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半导体学报(英文版)2005年第2期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 报道了CdS薄膜的CBD法沉积及其结构特性,其中的水浴溶液包括硫脲、乙酸镉、乙酸铵和氨水溶液.研究了水浴溶液的pH值、温度、各反应物溶液的浓度和滴定硫脲与倾倒硫脲等基本工艺参数对CdS薄膜结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 设计了一种将β-FeSi2颗粒埋入非故意掺杂Si中的Si p-π-n二极管来确定β-FeSi2-Si异质结的能隙差.当二极管处于正向偏置时,通过Si n-p-结注入的电子扩散到β-FeSi2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PD SOI nMOSFETs,并研究了浮体效应对辐照性能的影响.在106rad(Si)总剂量辐照下,所有器件的亚阈特性未见明显变化.环形栅器件的背栅阈...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出了一种在标准CMOS工艺上集成肖特基二极管的方法,并通过MPW在charted 0.35μm工艺中实现.为了减小串连电阻,肖特基的版图采用了交织方法.对所设计的肖特基二极管进行了实测得到...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向电场和击穿电压的统一解析表达式.借此模型并对阶梯数从0到无...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 利用金属有机气相淀积方法生长了一种新型吸收体:高反射率半导体可饱和吸收镜.用这种吸收体兼作端镜,实现了1.044μm半导体端面泵浦Yb∶YAB激光器被动锁模,脉冲宽度为3.05ps,重复率为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 介绍了一种新型16通道、100GHz通道间隔的硅基二氧化硅单侧耦合阵列波导光栅(AWG).通过增加一个Y分支波导结构,并且将AWG的输入、输出波导等间距整齐排列,实现了仅用一个光纤阵列进行A...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 针对埋栅型静电感应晶体管(SIT)提出一种柱栅模型.用镜像法计算了器件内电势分布,并在此基础上计算了沟道势垒、栅效率、电压放大因子等.结果表明:沟道势垒直接取决于沟道过夹断因子;栅效率随栅尺...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 报道了一种利用硅乳胶作为键合介质的新型键合技术.高反射率的SiO2/Si反射镜预先用PECVD系统生长在硅片上,然后键合到InGaAs有源区上,键合温度为350℃,无需特殊表面处理,反射镜的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 一个适用于光纤通信系统中的1×8多模干涉功率分束器被设计并通过ICP刻蚀方法成功研制.这种基于SOI材料的功率分束器是采用多模波导作为输入/输出波导;经过光束传播方法模拟,该器件显示出了优良...
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11. 一种新型体硅谐振加速度计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 设计了一种谐振加速度计.这种加速度计包括两个双端固定音叉、一个质量块、四套放大惯性力的杠杆系统以及激励和敏感梳.利用梳状电极每个音叉被静电激励和敏感.利用MEMS体硅工艺研制了这种新型加速度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出了多电压时间限制下电路功耗最小的高层综合设计算法,其输入为数据流图及时间限制条件.由于多电压设计会引起低层布局时的连线复杂性提高,所以提出的算法在进行高层调度过程同时考虑了低层分区问题,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 假设超晶格"折沟道"对粒子的作用等效为形状相似的周期调制,利用正弦平方势把粒子运动方程化为具有阻尼力和周期调制的非线性微分方程.利用Melnikov方法分析了系统的全局分叉和它的混沌行为.指...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 利用蒙特卡罗方法对SiGe/Ge/SiGe异质结构的自旋极化输运特性进行了模拟研究.在Ge沟道调制掺杂异质结构形成的二维空穴气中,空穴的自旋进动主要受Rashba自旋轨道相互作用控制.在77...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 在InP(001)衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构.根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析,认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出高质量的镓掺杂氧化锌(ZnO∶Ga)透明导电膜,并对薄膜的结构和光电特性以及制备参数对薄膜性能的影响进行了研究.制备的ZnO∶Ga是具有六角纤锌矿结构的多...
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17. TiO2薄膜制备及其氧敏特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜,在不同温度下对薄膜进行退火,研究了薄膜晶体结构随退火温度的转化情况.对TiO2薄膜氧敏器件特性进行了测试,结果表明,在400℃下灵敏度随氧分压增加最快,并...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 以钛酸丁酯为无机原料、二乙醇胺作稳定剂,加入聚乙二醇(PEG)作模板制备前驱体溶胶,通过溶胶-凝胶工艺和浸渍提拉技术在玻璃基片上制备了孔径在10～1000nm范围内可调的纳米TiO2多孔薄膜...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 介绍了一种简单而准确地确定薄膜光学常数和厚度的方法.借助于Forouhi-Bloomer物理模型,用改进的单纯形法拟合分光光度计透过率测试曲线,获得半导体薄膜的光学常数和厚度.对射频磁控溅射...
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20. 磷铝吸杂在多晶硅太阳电池中的应用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 研究了多晶硅的浓磷扩散吸杂、铝吸杂、磷-铝联合吸杂(双面蒸铝).采用准稳态光电导衰减法测试了吸杂前后多晶硅片的有效少数载流子寿命,发现磷-铝联合吸杂于硅片少子寿命的提高最大达30μs以上,其...
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21. 一种单基极引出结构的硅晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 为研究单基极薄基区晶体管的特性,设计了一种单侧基极引出结构薄基区的晶体管,在p型SOI衬底上全离子注入实现了基区宽度为80nm的npn纵向结构,基区的平均浓度为1018cm-3.经过版图设计...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 采用在SIMOX圆片埋氧层中注入氟(F)离子的方法改善SIMOX的抗总剂量辐射能力,通过比较未注F样品和注F样品辐照前后SIMOX器件Ids-Vgs特性和阈值电压,发现F具有抑制辐射感生pM...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 设计了双梯度掺杂漂移机制InP/GaP光二极管,研究了由于晶体不匹配所造成的缺陷以及这些缺陷对器件性能的影响.结果表明InP/GaP光二极管具有很好的光谱响应和抗辐射特性,特别是在短波方向有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出利用紫外光聚合反应来制作聚合物光栅的方法.实验发现,光栅的表面起伏深度很小,约为12.4～0.7nm;折射率调制较大,达到0.010左右.这种方法在低阶分布反馈聚合物激光器的制作中具有很...
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25. 硅热流量传感器封装的热模拟分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 针对硅热流量传感器的封装,给出了其一维简化理论模型,并采用有限元分析工具ANSYS/FLOTRAN,建立了该封装结构的热模型.模拟结果显示,该封装后的传感器的温度场与未封装传感器相似,证明陶...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 分析了梳齿电容式传感器梳齿极板间的不平行在三种电容驱动下,对传感器的可靠工作范围的影响.结果表明梳齿电容在同样的电压驱动下,当电容极板间的倾斜角由0.1°变到0.5°时,单边电容结构和双边电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 提出了一种新结构发射电路,适用于10/100MHz Base TX以太网,兼容10MHz Base TX和100MHz Base TX两种工作模式,并能在这两种模式间自由切换.电路采用了波形...
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28. 乙二醇辅助多层硅/硅直接键合刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 利用乙二醇的分子结构和氢键在10万级的超净环境下成功地进行了多层乙二醇环境下的硅/硅直接键合,并在氮气保护下1100℃热处理后进行了拉力强度测试,平均键合强度达到了10MPa.SEM观测表明...
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29. 多孔硅新的表面处理技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 对多孔硅施加阳极氧化表面处理技术,可有效解决多孔硅干燥时出现龟裂及坍塌,破坏原有多孔硅的形貌和本质的问题.阳极氧化表面处理技术就是使用少量的负离子作用于多孔硅表面,满足SI分子化合价的需要,...
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30. 兆声清洗法和离心喷射清洗法的比较刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年2期页码:摘要： 用基于改进的RCA清洗液结合兆声清洗法和离心喷射法清洗抛光的硅片,干燥后用激光扫描法测试抛光硅片表面颗粒.结果表明,改进的RCA清洗液结合兆声的清洗方法对于去除硅片表面的微小颗粒具有更高的效...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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