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半导体学报(英文版)2003年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)和晶体原生粒子(COP)在腐蚀后分别用微分干涉...
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32. 射频磁控溅射ZnO薄膜的光致发光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 用射频磁控溅射法在硅衬底上沉积出具有良好的择优取向的多晶ZnO薄膜.在室温下进行光致发光测量,观察到明显的紫光发射(波长为402nm)和弱的紫外光发射 (波长为384nm).紫光发射源于氧空...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 针对聚合物电致发光材料缺乏可用的电子型聚合物半导体材料的现状,采用无机电子型半导体材料ZnO∶Zn与空穴型聚合物材料PDDOPV[poly (2,5-bis (dodecyloxy)-phe...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 用分子束外延(MBE)设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结,通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节,得到最大调节量为0.2e...
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35. 氧化铝模板法制备Ge纳米线刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 采用氧化铝模板法结合具有高真空背景的低压化学气相沉积技术制备出Ge纳米线.在氧化铝模板的背面喷金作为催化剂,合成了Ge纳米线.采用原子力显微镜、X射线衍射、透射电镜、能量散射谱等手段对Ge纳...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 使用CO2、O2氧源得到了ZnO择优取向薄膜样品,实验证实了小尺寸的交流高压离化器件确实能够为低压金属有机物化学气相沉积(LP-MOCVD)生长ZnO薄膜提供有效的离化氧源支持.运用电晕放电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 用共蒸发法制备了Cd1-xZnxTe多晶薄膜,薄膜结构属立方晶系空间群F43m.通过透射光谱的测量,计算光能隙,得到室温时薄膜的光能隙随组分x值的变化满足二次方关系.作为对异质结界面的修饰,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 为减少自加热效应,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOI新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 提出了一种具有降场电极U形漂移区SOI-LDMOS,借助2D泊松方程对其场分布进行解析分析和数值分析,结果证明该结构在与RESURF结构相同的耐压下,具有器件长度小,漂移区浓度高,导通电阻小...
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40. 带保护环结构的条形X光阵列探测器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 研究了带有保护环结构的条形X光阵列探测器,结果表明,保护环的存在不仅降低了表面漏电,而且抑制了耗尽区的侧向扩展.厚度为300μm的探测器样品,切割后的"死区"长度为150μm;环境温度为18...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 介绍了一个用于高性能的微处理器和DSP处理器的快速64位二进制并行加法器.为了提高速度,改进了加法器结构,该结构大大减少了加法器各级门的延迟时间.基于改进的加法器结构,有效地使用动态复合门、...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 利用双极晶体管的热电耦合模型对微波功率双极晶体管进行了二维直流稳态模拟,并且提出了功率密度非均匀的设计方法.模拟和实验的结果说明,采用微波功率晶体管功率密度非均匀设计可有效提高器件电流密度的...
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43. AlN薄膜室温直接键合技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AlN薄膜,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足直接键合的需要.同时,采用智能剥离技术成...
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44. GaAs微条粒子探测器的辐照特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年2期页码:摘要： 设计了一种能经受高能粒子辐照的GaAs微条粒子探测器.该探测器结构采用金属-半导体-金属结构,其主要几何尺寸是:微条长度为17mm,宽度分别为20、50、100、200、300μm.该探测器...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 由于集成电路制造工艺的不断提高,集成电路的设计规模遵循Moore定律持续向前发展,并出现了系统级芯片(SOC)这一新的集成电路设计概念.同时遇到的困难之一是互连线成为影响电路性能的决定因素:...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 报道了氦离子注入技术在提高980nm半导体激光器灾变性光学损伤(catastrophic optical damage,COD)阈值上的应用.p-GaAs材料经氦离子注入后可以获得高的电阻率...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 利用电荷泵技术研究了4nm pMOSFET的热载流子应力下氧化层陷阱电荷的产生行为.首先,对于不同沟道长度下的热载流子退化,通过直接的实验证据,发现空穴陷阱俘获特性与应力时间呈对数关系.然后...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 研究了垂直腔面发射激光器(VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性,将1×16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装(MCM),混合集成为16信...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 提出一种用于CMOS图像传感器的新型光电检测器--双极结型光栅晶体管,并建立了其解析模型.基于0.6μm CMOS工艺参数的模拟结果表明双极结型光栅晶体管具有传统光栅晶体管的特性,但与传统光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件.讨论了该器件的光发射机理.利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟,包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 设计了一种电流可调的CMOS电荷泵电路,其中采用了带隙基准源、低drop-out调压器及电容式直流-直流电压升压器为电荷泵电路提供电源电压,此电压不受外部供电电压及温度变化的影响;同时,电荷...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 介绍了一个基于标准单元布图模式的电源线/地线网络的辅助设计集成工具.它应用了一系列高效的算法,为用户提供了电源线/地线网络的设计、优化和验证的功能.非线性优化技术、分枝定界算法和不完全乔莱斯...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 以陷阱电荷限制传导理论为基础,用数值方法研究了单层有机电致发光器件发光层中电势、电场和载流子密度的空间分布.分析结果表明,电场强度在靠近两边电极的地方上升很快,而在中间区域几乎是线性地缓慢增...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 在金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触,并在250～650℃范围内对该接触进行退火.通过实验发现,Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 以聚酰亚胺膜作为柔性衬底材料,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备氢化非晶硅薄膜.喇曼(Raman)光谱分析表明适当温度下的退火工艺使氢化非晶硅薄膜具有均匀的微硅晶体结构和良好的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布.在适当的测量深度,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定,从而得到硅片中硼原子的深度分布.用近似模型...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 对双电测组合四探针法测试方块电阻(Rs)和体电阻率(ρ)进行了研究,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点:测量结果与探针间距无关,可使用不等距探针头;具有自动修正边界影响的功能,不必寻找...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 研究了低能量背面Ar+轰击对n沟MOSFET低频噪声的影响.用低能量(550eV) 的氩离子束轰击n沟MOSFET芯片的背面,能改善其饱和区和线性区的低频噪声频谱密度.饱和区低频噪声的减小可...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 在带有应变SiGe沟道的SOI MOSFET结构中,把栅和衬底相连构成了新型的混合模式晶体管(SiGe SOI BMHMT).在SIVACO软件的器件数值模拟基础上,对这种结构的P型沟道管工...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年3期页码:摘要： 采用窄禁带宽度材料GaAsSb作为异质结晶体管的基区材料,成功研制出了能有效降低电路工作电压和功率损耗的低开启电压的NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管(double h...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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