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半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 提出了一个用于CMOS图像传感器的9位10MS/s、低功耗流水线ADC.为降低功耗,该设计通过采用低功耗、宽摆幅的带有增益增强结构的放大器以及将所有单元共用偏置电路的技术来实现.共用偏置技术...
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362. 射频接收机中低抖动双模分频器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 对射频接收机中双模分频器的设计和应用进行了研究.提出了一种改进型D-latch以提高双模分频器速度与驱动能力,一种将D-latch与"或"逻辑门集成的结构以降低电路的复杂度.采用TSMC 0...
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363. 干法氧化制备SiGe弛豫缓冲层及其表征刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： SiGe弛豫缓冲层是高性能Si基光电子与微电子器件集成的理想平台.通过1000℃干法氧化组分均匀的应变Si0.88Ge0.12层,在Si衬底上制备了表面Ge组分大于0.3,弛豫度大于95%,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)太阳电池J-V特性曲线进行了测试和分析,采用Matlab软件进行计算,得到电池的二极管品质因子、反向饱和电流密度、串联电阻、并联电阻等特性参数.采...
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365. 一种高性能InP基谐振隧穿二极管的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 设计并用分子束外延技术生长了InP基InGaAs/AlAs体系RTD材料,采用传统湿法腐蚀、光学接触式光刻、金属剥离、台面隔离和空气桥互连工艺,研制出了具有优良负阻特性和较高阻性截止频率的I...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 利用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长了高质量的GaN HEMT材料.1μm厚GaN外延层XRD (002) 摇摆曲线半高宽573″,(102) 摇摆曲线半高宽668″.通过插入层技术...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 采用计算机模拟的方法,计算了SiO2/Al,ITO/Al,SiO2/Au和ITO/Au全方位反射镜结构和分布式布拉格反射镜的反射特性.用PECVD和溅射设备制作了Glass/SiO2/Au结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 设计了目标探测波长为320nm的AlGaN基共振腔增强的p-i-n型紫外光电探测器,共振腔由分别作为底镜和顶镜的AlN/Al0.3Ga0.7N布拉格反射镜和空气/GaN界面组成,有源区p-G...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 基于JFET原理,采用Double RESURF技术,对SENSFET的降场层注入剂量、始点位置和长度以及Nwell注入剂量等进行优化设计,得到了耐压730V、JFET线性区电阻为7.2×1...
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370. 宽带CMOS可变增益放大器的设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计实现了一种对数增益线性控制型的宽带可变增益放大器.电路采用两级结构,前级采用电压并联负反馈的Cascode结构以实现良好的输入匹配和噪声性能...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 提出了基于寄生参数自校正的高精度温度传感器,并给出了基于CSMC 0.5μm混合信号CMOS工艺的仿真结果.利用CMOS工艺衬底pnp三极管的发射区-基区pn结作为温度传感单元,提出了易于开...
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372. 一种硅纳米梁负载-偏转特性的多尺度模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 根据能量法,提出了一种用于分析硅纳米梁静态弯曲的多尺度模型.与传统的连续介质模型相比,该模型考虑了梁厚度方向进入纳米尺度所带来的物理特性,因此,可以适用于纳米尺寸到宏观尺寸的硅梁.计算结果表...
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373. 基于RT器件的三值与非门、或非门电路设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 共振隧穿(resonant tunnel,RT)器件本身所具有的微分负阻(negative differential resistance,NDR)特性使其成为天然的多值器件.文中利用RT器...
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374. 低杂散锁相环中的电荷泵设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 用TSMC 0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路.传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围.文中采用与电源无关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 提出了一种应用于频率综合器的全差分电荷泵电路.该电荷泵结构可以很好地克服沟道长度调制效应的影响,使充放电电流在宽输出电压范围内实现精确匹配,从而使频率综合器的压控电压纹波(ripple)很小...
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376. 模拟VLSI电路故障诊断的相关分析法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 为了提高模拟VLSI电路的测试精度,提出了一种基于数字信号处理的模拟VLSI电路测试方法.将测试响应经余弦调制实现的数字滤波器组完成子带滤波,随后对各子带滤波序列进行能量计算和相关分析,实现...
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377. 高线密度X射线透射光栅的制作工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5 mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 基于SU-8胶的UV-LIGA技术是MEMS中制备高深宽比结构的一种重要方法,但由于衍射效应会使结构的侧壁不再垂直.根据菲涅耳衍射模型,考虑了丙三醇/SU-8界面的反射和折射现象,模拟了丙三...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要： 基于芯片/磨粒/抛光垫的微观接触力平衡关系,建立了考虑抛光垫/磨粒大变形和粘着力效应的微观接触模型.模型预测结果表明:对于Cu和SiO2芯片而言,粘着力对磨粒所受外力具有重要影响作用;考虑粘...
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380. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年12期页码:摘要：
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381. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年8期页码:摘要：
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382. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年6期页码:摘要：
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383. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用计算流体力学方法对生长GaN的立式行星结构金属有机物化学气相沉积(MOCVD)反应室中的流场、空间气相反应和载片表面沉积速率进行了三维数值模拟,研究了载片旋转、反应室高度、氨气流量和基座...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发...
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386. 成核层退火压力对形成高阻GaN的作用刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用了MOCVD生长技术来获得高阻GaN,发现GaN的方块电阻会随着成核层退火压力的降低而迅速升高.当成核层退火压力降到75torr时,形成了高阻GaN,方块电阻达到1011Ω/□以上.原子...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 用金属有机物化学气相沉积技术(MOCVD)在半绝缘4H-和6H-SiC衬底上研制出了高性能的具有国内领先和国际先进水平的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料,室温二维电子气迁...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用金属有机物化学气相淀积系统(MOCVD)制备了AlGaN基多波段布拉格反射镜.多个布拉格反射镜的工作波长覆盖从蓝绿光至紫外范围,分别由多周期的双层结构GaN/AlN,Al0.3Ga0.7...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用真空蒸镀技术在钠钙玻璃衬底上蒸镀Cu/Sn/ZnS前驱体,在氮气保护下,硫化制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜.运用X射线衍射仪(XRD)、Hall效应测试仪、紫外-可见光(UV-...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 借助传输剂的作用,化学气相传输法(CVT)ZnO单晶生长过程具有足够高的组分过饱和蒸气压,因而具有很强的生长驱动力.控制单晶的成核和生长模式成为获得大尺寸ZnO单晶的关键.对不同条件下CVT...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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