米颗粒表面有醋酸根络合物...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 研究了不同组成PVK和P6共混材料薄膜的光吸收特性和光致发光特性．用不同比例PVK∶P6共混材料为发光层和Alq3为电子传输层合成双层结构的蓝光器件，测量器件的电致发光谱、电流-电压特性和亮...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si（111）-（3×3）R30°-Ga重构表面的原子结构．证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上，同时给出了表面最顶层7个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 研究了热处理对非掺杂n型氮化镓外延层光致发光谱的影响和光谱中各发光带强度与温度之间的关系．热处理后，光谱中的带边峰和黄光峰的强度较热处理前都有明显降低．黄光峰强度随温度升高的衰减速度要比带边...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 利用射频辉光放电法，通过周期性交替切换两种耦合电极的方式，制备了μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜．低角度X射线衍射(LAXRD)测试表明，这种多层膜具有良好的周期性结构．观察了上述多层膜的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 根据加压改进布里奇曼法，采用“二次配料”工艺成功地生长了直径40mm的大直径HgCdTe(组分x≈0.20）晶体．采用加压技术，平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压，有效地避免了石英安瓶的爆裂；采...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 用分子束外延技术(MBE)生长了以GaAs/AlAs超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的P型半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)．此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为850nm．由实验...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 研究了顺次淀积在Si(100)衬底上的Ni/Pt和Pt/Ni的固相硅化反应．研究发现，当1nm Pt作为中间层或覆盖层加入Ni/Si体系中时，延缓了NiSi向NiSi2的转变，相变温度提高．...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 采用一种新的方法计算双极器件中离子注B硅基区和原位掺B的锗硅基区禁带变窄量．在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已知的情况下，应用这种方法只需测量室温和液氮温度下的电学特性就可以获得...
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15. 微波晶体管散射矩阵的数值计算刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出了一种计算半导体器件散射矩阵的方法，该方法采用数值分析技术，把描述有源半导体器件的泊松方程和电流连续性方程与描述输入输出匹配网络的电报方程联立求解，得到了晶体管端点电压和端点电流随时间的...
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16. 微机械热对流加速度计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 介绍了基于流体运动的加速度计的原理和制作．它的原理是自然对流受到加速度信号而产生对流形变，从而产生温度差，由这个温度差感应了加速度、倾斜、位置变化．这种加速度计由一个充有流体的密闭腔体组成，...
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17. CMOS源极跟随缓冲电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出用CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载．HSPICE模拟结果表明，在负载电容为基本栅电容的100倍及6000倍时,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路...
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18. 0.1μm T型栅PHEMT器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件，并对0.1μm栅长PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究．形成了一整套具有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 采用离散谱折射率法对深刻蚀GaAs/GaAlAs多层脊形光波导的特性作了详细的理论分析，并对所获得的较大截面、低损耗的单模脊形光波导的制作容差性作了进一步的分析．计算表明，用离散谱折射率法获...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤．发现在中栅压应力（Vg≈Vd／2）和高栅压应力（Vg≈Vd）条件下，器件损伤表现出单一的幂律规律；而在低栅压应力（Vgs≈Vth）...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出了两种压控振荡器，一种为差分形式，另一种为压控环结构．采用CSMC公司0.6μm标准CMOS工艺进行模拟，后仿真的结果显示，压控环结构的最高频率达到2GHz，在5V电源下的功耗为7.5m...
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22. 模拟器件稳态热场正确性的判断方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 对稳态热场，二个水平剖面A和B所夹的薄层上的温差必须严格等于本文提出的平均值定理的计算值．当芯片、基片和底座的截面大小一样时，可以直接根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平...
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23. 集成MOS力敏运放压力传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 设计并制作出一种新型集成压力传感器——集成MOS力敏运放压力传感器．它将运算放大器中的一对PMOS差分输入管集中设置在N型(100)Si膜片上的最大应力区，并使它们的沟道方向相互垂直，运放中...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 对基于GaAs/AlGaAs系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器，采用Poisson方程和Schrodinger方程，计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性，在此基础上采用热离子发射、热...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 在可商业获得的单晶6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长；并在此6H-SiC结构材料上，利用反应离子刻蚀和接触合金化技术，制作台面pn结二极管．详细测量并分析了器件的电学特性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 作为集成电路的电阻单元，掺硼的多晶硅电阻在千欧级的范围内存在阻值不稳定性，尤其在金属连线下更为严重．分析了不同工艺条件下制作的多晶硅电阻电特性和晶格特性．结果表明，阻值的不稳定性主要由载流子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出一个VLSI多层区域详细布线算法，算法使用模拟进化技术进行拆线重布线，对单个线网则使用改进型多层迷宫算法进行布线。
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28. 用SQP时域优化高速互连线电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出了一个基于特征法传输线网络建模和灵敏度分析的非线性高速互连线电路的时域优化设计方法．考虑到高速互连线电路设计的特性，一般其最优值只是在初值的较小邻域，提出用改进的序列二次规划法SQP优化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 介绍国家自然科学基金2000年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向，并附2000年半导体学科批准资助的面上及重点项目，供有关科学家参考。
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
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| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
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