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半导体学报(英文版)2003年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 介绍了EEPROM的电学模型,模拟分析了阈值电压变化与写入时间、写入电压、隧道孔面积、浮栅面积的关系.根据模拟结果,采用0.6μm CMOS工艺,对双层多晶硅FLOTOX EEPROM进行了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 提出了一个新的用于10/100 Base-T以太网中面积和功耗优化的时钟恢复电路.它采用双环路的结构,加快了锁相环路的捕获和跟踪速度;采用复用的方式,通过选择信号控制电路可分别在10Mbps...
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123. 板上芯片固化后残余应力分布的有限元模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 用有限元模拟研究了板上芯片固化后残余应力的分布.在FR4及陶瓷分别作基板的两种情况下,残余应力分布最显著的差异是等效应力分布不同.讨论了基板厚度及粘合胶厚度对残余应力的影响,表明采用陶瓷基板...
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124. 多能级闪存的总剂量辐射效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 介绍了一种新型的存储技术--多能级存储,并对应用此技术的多能级闪存进行γ射线辐射,研究了多能级闪存的阈值电压及存储单元的电性能曲线等随辐射剂量、辐射剂量率以及时间的关系规律.对实验结果进行了...
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125. 多孔硅的干燥方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 研究了多孔硅的阴极还原表面处理技术,通过该技术获得了表面平滑度良好、稳定度高、抗压强度高和耐高温性能好且在空气中可以长期干燥保存的多孔硅样品.在其表面上可以进行光刻、镀金等工艺,因此,可应用...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年6期页码:摘要： 通过分析RHEED(反射高能电子衍射)图像研究了ECR(电子回旋共振)等离子体所产生的活性氢源和氮源对蓝宝石衬底的清洗与氮化作用,结果表明:在ECR氢等离子体中掺入少量的氮气可以明显提高蓝宝...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 在电荷泵技术的基础上,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用,并且这种方法得到了实验的验证.结果表明对于pMOS器件退化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 应用前馈神经网络解深亚微米MOSFETs反型层量子效应模型.此方法需要用神经网络解微分方程的特征值问题以及积分方程.首先以此方法解具有Morse势函数的Schrodinger方程来验证此方法...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 分析并设计了一种利用高选择自停止的多孔硅牺牲层技术制作压阻式加速度传感器的工艺,并利用外延单晶硅作为传感器的结构材料,这种工艺能精确地控制微结构的尺寸.利用多孔硅作牺牲层工艺,使用加入硅粉和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 报道了MOCVD生长的高性能850nm氧化限制型垂直腔面发射激光器.研制出的氧化直径为9μm的激光器25℃时的斜效率和阈值电流分别为0.82mW/mA和2.59mA,激光器在23mA时输出1...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 考虑离子注入沟道和沟道深度的影响,提出了精确的离子注入4H-SiC MESFET器件夹断电压的理论计算方法.注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TRIM提取计算.研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 提出并优化了一种和现有SPICE软件如HSPICE完全兼容的IGBT等效电路模型.该模型摒弃了双极晶体管的所谓准静态假设而用精确的双极输运理论进行分析,更符合IGBT的实际工作条件.利用电压...
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133. 双量子点分子中激子的动态局域化行为刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 采用两点Hubbard模型和Floquet定理研究了在交变电场驱动下双量子点分子中激子的动力学行为.数值计算表明,系统准能随交变电场振幅的变化会出现一系列严格交叉和回避交叉.在某些弱场区的准...
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134. GaP1-xNx混晶的喇曼散射谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组...
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135. 半绝缘砷化镓单晶中的晶体缺陷刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 通过化学腐蚀、金相显微观察、透射电子显微镜、扫描电镜和X射线异常透射形貌等技术,研究了半绝缘砷化镓单晶中的位错和微缺陷.实验发现用常规液封直拉法制备出的直径大于或等于75mm的半绝缘砷化镓单...
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136. ZnO材料的电子输运特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 用全带Monte Carlo方法模拟了纤锌矿ZnO材料电子的稳态和瞬态输运特性.稳态输运特性包括稳态平均漂移速度-电场特性、电子平均能量-电场特性和在不同电场下电子按能量的分布.在平均漂移速...
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137. 退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 提出了一种用于半导体激光器热沉的金刚石膜/Ti/Ni/Au金属化体系.采用金属化前期预处理、电子束蒸镀技术和后续低温真空热处理,金属层和金刚石膜之间获得了良好的结合强度.AES分析表明Ti/...
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139. TIGBT的稳态和瞬态模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 从沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的物理结构出发,提出了TIGBT的稳态模型和瞬态模型.该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应,而且还考虑到缓冲层对器件性能的影响.通...
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140. 确定PHEMT器件等效电路的一种新方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 提出了一种新的确定PHEMT器件小信号等效电路方法.这种方法包括对本征元件与非本征元件的解析求解以及逆向求解优化非本征元件,从而提高非本征元件值的精度,使得整个等效电路的精度大大提高.这种方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 采用模拟退火算法提取出异质结双极晶体管器件的大信号Gummel-Poon模型参数,利用所提取出的模型参数设计出具有很低静态功耗的1900MHz两级AB类功率放大器.该功放的功率增益为26dB...
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142. 兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0.5μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到108V,PMOS耐压达到-69V.在标准CMOS工艺的基础上添加三...
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143. 一种适用于高速串行数据通信的发送器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 介绍了一种采用深亚微米CMOS工艺实现的单片集成发送器的设计.该发送器适用于高速串行硬盘接口,主要由时钟发生器、并串转换电路和片内阻抗匹配的线驱动器三大模块组成.发送器采用0.18μm六层金...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 提出了一种采用单比较器变步长反馈控制和占空比抖动方法的数字DC-DC变换模块.它用6位二进制分辨率占空比的PWM信号实现了7位的电压分辨率.变步长反馈控制的使用使得它具有比恒定步长方案更好的...
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145. 一种开关电流电路时钟馈通的补偿技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 提出一种开关电流电路时钟馈通的补偿技术.这种技术可以同时取消误差电流中的常数项和信号关联项.在相同工艺条件下的HSPICE仿真结果表明:文中提出的时钟馈通补偿技术的开关电流存储单元与基本的开...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年7期页码:摘要： 在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 报道了使用SiO2介质膜导致的无杂质空位扩散实现InGaAsP多量子阱混杂的实验,得到200nm的最大带隙波长蓝移.另外,采用量子阱混杂制作了蓝移的FP腔激光器,其性能与未混杂的激光器相当.
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差.从放大的自发发射谱,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱.利用上述方法,测出的1550nm I...
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149. 半导体激光器芯片3dB带宽的测量刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 提出一种测量半导体激光器芯片频率响应的方法并建立了一套测试系统,通过校准完全剔除了夹具的影响.该方法简单、精确、实用性强.在理论上,该测试系统的测量范围只由测量仪器所决定.在实验中,测量了带...
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150. 多晶硅衬底上的RF MEMS开关刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2003年8期页码:摘要： 在微机械开关与硅IC工艺设计和兼容方面进行了改进,获得了一种可与IC工艺兼容的RF MEMS微机械开关.采用介质隔离工艺技术把这种RF MEMS微机械开关制作在绝缘的多晶硅衬底上,实现了与I...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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