论文降重
免费查重- 钛学术文献服务平台 \
- 学术期刊 \
- 工业技术期刊 \
- 无线电电子学与电信技术期刊 \
- 半导体学报(英文版)期刊 >
半导体学报(英文版)2007年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
分享
投稿
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
分享
文章浏览
目录
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用分子束外延的方法在理想清洁的CdZnTe表面蒸金,获得了Au/CdZnTe肖特基接触.采用同步辐射光电子能谱研究了Au与CdZnTe(110)和(111)A面的肖特基接触势垒.实验测得A...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用低温分子束外延技术分别在InGaAs和GaAs缓冲层上进行了CrAs薄膜的生长.截面高分辨透射电子显微镜图像表明,两种过渡层上生长的CrAs薄膜都保持着闪锌矿结构.利用超导量子干涉仪测量...
-
424. 光子晶体垂直腔型表面发射和接收光电子器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 介绍了制作光子晶体垂直腔面发射激光器实验研究的主要内容,包括材料的光谱测试分析、氧化工艺以及制作光子晶体等,成功制作了波长在980nm附近的光子晶体垂直腔面发射激光器.在此基础上,采用高精度...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 介绍了Agilent HBT大信号模型参数提取方法,继承并改进了Gummel-Poon模型和VBIC模型参数的提取方法,以及对分布电容、本征电阻和渡越时间的参数提取技术,并对单指InP HB...
-
426. 蓝宝石衬底表面的高精密加工工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 为了获得优化的CMP参数变化,对实验进行了设计,并采用CMP方法在C6382I-W/YJ单面抛光机上对蓝宝石衬底表面进行了加工.根据蓝宝石衬底特性,选择了碱性抛光液,并选用SiO2胶体作为磨...
-
427. 前处理蓝宝石衬底上生长高质量GaN薄膜刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用化学方法腐蚀部分c面蓝宝石衬底,在腐蚀区域形成一定的图案,利用LP-MOCVD在经过表面处理的蓝宝石衬底上外延生长GaN薄膜.采用高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)、透射光谱分析GaN...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 在GaAs衬底上用分子束外延分别生长了单层和五层垂直堆垛的InAs/GaAs量子点结构.室温光致发光实验表明,五层堆垛结构较单层结构的发光峰位红移180nm,实现了1.3μm发光.结合透射电...
-
429. 立体光刻技术制备三维光子晶体刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 以三维金刚石结构光子晶体为例,采用立体光刻技术(SLA)进行三维光子晶体的制备研究.微波透射谱测试表明,所制备的光子晶体的禁带分布在12.3～13.4GHz之间,与理论计算值一致,表明立体光...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率...
-
431. 直拉SiGe合金的高温Seebeck系数刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 为了更好地发掘SiGe合金的热电转换性能的潜力,对几组不同的SiGe合金样品进行了性能测试,主要是对不同参数样品的Seebeck系数值进行对比,从而得出热电性能的最佳组合.不仅比较了不同组分...
-
432. 沉积参数对CVD金刚石晶粒尺寸的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用DC Arc Plasma Jet CVD方法制备了金刚石自支撑膜体,考察了温度分布、沉积腔压和CH4/H2等沉积参数对所制备金刚石膜体中的晶粒尺寸的影响.实验发现沿温度降低的方向和增加...
-
433. 有机电致发光器件中载流子的动态分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 通过对有机电致发光器件中电子和空穴进行动态分析,对其发光机理进行详细研究与探讨,得出以下结论:有机电致发光材料的载流子传输性能影响着载流子在发光层禁带中的分配和载流子复合区域位置;有机电致发...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用多种测试方法,对改进的垂直布里奇曼法生长Cd0.96Zn0.04Te晶体中的成分偏离标准化学计量比现象及其对晶体性能的影响进行了研究.X射线能谱成分测试表明,在晶锭的头部即初始结晶位置,...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石衬底上生长了Al组分阶变势垒层结构的AlGaN/AlN/GaN高电子迁移率晶体管结构材料.用三晶X射线衍射(TCXRD)和原子力显微镜(A...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： n-SiOxNy是硅上热生长的超薄绝缘SiOxNy薄膜在电、热应力作用下形成的一种具有双施主型掺杂的宽带隙(Eg=9eV)n-型半导体材料.随着施加电应力时的环境温度的增加,n-SiOxNy...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 在c面和r面蓝宝石上用氧气和甲醇作为氧源分别沉积了ZnO薄膜.用X射线双晶衍射(DCXRD)、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)对ZnO薄膜综合表征.证实了,面蓝宝石的表面能比...
-
438. LEC GaAs晶片的表面缺陷与晶体缺陷刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 通过激光散射扫描的宏观检测方法检测非掺杂LEC半绝缘GaAs晶片(100)晶向的抛光片颗粒度时,意外发现一种源自晶体的微缺陷,该微缺陷在晶体中有四个聚集团,这为认识研究此类缺陷的一些宏观性质...
-
439. 铌酸锂CMP速率的影响因素分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 对铌酸锂晶片平整化加工的CMP机理进行了分析,加速质量传输是CMP获得完美表面的关键,化学反应是CMP过程的控制因素,增强化学反应可提高CMP速率.通过对不同抛光液的pH值、磨料浓度及抛光压...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用一种全新的偏振透射差分法-PTD(polarization transmittance difference)法来测量半导体衬底材料的内应力分布.由于该方法使用了偏振调制技术,无需旋转样...
-
441. GaN基金属-半导体-金属探测器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长出非故意掺杂的GaN外延层,并在GaN层上制作Ni/Au肖特基电极形成金属-半导体-金属(MSM)结构的探测器.对探测器暗电流进行了测试分析,发现在大电压...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用国际通用的ColdFET以及宽带小信号提取方法对AlGaN/GaN HEMT器件进行小信号参数的提取,用仿真软件ADS(advanced design system)建立HEMT小信号等...
-
443. ITO与p型SiCGe的接触特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用直流磁控溅射系统在p型SiCGe和载玻片衬底上沉积ITO薄膜,并研究其ITO与p型SiCGe的接触特性与p型SiCGe制备条件、退火温度、退火时间的关系.结果表明:p型SiCGe制备条件...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： InGaP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)是当前微波毫米波领域中具有广阔发展前景的高速固态器件,其直流特性是器件重要参数之一.本文采用Medici软件对两种InGaP/GaAs外延结构H...
-
445. 液滴外延自组织GaAs纳米结构刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 介绍了利用液滴外延法在晶格匹配体系AlGaAs/GaAs上自组织生长几种GaAs纳米结构.实验证实Ga液滴的形貌随晶化温度和As束流的不同而发生变化,形成一些有趣的GaAs纳米结构,如量子点...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用射频(RF)磁控溅射的方法,通过改变工作气氛中氩气和氧气的比例,在Si(100)衬底上沉积出具有高度C轴择优取向的ZnO薄膜.实验发现随着O2/(Ar+O2)比的增加,薄膜的沉积速率下降...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 针对Si衬底上生长GaN具有的特有形貌进行了研究,分析采用扫描电镜(SEM)、X射线能谱仪(EDS)、原子力显微镜(AFM)等手段,研究了使用AlN作为缓冲层的GaN的生长模式、缺陷形成机理...
-
448. 应变对PbSe材料晶格振动的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 在晶格失配的BaF2衬底上用分子束外延技术生长了不同厚度的PbSe单晶薄膜,PbSe外延薄膜的喇曼光谱测量到:位于136～143cm-1之间的布里渊区中心纵光学声子(LO)振动,位于83～8...
-
449. 大直径SI-GaAs中的位错和微缺陷刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见.本文对样品...
-
刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年z1期页码:摘要： 采用分子束外延技术生长了非人为掺杂的PbSe单晶薄膜,研究了薄膜中声子散射对空穴迁移率的影响.并用霍尔效应和变温电阻率测量方法分析了电学特性,得到PbSe薄膜均具有P型导电性,载流子浓度为(...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
被引趋势
(/次)
(/年)
学科分布
研究主题
推荐期刊
- 期刊分类
- 最新期刊
- 期刊推荐
- 相关期刊
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
安徽电子信息职业技术学院学报
半导体光电
半导体光子学与技术(英文版)
半导体技术
半导体学报(英文版)
北京电子
电信建设
北京通信之窗
吉林大学学报(信息科学版)
重庆邮电大学学报(自然科学版)
湖南邮电职业技术学院学报
磁性材料及器件
电波科学学报
电声技术
电讯技术
电子学报
电子学报(英文)
电力电子
电力系统通信
电路与系统学报
电气电子教学学报
电视技术
影视制作
电信工程技术与标准化
电信交换
