半导体学报(英文版)期刊
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名: 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办,中国科学院半导体研究所承办的学术刊物,报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展,被EI、CA、SA等收录,在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有:研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉:
中科院优秀期刊二等奖(90)  全国优秀期刊三等奖(92)  全国优秀期刊三等奖(97) 
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
出版周期:
月刊
邮编:
100083
地址:
北京912信箱
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  • 作者: 刘小平 邵乐喜 黄惠良
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  49-51
    摘要: 结合ZnO薄膜在Cu-Ⅲ-Ⅵ2基薄膜太阳电池上的应用,采用射频磁控溅射技术以陶瓷ZnO:Al2O3为靶材在ZnS/CuInS2/Mo/钠钙玻璃衬底上于固定沉积条件下低温(200℃)制备了铝掺...
  • 作者: 余金中 刘敬伟 夏金松 樊中朝 王章涛 陈少武
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  212-215
    摘要: 报道了基于SOI(silicon-on-insulator)材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展.给出了截面为梯形的脊波导的单模条件,设计制备了MMI(multimode inte...
  • 作者: 朱逢吾 李宝河 杨涛 翟中海 黄阀
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  32-35
    摘要: 采用直流磁控溅射方法制备了Fe/Pt多层膜和FePt单层薄膜,并在不同温度下真空热处理得到了有序相L10-FePt薄膜.研究表明,Fe/Pt多层膜化可以降低FePt薄膜有序相的转变温度.[F...
  • 作者: 严清峰 余金中 陈媛媛 陈少武
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  216-219
    摘要: 采用有效折射率方法EIM(effectiveindex method)和二维束传播算法(2D-BPM)对SOI(silicon-on-insulator)波导弯曲损耗的几种影响因素进行了分析...
  • 作者: 张忠卫 彭冬生 池卫英 涂洁磊 王亮兴 陈超奇 陈鸣波
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  196-199
    摘要: 从电池的结构参数及器件工艺等方面分析了Ge底电池的开路电压Voc、短路电流Isc和填充因子FF的影响.结果表明:控制发射层的表面复合,并减薄其厚度可以提高开路电压Voc,并可以有效提高短路电...
  • 作者: 刘宏新 吴荣汉 张南红 徐应强 曾一平 李晋闽 王军喜 王晓亮 肖红领 韩勤
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  16-19
    摘要: 由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和...
  • 作者: 余金中 左玉华 成步文 李传波 毛容伟 王启明
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  20-23
    摘要: 报道了微腔对Ge量子点常温光致发光的调制特性.生长在SOI硅片上的Ge量子点的常温光致发光呈多峰分布,随波长增加,峰与峰之间的间隔增加.这种多峰结构与SOI硅片所形成的微腔有关,只有满足特定...
  • 作者: 杜金玉 沈光地 渠红伟 董立闽 达小丽 邓军 郭霞
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  129-131
    摘要: 采用低压金属有机化合物气相外延生长技术,应用AlAs/AlGaAs选择性湿氮氧化工艺实现光、电限制,制备出具有一定性能的980nm内腔接触式氧化物限制型顶发射980nm垂直腔面发射激光器(V...
  • 作者: 朱启乐 李宝军 李章健 李静 林旭彬 王钢 蔡志岗 赵玉周 陈志文
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  225-228
    摘要: 理论分析和设计了一种用于850和1550nm两个光通信窗口的、集波长信号分离和光开关功能于一体的智能集成分波光开关,并将弧形结构全内反射面用于该集成结构中.基于Si基半导体SiGe合金材料的...
  • 作者: 蒲红斌 陈治明
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  143-146
    摘要: 利用窄能隙SiCGe三元合金,采用SiCGe/SiC pn异质结产生基极光电流方法,提出了新型SiC光控达林顿异质结晶体管功率开关结构,并用二维数值模拟软件对其导通机理进行了研究.分析结果表...
  • 作者: 何泓材 南策文 周剑平 周西松 林元华 王建飞
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  74-77
    摘要: 控制单脉冲能量为350mJ,脉冲频率为5Hz,控制合适的基底温度,利用脉冲激光沉积法制备出Bi2Ti2O7薄膜材料.结果发现,SiO2基底温度控制在500~600℃,均能获得纯的Bi2Ti2...
  • 作者: 张国义 杨志坚 潘尧波 王琦 章蓓 胡成余 胡晓东 陆敏 陆羽 陈伟华 黎子兰
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  28-31
    摘要: 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周...
  • 作者: 叶小玲 徐波 王占国 钱家骏 陈涌海 韩勤
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  184-188
    摘要: 利用固态源分子束外延技术,按S-K模式生长出五层堆垛InAs/GaAs量子点(QD)微结构材料.用这种QD材料制成的激光器,内光学损耗为2.1cm-1,透明电流密度为15士10 A/cm2....
  • 作者: 沈光地 渠红伟 王红航 董立闽 郭霞
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  180-183
    摘要: 介绍了可调谐激光器的意义和它的基本调谐方法及调谐原理.对影响微机械可调谐垂直腔面发射激光器调谐范围的因素做了重点分析,计算了空气隙的最大变化范围和由此引起的激射波长的调谐范围.
  • 作者: 刘延祥 唐绍裘 夏冠群 程宗权 郑燕兰
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  132-135
    摘要: 引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取...
  • 作者: 崔勇国 张宝林 张源涛 朱慧超 杜国同 杨树人
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  102-105
    摘要: 采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.~630℃温度下沉积.通过X射线衍射和透射光谱研究了薄膜的结构和光学特...
  • 作者: 何燕冬 段小蓉 许铭真 谭长华
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  126-128
    摘要: 研究了2.5nm超薄氮氧硅薄膜的软击穿电导特性.统计实验结果表明,软失效电导和软失效时间与环境温度之间均遵从AHhenius规则,而且软失效电导和软失效时间遵从一个反对称的规律.它们源于同一...
  • 作者: 孙增辉 张晓帆 张道中 许兴胜 陈弘达
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  87-90
    摘要: 提出了带隙在近红外波段的环形光子晶体,主要有一系列环形的孔在背景材料为GaAs上构成.发现带隙不依赖于入射方向,很少的几排即可在透过谱上产生带隙.六角形构成的环形光子晶体的S波和P波的透过谱...
  • 作者: 杜金玉 沈光地 渠红伟 董立闽 邓军 邹德恕 郭霞
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  281-284
    摘要: AlAs/AlGaAs湿法氧化技术是制备氧化物限制型VCSELs工艺中极为重要的一步,形成的氧化孔会直接影响到器件的各个特性参数,故有必要对氧化动力学规律进行深入地研究.首先根据大量氧化实验...
  • 作者: 朱启乐 李宝军 李章健 李静 林旭彬 王钢 蔡志岗 赵玉周 陈志文
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  229-232
    摘要: 提出了一种宽度从微米到亚微米、深亚微米、再到纳米级渐变的微纳集成结构光波导,并通过理论分析和模拟计算得到了基于Si基半导体材料的微纳集成光波导参数.其制作工艺非常简单,插入损耗在1~2.5d...
  • 作者: 姚飞 成步文 王启明 薛春来
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  117-120
    摘要: 用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有利于欧姆接触的制备,...
  • 作者: 周洲 曾庆明 李献杰 王勇 王晓亮
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  151-154
    摘要: 介绍了非掺杂GaN HEMT微波功率器件的结构、制造工艺和测试结果.制作了几种0.6μm栅长、100~1000μm不同栅宽的器件,对于栅宽分别为100,300和500μm的器件,典型最大跨导...
  • 作者: 周毅 左超 申荣铉 贾久春 陈弘达
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  233-237
    摘要: 介绍了万兆以太网技术(10 gigabit ethernet technology).万兆以太网使用以太网结构实现10Gbit/s点对点传输,距离可达到40km,使以太网的应用从局域网扩展到...
  • 作者: 左玉华 成步文 李传波 毛容伟 王启明 蔡晓 赵雷
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  200-203
    摘要: 研究了热处理对Si基热光Fabry-Perot(F-P)腔可调谐滤波器的影响,用原子力显微镜分析了高温热退火前后的器件表面变化.发现随着退火温度的升高,器件的透射峰发生蓝移,同时透射峰强度及...
  • 作者: 孙国胜 张永兴 曾一平 李晋闽 王雷 赵万顺 高欣
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  113-116
    摘要: 化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术.为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向<1120>方向8°的4H-SiC(0001)Si-面衬底上,利用台阶控制生长技...
  • 作者: 陈刚
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  273-276
    摘要: 对不同工艺条件下的NiCr/4H-SiC欧姆接触特性进行了对比研究,得到了良好欧姆接触的最佳工艺条件,为SiC MESFET器件的实现奠定了基础.文中介绍了欧姆接触的工艺流程,并通过TLM方...
  • 作者: 周劲 张国义 杨志坚 武国英 郝一龙
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  247-251
    摘要: 在蓝宝石衬底上,用MOCVD(金属有机物气相沉积)法外延生长AlGaN/GaN异质结样品.溅射Ti/Al/Ni/Au和Ni/Au金属膜,在氮气气氛中高温快速退火,分别与样品形成欧姆接触和肖特...
  • 作者: 刘伟 徐萍 曾一平 曾宇昕 杨富华 章昊 谭平恒 边历峰 郑厚植
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  238-242
    摘要: 研究了阱中生长自组装InAs量子点的光谱特性,获得了室温1.265μm近红外荧光发光,探讨了与量子点尺寸分布相关的发光峰随温度的超常红移现象.制备了内嵌InAs量子点的异质结调制掺杂场效应晶...
  • 作者: 夏君旨 安俊明 李健 李建光 王红杰 胡雄伟 郜定山
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  220-224
    摘要: 采用传输函数法对硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG)的相位系统误差和随机误差进行了详细的分析.系统误差的模拟结果表明阵列波导的有效折射率和相邻阵列波导长度差ΔL的偏移将会对使中心波长λ0偏离设...
  • 作者: 丁琨 刘丰珍 刘金龙 周炳卿 张群芳 朱美芳 李国华 谷锦华
    发表期刊: 2005年z1期
    页码:  98-101
    摘要: 利用13.56MHz射频等离子体增强化学气相沉积技术高速沉积非晶/微晶过渡区的微晶硅(μc-Si:H)薄膜.研究了沉积压力、射频功率、电极间距、氢稀释度等参数对沉积速率、电学性质等的影响.选...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖(90)
2. 全国优秀期刊三等奖(92)
3. 全国优秀期刊三等奖(97)

半导体学报(英文版)统计分析

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