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半导体学报(英文版)2007年第4期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 用原子力显微镜和扫描电镜相结合的方法表征了KOH腐蚀后的Si掺杂GaN外延层中的位错腐蚀坑.根据腐蚀坑的不同形状和在表面的特定位置可将其分成三种类型,它们的起源可由一个关于腐蚀机制的模型加以...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 设计并制备了一种新颖的在栅下开硅窗口的图形化SOI LDMOSFET.该器件具有良好的直流和射频特性:输出曲线平滑,没有明显翘曲(kink)效应;静态击穿电压为13V;在栅漏偏压为3.6V时...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 在阳极短路型门极可关断晶闸管(SA-GTO)的基础上,提出了一种新颖的注入效率可控的门极可关断晶闸管(IEC-GTO),其注入效率可通过一层位于阳极短路接触区的薄氧化层来控制.模拟了IEC-...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 提出了一种对带隙基准电压进行多点曲率补偿的新思路,给出了它的设计原理、推导过程和一种实现电路.与传统的曲率校正方法不同,分布式曲率补偿着眼于在整个温度范围内寻找多个基准输出电压对温度的一阶导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×10...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 低温条件下具有肖特基围栅结构的GaAs基单电子晶体管可重复探测到THz光子的光电流响应.实验表明,2.54THz的CH3OH气体激光垂直入射到单电子晶体管的量子点上,在随栅压变化的源漏共振电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 分析了外界惯性冲击对低真空封装的旁路电容式RF MEMS开关性能的影响.得到了近似计算外界惯性冲击引起位移的解析式.在已知最大容许插入损耗和外部惯性冲击环境条件下,MEMS开关支撑梁的最小机...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 研制了一种基于AlGaN/GaN HEMT的功率合成技术的混合集成放大器电路.该电路包含4个10×120 μm的HEMT晶体管以及一个Wilkinson功率合成器和分配器.在偏置条件为VDS...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 提出了一种新颖的宽范围CMOS可变增益放大器结构.利用可变跨导和新颖的可变输出电阻,基于单独可变增益级的放大器可提供80dB的宽范围调节.同时控制电路的设计完成了温度补偿及dB线性增益特性,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 通过提高MIM电容的调整范围,实现了一个覆盖3.2～6.1 GHz的CMOS LC VCO.该VCO使用0.18μm射频CMOS工艺制作,芯片面积约为1260μm×670μm.当输出5.5G...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 提出了一种新型热感功耗模型,该模型能够准确估计出电压调整情况下的功耗和温度.实验结果表明如果忽略热效应,泄漏功耗将会被低估最高达52%.使用电压调整技术对电路的能量消耗和温度进行协同优化时,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 采用TSMC公司标准的0.18μm CMOS工艺,设计并实现了一个全集成的2.5Gb/s时钟数据恢复电路.时钟恢复由一个锁相环实现.通过使用一个动态的鉴频鉴相器,优化了相位噪声性能.恢复出2...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 对无线局域网接收机用锁相环型频率综合器的几项关键技术进行了研究.首先分析了锁相环型频率综合器的结构并提出了系统的主要参数.采用TSMC 0.18μm射频CMOS工艺设计了一个具有低相位噪声的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 在n-型掺杂弱耦合GaAs/AlAs超晶格中,沿着垂直于超晶格平面方向加一个静态磁场,研究电子的隧穿过程.随着磁场的增加,相邻量子阱基态间的隧穿电流增加.这是由于磁场导致电子的隧穿机制发生了...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物,探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律.研究结果表明:x=1时化合物的平均键角畸变△θ最大为4...
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16. CdS/CdTe太阳电池的背接触刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 磷硝酸腐蚀是一种适宜于工业化生产的背表面刻蚀工艺.文中采用磷硝酸腐蚀CdTe薄膜,并用溴甲醇腐蚀作为对照实验,研究了两种腐蚀对材料性质的影响.随后用真空蒸发法分别沉积了四种背接触层,提出了适...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 在半绝缘的InP衬底上采用分子束外延的方法生长制备了不同势垒厚度的RTD材料样品,室温下测量的最高峰-谷电流比为18.39.通过模拟得到RTD直流特性与势垒厚度、势阱材料及厚度、隔离层厚度以...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 为得到GaN HEMT器件的小信号等效电路,在传统的GaAs HEMT小信号模型的基础上引入了反应栅漏电流的反馈电阻Rlgs,Rlgd,并在此基础上引入分布式设计对小信号等效电路模型进一步改...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 在深入研究SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上,提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源,并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述.结合IMEC和TSMC...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 从双频信号模型出发,分析了包络通道带宽和相位包络间信号延时差对交调失真的共同影响,得出了一个更符合测试结果的通用简化模型.该简化模型克服了Raab模型只能处理零延时差和无穷包络通道带宽这两个...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 采用0.5μm GaAs PHEMT工艺研制出了一种单片集成850nm光接收机前端,它包括金属-半导体-金属(MSM)光探测器和分布放大器.探测器光敏面积为50μm×50μm,电容为0.17...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下...
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24. 光电耦合器电流传输比的噪声表征刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 介绍了一种基于横向金属接触的DC-5GHz单刀双掷RF MEMS开关的研究与设计.横向金属接触开关包括了一套有限的共面波导(FGCPW)传输线和左右摆动的悬臂梁.为了降低开启电压,设计了一种...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 以La0.7Sr0.3FeO3为敏感材料,设计制成了一种新型的共平面结构气体传感器.基于有限元分析软件Ansys对该传感器结构进行了优化设计.实验测得该传感器对于500ppm浓度乙醇气体的灵...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 通过使用特殊的存储单元,减小工作电流,设计了一种32×32 bit的1写8读9端口寄存器堆,读操作位线和写操作位线都实现了低摆幅,结合使用自复位地址译码电路、门限时钟和优化的时序控制电路等,...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 研究了Sn37Pb,Sn3.0Ag0.5Cu和Sn0.7Cu三种焊料BGA焊点在电迁移作用下界面的微观组织结构.在60℃,1×103 A/cm2电流密度条件下通电187h后,Sn37 Pb焊...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要： 2006年国家自然科学基金委员会半导体学科组受理的面上项目申请数较2005年增长近17%.本文简介了具体的申请与资助概况,分析了半导体学科受理申请的近期动态,介绍学科拟采取的对策,并附200...
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30. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年4期页码:摘要：
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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