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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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目录
  • 1. SOI衬底对3C-SiC异质外延薄膜内残存应力的影响
    作者： 孙国胜 曾一平 李海鸥 段晓峰 王晓峰 王雷 赵万顺 黄风义
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1681-1687
    摘要： 在一组具有不同厚度表层硅的SOI衬底上异质外延SiC薄膜.Raman测试结果表明,SiC薄膜中的残存应力随着表层硅厚度的减薄而降低.采用力平衡原理和重合位置点阵模型对SiC外延层中的应力释放...
  • 2. 1.74μm压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器
    作者： 周帆 朱洪亮 潘教青 王圩 王宝军 王鲁峰 赵谦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1688-1691
    摘要： 制备了1.74μm脊波导结构压应变InGaAs/InGaAsP量子阱分布反馈激光器.采用低压金属有机化合物气相沉积法生长器件材料,应用应变缓冲层防止In的分凝.未镀膜的腔长为300μm的器件...
  • 3. 高积分光电灵敏度多层Be浓度掺杂的GaAs负电子亲和势光电阴极
    作者： 常本康 曾一平 朱占平 李敏 杜晓晴 王保强 王晓峰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1692-1698
    摘要： 研究了变掺杂浓度结构对GaAs负电子亲和势光电阴极积分光电灵敏度的影响.通过MBE生长了两组GaAs同质外延样品.其中一组采用了均匀掺杂的单层结构,Be掺杂浓度为1×1019cm-3;另一组...
  • 4. 复合静电驱动结构致动的内旋转微镜
    作者： 吴文刚 尹冬青 徐安士 郝一龙 闫桂珍 陈庆华 陈章渊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1699-1704
    摘要： 报道了以体硅表面硅混合微加工工艺制作在SOI衬底上的一种新型复合静电驱动结构致动内旋转微镜,其中复合静电驱动结构由一个平板驱动器和一个垂直梳齿驱动器构成.实验表明,该新型驱动结构不仅能使微镜...
  • 5. 使用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1705-1710
    摘要： 提出了一种利用新注入锁定技术的低相位噪声正交振荡器,激励信号直接注入子谐波振荡器的共源连接点.原理上,正交振荡器的相位噪声性能会比子谐波振荡器的相位噪声性能好.该正交振荡器已经采用0.25μ...
  • 6. 数模混合GHz级频率综合器下变频模块设计
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1711-1715
    摘要： 介绍了一种应用于GHz级高速频率合成器的数模混合下变频模块.采用了高速射频双模预分频器与数字逻辑综合生成的可编程吞脉冲分频器相结合的设计方法.双模预分频实现了高速低抖动低功耗,双模预分频器工...
  • 7. 金属线宽及线间距渐变的射频螺旋电感
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1716-1721
    摘要： 为减少射频螺旋电感的金属导体损耗,提出了一种电感金属线宽及金属间距从外到内逐渐变小的新颖结构.与传统的固定金属线宽和间距的电感相比,该渐变结构电感涡流效应的影响较小,金属导体损耗减小,从而降...
  • 8. 电容耦合式微波MEMS开关
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1727-1730
    摘要： 提出了一种插入损耗较低、介质薄膜生长在桥膜上的新结构微波MEMS开关.该开关桥膜由介质/金属/硅三种薄膜构成,并采用键合和自停止腐蚀工艺成功制备.详细论述该开关的原理、设计和制备过程.磁控溅...
  • 9. 应变异质结构中超薄中间层的应变协调作用
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1740-1743
    摘要： 用一个简单模型讨论了应变异质结构中嵌入中间层对界面失配位错产生和应变释放的影响.根据能量最小原理得到了弹性能最小状态下界面失配位错密度,发现当中间层材料的晶格常数比衬底和外延层的都大或者都小...
  • 10. 超晶格半导体材料的光磁电效应(Ⅰ)
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1744-1748
    摘要： 从Shockley-read统计出发,引入载流子寿命与浓度的相关性,描述了超晶格半导体载流子的输运特征,将载流子的输运方程化为二阶非线性方程,并用双参数摄动法找到了方程的一般解.在二阶近似下...
  • 11. 快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱的影响
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1749-1752
    摘要： 用固态分子束外延技术生长了高应变In045Ga0.55 As/GaAs量子阱材料.研究了快速热退火对高应变InGaAs/GaAs量子阱材料光学性质的影响.本文采用假设InGaAs/GaAs量...
  • 12. 原生直拉单晶硅中的铜沉淀规律
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1753-1759
    摘要： 采用红外扫描仪、扫描电镜以及电子束诱生电流仪研究了不同温度和不同冷却速度下原生直拉单晶硅的铜沉淀规律.红外扫描仪观察发现:只有在热处理温度高于800℃的样品中才能观察到铜沉淀团,表明在原生单...
  • 13. 碲锌镉晶片中位错与Te沉淀的透射电子显微分析
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1760-1763
    摘要： 采用透射电子显微镜对碲锌镉晶体材料的缺陷特性进行了分析,观察并研究了碲锌镉晶体中Te沉淀相形貌和Te沉淀周围的棱柱位错环.认为棱柱位错的形成是由Te沉淀相的析出引起的,而沉淀相在基体中的析出...
  • 14. 复合式热屏对φ200mm CZSi单晶生长速率和氧含量的影响
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1764-1767
    摘要： 对φ200mm太阳能CZSi单晶生长的传统热场进行了改进,施加了复合式热屏.对改进前后热场温度梯度、单晶氧含量进行了实验分析,并对该系统的氩气流场进行了数值模拟.研究了复合式热屏影响拉速和单...
  • 15. 导电流体在水平磁场中的粘度
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1768-1772
    摘要： 采用回转振荡法,在向导电流体所在空间引入水平可调永磁磁场的条件下,测量研究了导电流体--液态汞(20℃)的粘度.结果表明,液态汞的粘度随磁场强度的增大而增加,二者呈光滑的抛物线关系.液态汞在...
  • 16. (111)晶向碲锌镉晶片双面腐蚀的对比
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1773-1777
    摘要： 通过对材料减薄,并采用红外透射显微镜观察的手段,实现了对A面和B面腐蚀坑的同时观察.结果发现采用标准腐蚀剂在同一晶片的(111)A和(111)B面上形成的腐蚀坑大都不存在对应关系,深度腐蚀的...
  • 17. 聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管及其发射机制
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1778-1782
    摘要： 为了提高有机电致发光器件的效率和稳定性,制作了聚合物/有机小分子异质结掺杂型电致发光二极管.它以新型PTPD(聚TPD)为空穴传输材料,高效荧光材料Rubrene为掺杂剂.异质结基本结构为P...
  • 18. 一种新型结构的InGaP/GaAs负阻异质结晶体管
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1783-1788
    摘要： 利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHBT).经过特性和参数测试,证明此种NDRHBT...
  • 19. 跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1789-1792
    摘要： 报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件...
  • 20. 1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅的研制
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1798-1803
    摘要： 采用高精度光刻版、PECVD材料生长、反应离子刻蚀和端面8°角抛光等技术,设计并研制了1×32硅基二氧化硅阵列波导光栅.研制的AWG芯片,其相邻通道引起的通道串扰小于-28dB,非相邻通道引...
  • 21. 一种适用于开关电容电路的MOS开关栅增压电路
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1808-1812
    摘要： 提出了一种新的MOS器件栅增压电路,它在减小MOS开关导通电阻的同时,减少了衬偏效应以及MOS开关输出信号的失真.该电路采用了O.13μm 1.2V/2.5V CMOS工艺,HSPICE的仿...
  • 22. 埋空隙PSOI结构的耐压分析
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1818-1822
    摘要： 提出了一种埋空隙PSOI(APSOI)RESURF器件结构,此结构利用空隙相对低的介电系数,在器件纵向突破了传统SiO2埋层的耐压关系,提高了击穿电压;硅窗口的存在缓解了有源区的自热效应;不...
  • 23. LDMOS的局部电热效应分析
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1823-1828
    摘要： 分析了LDMOS(1ateral DMOS)在一次雪崩击穿后的局部电热效应.提出并证明了等温分析和电热分析分别得到的LDMOS的触发点是不同的;分析了局部晶格温度在空间上的分布特点;并提出晶...
  • 24. 一种抗辐照SOI反相器
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1829-1832
    摘要： 制备了一种抗辐照SOI反相器,增加了一个上拉pMOS1和一个额外的nMOS1.当受到辐照后,pMOS1和nMOS1输出的高电平使下级输出管的源漏电压减小,降低了漏电流,有效地提高了输出端"高...
  • 25. 逆导型GCT阻断特性的分析与设计
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1833-1837
    摘要： 在分析pnp隔离的逆导型GCT(RC-GCT)特性的基础上,提出了沟槽隔离的RC-GCT新结构,并给出了其阻断特性的设计方法.依此建立了RC-GCT的结构模型,利用MEDICI软件对其阻断特...
  • 26. 一种用于流水线模数转换器的电容失配校准方法
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1838-1842
    摘要： 对于流水线模数转换器(ADC),电容失配是一种主要的非线性误差源.为了减小电容失配误差,提出了一种电容失配校准的方法.该方法通过一种电荷相加、电容交换和电荷反转移的电路技术,可将电容失配误差...
  • 27. ISO 14443单芯片读卡机放大、滤波和量化电路的设计
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1843-1847
    摘要： 介绍了ISO 14443解调电路解调后滤波、放大和量化电路的设计,提出了一种新的阈值电压可变的比较器结构.电路经O.6μm工艺生产线流片验证,测试结果显示:电路可在2.5～5.5V电压范围内...
  • 28. 一种DC-DC芯片内建可测性设计
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1848-1853
    摘要： DC-DC芯片设计中有许多内部参数需要检测和控制,有限的引脚数目使得直接测试内部参数比较困难.文中提出一种通用性很强的内建可测性设计方法,在芯片内部设计时只需要增加规模较小的测试电路,就可以...
  • 29. 一种低延迟低功耗的片上全局互连方法
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1854-1859
    摘要： 提出了一种用于片上全局互连的混合插入方法.该方法利用中继驱动器和低摆幅差分信号电路在驱动不同长度连线时的优点,将它们混合插入到连线的合适位置,从而降低互连的延时和功耗.模拟结果表明,该方法与...
  • 30. 1.3μm GaAs基GaInNAs量子阱生长与激光器研制
    作者：
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2005年9期
    页码:  1860-1864
    摘要： 报道了中国第一只1.30μm单量子阱边发射激光器的材料生长、器件制备及特性测试.通过优化分子束外延生长参数,调节In和N组分含量使GaInNAs量子阱的发光波长覆盖1.3μm范围.脊形波导条...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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