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半导体学报(英文版)2005年第4期出版文献
出版文献量（篇）
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总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 研究了MOCVD生长的GaN及掺Mg GaN薄膜从78到578K下的喇曼散射谱.在GaN和掺Mg GaN的谱中都观察到一个位于247cm-1的峰,此峰被认为是缺陷诱导的散射峰,而非电子散射和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 应用紫外光化学气相淀积技术在450和480℃超高真空的背景下在Si衬底上分别生长出应变Si1-xGx和Si材料.在此低温下,有效地控制了衬底中的杂质外扩以及界面的不清晰.X射线分析结果表明S...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用同步辐射XRD极图法对低温MOCVD生长的GaN缓冲层薄膜进行了研究.极图研究表明,低温GaN薄膜中除有正常结晶外还存在一次孪晶和二次孪晶.在χ固定为55°时的{111}ψ扫描中发现了异...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 分别采用具有硅化物和不具有硅化物的SOI工艺制成了部分耗尽SOI体接触nMOS晶体管.在体接触浮空和接地的条件下测量了器件的关态击穿特性.通过使用二维工艺器件模拟,并测量漏体结的击穿特性,详...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用同一外延层集成工艺方法制作了10Gb/s电吸收调制器/分布反馈(DFB)半导体激光器单片集成光发射模块.在器件中引入增益耦合机制以提高单模成品率,并采用感应耦合等离子体干法刻蚀技术以降低...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 对FinFET器件(或称三栅MOSFET器件)的二维截面做了解析静电学分析以得出阈电压的计算公式.结果显示,由于三栅结构在高度方向的限制作用,需要引入一个H系数来修正栅电容,随着高度不断变大...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用新的工艺技术,成功研制了具有抬高源漏结构的薄膜全耗尽SOI CMOS器件.详细阐述了其中的关键工艺技术.器件具有接近理想的亚阈值特性,nMOSFETs和pMOSFETs的亚阈值斜率分别为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 设计了一个由调节型级联跨阻抗放大器(TIA)和双光电二极管(DPD)构成的光电集成接收机.给出了DPD小信号电路模型和单片集成光接收机的带宽设计方法,给出限制DPD和光接收机带宽的重要因素,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用有效质量方法和变分原理,考虑内建电场和量子点的三维约束效应,研究了Al含量对局域在GaN/AlxGa1xN量子点中激子性质的影响.结果表明,随着Al含量的增加,GaN/AlxGa1-xN...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用真空、无氧退火方法对立方晶型FeS2进行了稀土钕掺杂实验.利用X射线衍射仪和紫外可见分光光度计对样品的结构及光吸收谱进行了研究.利用Rietveld方法对掺杂样品的结构进行了精修.结果显...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 通过射频反应溅射法在硅衬底上制备了具有c轴择优取向和小晶格失配的In掺杂ZnO薄膜.在室温下测量样品的光致发光(PL)光谱,观察到波长位于415nm(3.02eV)和430nm(2.88eV...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240～280nm)内的MgxNi1-xO薄膜.XPS和XRD结果显示,MgxNi1-xO在1000℃下形成具...
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13. GaN生长速率的研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用直流反应磁控溅射技术制得N-Al共掺的p型ZnO薄膜,N2O为生长气氛.利用X射线衍射(XRD),Hall实验,X射线光电子能谱(XPS)和光学透射谱对共掺ZnO薄膜的性能进行研究.结果...
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15. MOCVD生长GaN材料的模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 基于计算流体力学在三维空间中模拟了水平行星式金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应器生长GaN材料的流场、热场、反应物与生成物的分布以及材料生长速率等重要物理参数.计算结果与同样条件下的实...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法在氧化铝陶瓷衬底上沉积金刚石膜,并制作梳状电极的α粒子探测器.通过优化薄膜生长条件,发现酒精浓度为0.8%、沉积温度为850℃时,金刚石薄膜的介电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用等离子体增强化学气相沉积技术和电子束蒸发技术制备了一种新型的线性缓变异质结变容二极管--Au/Cr合金(电极)/multi-layer(p)nc-Si:H/(n)c-Si/(电极)Au/...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出了一种快速精确地提取GaAs MESFET寄生参数方法.这种方法以两组S参数为基础,应用解析表达式直接确定GaAs MESFET的九个寄生参数.该方法适用范围广.以一个0.3μm×280...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出了SOI基双级RESURF二维解析模型.基于二维Poisson方程,获得了表面电势和电场分布解析表达式,给出了SOI的双级和单级RESURF条件统一判据,得到RESURF浓度优化区(DO...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 分析并讨论了应用于相位体制数字射频存储器的DAC静态参数的表征方法.提出用时间非线性(TDNL和TINL)、幅度非线性(ADNL和AINL)以及相位非线性(PNL)来全面描述相位体制DAC的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 利用single-ehded folded-cascode结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,实现了一种在77K工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器.分析了它的噪声特性,提出了减少噪声的措...
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22. MSM光探测器直流特性的二维分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 基于有限差分方法对金属-半导体-金属(MSM)光探测器进行了二维分析,得到有明确物理意义的模拟曲线和结论,并结合模拟结果对MSM光探测器的光电直流特性进行了分析.全部模拟工作都是基于半导体物...
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23. 垂直腔面发射激光器的热学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 通过求泊松方程、电流密度方程、载流子扩散方程以及有源层结压降方程自洽解的方法,计算了垂直腔面发射激光器(VCSEL)的电势分布,进而求解热传导方程,得到VCSEL的温度分布.详细分析了注入电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 将Connelly提出的SOA稳态模型和Durhuus提出的动态数值方法结合起来,分析了交叉增益调制过程中连续探测光的输入能量对转换信号的影响.模拟结果表明,当连续探测光的输入能量较小时,转...
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25. 具有多运动自由度的新型多功能微镜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 基于多层硅表面微加工技术,设计并制造了一种全新的微镜结构,它由底电极层、支撑层和镜面层构成.支撑层采用对称布置的双T型梁结构,能提供垂直方向的平动和绕两水平轴的转动,从而实现微镜对入射光的强...
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26. 1V电源的CMOS能隙电压基准源刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 采用SMIC 0.35μm CMOS工艺实现了一种可以工作在1V电源电压下的CMOS能隙基准源.测试表明,该电路可以工作在1～2.5V电源电压下,输出的基准电压可以稳定在约0.446V.在从...
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27. 晶片表面几何特性对键合的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 研究了氮离子注入对SIMOX器件电特性的影响.氮注入SIMOX的埋氧层并退火后,将减小前栅MOS-FET/SIMOX的阈电压,提高其漏源击穿电压但对栅击穿电压影响较小.氮注入方式对SIMOX...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 提出了一种新型多晶硅薄膜热膨胀系数的在线测试结构.给出了热电机械耦合模型和测试方法、结构参数设计的优化方案及误差分析,并利用ANSYS软件进行模拟.该结构测量方便,独立性较高,误差较小,用电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2005年4期页码:摘要： 通过引入导体细丝的电流值占总电流的比例作为权重系数,将现有的仅能计算低频互连电感的平均值公式推广到高频情况;并通过分析功耗计算公式,得到类似形式的加权平均公式,可用于计算高频下的互连电阻.分...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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