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半导体学报(英文版)2007年第7期出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
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6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 研究了等离子体放电过程中氢原子对单层SnO2和SnO2/ZnO双层透明导电膜的影响.发现当衬底温度超过150℃,H等离子体处理使SnO2薄膜的透光率显著降低.当在SnO2薄膜表面沉积一层Zn...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 对有机/无机光电探测器PTCDA/p-Si样品表面进行AFM测试,结果表明PTCDA呈岛状生长,各岛成圆丘状,岛的分布不均匀,PTCDA层中存在大量缺陷.原因是p-Si(100)衬底的表面原...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 利用保偏光纤MZ干涉仪测量了光学各向异性薄膜材料的电光效应.与传统MZ干涉仪相比,该干涉仪中所有的部件都采用保偏光纤进行连接.光源采用一个偏振输出最大功率为10mW的DFB激光器,用以得到高...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 为实现并行直流转换电源系统中转换器电流的均衡分布,降低转换器承受的电、热应力,提高系统可靠性,给出一种采用自动主从控制策略的均流方案,并给出了方案实现的关键部件--均流控制芯片的设计.设计中...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 提出了一种简洁的新型4H-SiCMESFET经验大信号模型.在Materka漏电流模型基础上,改进了沟道调制因子和饱和电压系数的建模方式,电容模型采用了改进的电荷守恒模型.参数的提取和优化采...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 提出了一种基于恒流-恒压(CC-CV)充电模式的锂电池充电器.在CC-CV充电模式下,充电器先给电池提供大的充电电流;在电池电压尚未到达饱和之前,充电电流便开始减小;电池电压达到饱和并保持恒...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 提出了基于CMOS工艺的直接频率变换的DVB-S射频前端电路设计.设计采用了T型匹配网络的可变衰减器、具有单端到双端变换功能的低噪声放大器以及低噪声混频器.通过使用衰减器,系统处理线性度的能...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 用数值方法将室温n型GaN补偿度θ表示为Caughey-Thomas解析模型函数.对大多数非故意掺杂样品,该模型值θChin与Chin等人的理论值及普遍采用的变温霍耳测量拟合值比较表明,三者...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 采用能量法计算了表面不带氧化层的Si纳米板和表面带不同厚度氧化层的Si纳米板的杨氏模量.结果表明,表面带氧化层的Si纳米板杨氏模量随着板厚度的减小而增加,不带氧化层的则随之降低,但当板厚度增...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 采用OPA-MBE方法在SrTiO3(STO)衬底上成功制备了Mn0.1Ti0.9O2-δ(MTO)稀磁半导体薄膜.利用X射线衍射仪、X射线光电子能谱仪、紫外可见光分度计以及直流四探针测试仪...
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12. 八羟基喹啉镉薄膜制备及其光学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 用真空蒸镀方法,在玻璃衬底上制备了衬底温度不同的八羟基喹啉镉薄膜.XRD分析表明,八羟基喹啉镉薄膜呈多晶态,且衬底温度越高,衍射峰越强,薄膜的结晶性能逐渐变好,结晶晶粒尺度也越大.AFM研究...
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13. 碲铟汞晶体的生长及其电学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 利用垂直Bridgman法成功生长了Hg3-3χIn2χTe3(MIT)(χ=0.5)单晶体,并用XRD,RO-XRD及霍尔测量对晶体的结晶质量及电学性能进行了研究.结果表明,所生长的晶体为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 研究了MOCVD技术制备的不同B2H6掺杂流量下ZnO薄膜的微观结构和光电性能变化.XRD和SEM的研究结果表明,ZnO薄膜具有(110)峰择优取向的绒面结构特征.当B2H6流量为10scc...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 通过改进推舟液相外延技术,成功地在(211)晶向Si/CdTe复合衬底上进行了HgCdTe液相外延生长,获得了表面光亮的HgCdTe外延薄膜.测试结果表明,(211)Si/CdTe复合衬底液...
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16. 一维硅氧线的水热法制备及光致发光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 以SiO粉末为原料,采用水热法成功地制备出一维纳米硅氧线,并通过扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察该一维硅氧线的形貌,可知其直径为100～200 nm,长度可以达到几十微...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0～2.6 μm.高分辨...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 采用亲疏水两种不同的处理方法,在氮气保护、600℃热处理1h条件下,成功实现了GaN和GaAs异质材料的键合,两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求.从亲疏水键合机理的不同出发...
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19. P-GaN ICP刻蚀损伤研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 运用Cl2/N2等离子体系统,系统研究了ICP刻蚀中ICP功率、RF功率、反应室压力和Cl2百分比对p型GaN材料的物理表面形貌和欧姆接触特性的影响.原子力显微镜显示,在文中所用的刻蚀条件范...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 经过对器件结构、钝化等工艺的改进,成功研制出总栅宽为19.2mm的GaAs功率HFET.两管芯合成的内匹配器件,当Vds=9V,输入功率Pin=35dBm时,在f=13.7～14.5 GHz...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 依据RTD/HEMT串联型RTT的概念,设计了RTD/HEMT单片集成材料结构,该结构采用分子束外延技术生长.采用湿法化学腐蚀、金属剥离、台面隔离和空气桥互连技术,研制了RTD/HEMT串联...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 对于从红外热像图得到的实际的晶体管结温分布,通过热谱分析方法获得该温度分布对应的热谱曲线,进而建立了晶体管子管并联模型,并在此基础上,经过实验和理论计算证实了pn结中小电流过趋热效应存在的真...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 研究了MOCVD生长的具有双发射峰结构的InGaN/GaN多量子阱发光二极管(LED)的结构和发光特性.在透射电子显微镜(TEM)下可以发现量子阱的宽度不一致,电致发光谱(EL)发现了位于2...
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25. 垂直腔面发射激光器的温度模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 针对垂直腔面发射激光器提出了一种改进的温度模型.该模型建立在半导体激光器Tucker模型的基础之上,通过令器件的寄生电阻和反向饱和电流受温度控制,来模拟激光器的输入特性(Ⅴ-Ⅰ特性),通过引...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 利用有机/无机杂化方法制备了光敏性溶胶-凝胶(sol-gel)SiO2材料,在硅基片上旋涂成膜.研究了薄膜折射率和厚度随紫外曝光时间、后烘温度及时间等外界工艺条件的变化关系.利用紫外光直写技...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 为了降低C-RAM器件的操作电流,利用0.18μm标准CMOS工艺线制备出外径为260nm的W亚微米管加热电极,并对其进行了电学性能的表征.使用W亚微米管加热电极制备出C-RAM器件,并通过...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 以设计输出电流为800mA的高稳定线性稳压器(low-dropout voltage regulator,LDO)为目标,利用工作在线性区的MOS管具有压控电阻特性,构造零点跟踪电路以抵消随...
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30. 新型静电泄放保护电路设计方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2007年7期页码:摘要： 提出了一种新的静电泄放(electrostatic discharge,ESD)保护电路设计方法.相比传统以经验为基础、采用电路设计和硅片验证之间反复实验的ESD设计方法,新方法降低了成本,...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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