论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 半导体学报(英文版)期刊 >
半导体学报(英文版)2004年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
分享
投稿
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用高分辨X射线衍射的方法,研究了Hg1-xCdxTe液相外延材料的X射线衍射摇摆曲线和晶格常数随外延层厚度的变化关系.实验观察到了组分互扩散效应对摇摆曲线和材料晶格常数的影响.衬底与外延层...
-
182. 氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响.实验结果表明,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布,即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ),体内靠近DZ区域形成高密度、小...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用聚焦连续波CO2激光束对n型InP基片进行局域加热,并利用专用的温度测量系统对InP基片曝光区的温度分布及温度随时间的变化进行了测量.结果表明,在基片初始温度为室温时,难以得到满足加工所...
-
184. 氮掺杂SiC厚膜的制备及其热电特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 以SiC超细粉为原料,采用热等离子体PVD(TPPVD)法快速制备了SiC膜,最大沉积速度达到138nm/s.为了降低SiC膜的电阻率,提高其热电性能,采用向等离子体中通入N2的方法对SiC...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 利用质量分离的低能离子束方法,以离子能量为1000eV,剂量为3×1017cm-2,室温下往p型Si(111)单晶衬底注入Fe离子,注入的样品在400 C真空下进行热处理.俄歇电子能谱法(A...
-
186. 离子束淀积方法制备GdSi2薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜.用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析,用X射线衍射方法分析了样品的结构,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌.X射线衍射分析发现在400℃沉积的...
-
187. 低电阻率硼硫共掺杂金刚石薄膜的制备刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 利用微波气相沉积方法制备了低电阻率的n型硫掺杂和硼硫共掺杂金刚石薄膜.质子激发X射线荧光测试表明硼硫共掺杂方法能够提高硫在金刚石中的溶解度;扫描电镜和Raman光谱的分析结果表明掺杂金刚石薄...
-
188. 微波等离子体退火制备CoSi2薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用微波等离子体退火方法使溅射的金属钴薄膜与(100)硅衬底发生固相反应直接生成CoSi2,证明了采用微波等离子体退火制备低阻硅化钴的可行性.通过X射线衍射图谱发现,当退火时间相同时,在61...
-
189. 三端双向负阻晶体管的模拟与实验刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了研究.根据器件模拟得到了器件内部电势和电场分布,解释了S型负阻特性产生机理.分别从模拟和实验得到了输出负阻曲线随控制极电压变化的情况,结果表明,随...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 在发射极宽度为3μm和4μm InGaP/GaAs HBT工艺的基础上,研究了发射极宽度为2μm时发射极与基极之间的自对准工艺,用简单方法制备出了发射极宽度为2μm的InGaP/GaAs H...
-
191. 有机聚合物热光器件热场的解析模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 根据傅里叶导热定律,采用分离变量的方法,导出有机聚合物热光器件热场分布的解析表达式,该解析计算结果同采用FD-BPM法计算机模拟结果进行比较,平均相对误差不超过4%,并运用光线法分析全内反射...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 制作了一种新型的半导体可饱和吸收镜:表面态型半导体可饱和吸收镜.用表面态型半导体可饱和吸收镜作为被动锁模吸收体,实现了半导体端面泵浦Yb:YAG激光器被动连续锁模.在泵浦功率为10W时,获得...
-
193. GaN基蓝光激光器光场特性模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 采用有限差分法对GaN基多量子阱(MQWs)脊形激光器进行二维光场模拟.InGaN和AlGaN材料的折射率分别由修正的Brunner以及Bergmann方法得到.分析了激光器单模特性和远场发...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 利用磁控溅射的方法在p-Si上制备了高k(高介电常数)栅介质HfO2薄膜的MOS电容,对薄栅氧化层电容的软击穿和硬击穿特性进行了实验研究.利用在栅极加恒电流应力的方法研究了不同面积HfO2薄...
-
195. 基于混沌的高速真随机数发生器的设计与实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 选取分段线性的混沌表达式来设计真随机数发生器,具体分析了表达式中参数对迭代产生的序列的影响,并给出了最佳的参数选择范围.真随机数发生器由模拟电路实现,整个电路由八级结构相同的子电路和一级抗饱...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 介绍了一种采用深亚微米CMOS工艺实现单片集成发送器的设计.它适用于IEEE 802.3ae多通道10Gbps以太网接口(Ethernet).发送器主要由时钟发生器、多路选择器、占空比调整电...
-
197. 具有反馈结构的PAL-2NF电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 在分析PAL-2N电路缺陷产生原因的基础上,提出了一种低功耗,具有反馈结构的PAL-2NF电路,它采用逐级相位落后90°的四相正弦功率时钟.讨论了PAL-2NF电路的设计方法,并在不同时钟频...
-
198. 一种CMOS蓝牙无线发送器电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 实现了一种低中频架构的CMOS蓝牙无线发送器,提出一种漏极开路输出的功率放大器电路结构.采用0.35 μm数字CMOS工艺制造.测试结果表明:该电路在3.3V电压下总静态电流为19mA;低频...
-
199. 驱动复杂RLC互连树的逻辑门延时刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年8期页码:摘要： 提出了一个用于估计RLC互连树驱动点导纳的闭端等效π模型,并将其用于驱动复杂RLC互连树的逻辑门延时的估计中.与其他方法相比,它具有结构简单、精度较高的特点.
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 基于热力学平衡理论,对在电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积系统中的GaN薄膜生长给出了一个化学平衡模型.计算表明,GaN生长的驱动力Δp是以下生长条件的函数:Ⅲ族输入分压,输入Ⅴ/...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出了一种采用低能量大剂量He离子注入局域寿命控制的高速LIGBT,并对其进行了实验研究.粒子辐照实验结果显示与常规的LIGBT相比较,该器件的关断时间和正向压降的折中关系得到了改善.同时研...
-
202. CMOS双带低噪声放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 描述了基于CMOS工艺的双带低噪声放大器的设计,其目的是用单个低噪声放大器取代双带收发机(如符合IEEE 802.11a和802.11b/g标准的WLAN)中的两个单独的低噪声放大器.讨论了...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 结合多项用于深亚微米集成电路的新技术,提出了用于数GHz射频集成电路的SOI nMOSFET器件结构和制造工艺.经过半导体工艺模拟软件Tsuprem4仿真和优化,给出了主要的工艺步骤和详细的...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 对已报道的Gilbert混频器工作在低电压时存在的问题进行了分析,在此基础上,描述了利用改进的低电压设计技术,用于2.4GHz蓝牙收发机的上混频器/下混频器的设计.利用适用于低电压工作的负反...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 用纯Ar离子束刻蚀方法制备出大功率高效率650nm实折射率AlGaInP压应变量子阱激光器.对偏角衬底,干法刻蚀可得到湿法腐蚀不能得到的高垂直度和对称台面.制备的激光器条宽腔长分别为4μm和...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 建立了衬底电流模型中特征长度参数的改进描述,该参数的引入使衬底电流模型能够有效地适用于从微米尺寸到亚微米、深亚微米尺寸的LDD MOSFET.在以双曲正切函数描述的I-V特性基础上,该解析模...
-
208. 3C-SiC/Si异质结二极管的高温特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了低压化学气相淀积方法制备的n-3C-SiC/p-Si(100)异质结二极管(HJD)在300～480K高温下的电流密度-电压(J-V)特性.室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 研究了热载流子应力下栅厚为2.1nm,栅长为0.135μm的pMOSFET中HALO掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系.实验发现,器件的退化机制对HALO掺杂剂量的改变不敏感,但是器件...
-
210. 直拉硅单晶中位错的光致发光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2004年9期页码:摘要： 利用低温光致发光谱研究了直拉硅单晶中位错的光致发光.实验发现普通直拉硅单晶在晶体生长过程中引入的位错密度高于107cm-2时,位错的发光光谱出现了典型的位错D1～D4发光峰;而位错密度较低时...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
