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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
6983
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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目录
  • 331. 超晶格半导体材料的光磁电效应(Ⅰ)
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1744-1748
    摘要： 从Shockley-read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,描述了超晶格半导体载流子的输运特征,将载流子的输运方程化为二阶非线性方程,并用双参数摄动法找到了方程的一般解.在二阶近似下...
  • 332. 快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1749-1752
    摘要： 用固态分子束外延技术生长了高应变In045Ga0.55 As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量...
  • 333. 原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1753-1759
    摘要： 采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律.红外扫描仪观察发现:只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察到铜沉淀团,表明在原生单...
  • 334. 碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1760-1763
    摘要： 采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,而沉淀相在基体中的析出...
  • 335. 复合式热屏对φ200mm CZSi单晶生长速率和氧含量的影响
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1764-1767
    摘要： 对φ200mm太阳能CZSi单晶生长的传统热场进行了改进,施加了复合式热屏.对改进前后热场温度梯度、单晶氧含量进行了实验分析,并对该系统的氩气流场进行了数值模拟.研究了复合式热屏影响拉速和单...
  • 336. 导电流体在水平磁场中的粘度
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1768-1772
    摘要： 采用回转振荡法,在向导电流体所在空间引入水平可调永磁磁场的条件下,测量研究了导电流体--液态汞(20℃)的粘度.结果表明,液态汞的粘度随磁场强度的增大而增加,二者呈光滑的抛物线关系.液态汞在...
  • 337. (111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1773-1777
    摘要： 通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A和(111)B面上形成的腐蚀坑大都不存在对应关系,深度腐蚀的...
  • 338. 聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管及其发射机制
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1778-1782
    摘要： 为了提高有机电致发光器件的效率和稳定性,制作了聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管.它以新型PTPD(聚TPD)为空穴传输材料,高效荧光材料Rubrene为掺杂剂.异质结基本结构为P...
  • 339. 一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1783-1788
    摘要： 利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT...
  • 340. 跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1789-1792
    摘要： 报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件...
  • 341. 808nm InGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1793-1797
    摘要： 采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性进行了实验研究.用恒定电流下增益峰波长的温漂系数a1和恒定温度下增益峰波长随注入电流的漂移系数a2来表征激...
  • 342. 1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1798-1803
    摘要： 采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引...
  • 343. C波段0.75mm AlGaN/GaN功率器件
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1804-1807
    摘要： 研制并测试了以蓝宝石作衬底的10× 75μμm_0.8μm AlGaN/GaN微波器件,采用等离子增强气相化学沉积的方法生长了250nm的Si3N4形成钝化层,直流特性从0.56A/mm上升...
  • 344. 一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1808-1812
    摘要： 提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了O.13μm 1.2V/2.5V CMOS工艺,HSPICE的仿...
  • 345. 深亚微米pMOS器件的HCI和NBTI耦合效应与物理机制
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1813-1817
    摘要： 研究了深亚微米pMOS器件的热载流子注入(hot-carrier injection,HCI)和负偏压温度不稳定效应(negativebias temperature instability...
  • 346. 埋空隙PSOI结构的耐压分析
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1818-1822
    摘要： 提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不...
  • 347. LDMOS的局部电热效应分析
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1823-1828
    摘要： 分析了LDMOS(1ateral DMOS)在一次雪崩击穿后的局部电热效应.提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS的触发点是不同的;分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶...
  • 348. 一种抗辐照SOI反相器
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1829-1832
    摘要： 制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOS1和一个额外的nMOS1.当受到辐照后,pMOS1和nMOS1输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端"高...
  • 349. 逆导型GCT阻断特性的分析与设计
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1833-1837
    摘要： 在分析pnp隔离的逆导型GCT(RC-GCT)特性的基础上,提出了沟槽隔离的RC-GCT新结构,并给出了其阻断特性的设计方法.依此建立了RC-GCT的结构模型,利用MEDICI软件对其阻断特...
  • 350. 一种用于流水线模数转换器的电容失配校准方法
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1838-1842
    摘要： 对于流水线模数转换器(ADC),电容失配是一种主要的非线性误差源.为了减小电容失配误差,提出了一种电容失配校准的方法.该方法通过一种电荷相加、电容交换和电荷反转移的电路技术,可将电容失配误差...
  • 351. ISO 14443单芯片读卡机放大、滤波和量化电路的设计
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1843-1847
    摘要： 介绍了ISO 14443解调电路解调后滤波、放大和量化电路的设计,提出了一种新的阈值电压可变的比较器结构.电路经O.6μm工艺生产线流片验证,测试结果显示:电路可在2.5～5.5V电压范围内...
  • 352. 一种DC-DC芯片内建可测性设计
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1848-1853
    摘要： DC-DC芯片设计中有许多内部参数需要检测和控制,有限的引脚数目使得直接测试内部参数比较困难.文中提出一种通用性很强的内建可测性设计方法,在芯片内部设计时只需要增加规模较小的测试电路,就可以...
  • 353. 一种低延迟低功耗的片上全局互连方法
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1854-1859
    摘要： 提出了一种用于片上全局互连的混合插入方法.该方法利用中继驱动器和低摆幅差分信号电路在驱动不同长度连线时的优点,将它们混合插入到连线的合适位置,从而降低互连的延时和功耗.模拟结果表明,该方法与...
  • 354. 1.3μm GaAs基GaInNAs量子阱生长与激光器研制
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1860-1864
    摘要： 报道了中国第一只1.30μm单量子阱边发射激光器的材料生长、器件制备及特性测试.通过优化分子束外延生长参数,调节In和N组分含量使GaInNAs量子阱的发光波长覆盖1.3μm范围.脊形波导条...
  • 355. 输出功率密度为2.23W/mm的X波段AlGaN/GaN功率HEMT器件
    作者： 冉军学 刘新宇 曾一平 李建平 李晋闽 王军喜 王晓亮 王翠梅 胡国新 郑英奎 钱鹤 马志勇
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年10期
    页码:  1865-1870
    摘要： MOCVD技术在蓝宝石衬底上制备出具有高迁移率GaN沟道层的AlGaN/GaN HEMT材料.高迁移率GaN外延层的室温迁移率达741cm2/(V·s),相应背景电子浓度为1.52×1016...
  • 356. 室温下高峰谷电流比、高峰电流密度的双势垒共振隧穿二极管
    作者： 刘明 叶甜春 易里成荣 王从舜 谢常青
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年10期
    页码:  1871-1874
    摘要： 在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管.在GaAs层中加入In0.1Ga0.9As层用以降低势垒两边的势阱深度,从而...
  • 357. 采用半背沟注入提高部分耗尽SOI nMOSFETs的漏源击穿电压
    作者： 吴峻峰 李多力 毕津顺 海潮和 钟兴华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年10期
    页码:  1875-1880
    摘要： 制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs.测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说,在提高击穿电压和延缓翘曲现象发生方面有良好的表现,...
  • 358. 0.18μm CMOS 20Gb/s 1:2分接器设计
    作者： 丁敬峰 熊明珍 王志功 王欢 王贵
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年10期
    页码:  1881-1885
    摘要： 使用标准0.18μm CMOS工艺设计并实现了1:2分接器.核心电路单元采用一种新的高速、低电压锁存器结构实现.与传统的源极耦合场效应管逻辑结构的锁存器相比,其电源电压更低且速度更快.此外,...
  • 359. 利用改进的电荷泵法研究SONOS存储器陷阱电荷的分布特性
    作者： 孙磊 庞惠卿 朱钧 潘立阳
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年10期
    页码:  1886-1891
    摘要： 在silicon-oxide-nitride-oxide-silicon(SONOS)等电荷俘获型不挥发存储器中,编程操作后注入电荷的分布会对器件的读取、擦写以及可靠性带来影响.利用电荷泵方...
  • 360. 应用于高Q跨导-电容带通滤波器的线性跨导运放设计
    作者： 杨华中 王斌
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年10期
    页码:  1892-1897
    摘要： 设计了一种具有高的直流增益的宽带线性全差分跨导运放.一方面,并联一个工作在线性区的场效应管来补偿直流三阶系数,得到了一种应用于连续时间滤波器、增加跨导器饱和区输入信号幅度的简单方法.另一方面...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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