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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出一种结合双低温缓冲层和应变超晶格优势的高质量InP-on-GaAs复合衬底制备技术．研究发现LT-InP/LT-GaAs的双低温缓冲层比单一低温InP缓冲层的聚集应变的效果更为显著．并且...
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362. 埋氧沟槽栅双极模式JFET的仿真与实验刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd.首次通过仿真对包括BTB-JFET、常规的无埋氧层的沟槽栅双极模式JFET(TB-JFET...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 基于中国科学院微电子研究所的GaAs pin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关.在8～20GHz频段内,开关正向导通时的插人损耗最小值为1.5dB,输入和输出端的同波损耗大于...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 报道了用于TD-SCDMA移动终端的高效率、高线性度HBT功率放大器的研制.该单片功率放大器采用两级放大结构,内部集成了输入匹配、级问匹配网络以及有源偏置电路,总芯片面积仅为0.91mmX ...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 介绍了一个用于高速信号传输的低功耗锁相环.提出了一种新的开环校准方法.该校准通过上电时候进行的开环数字校准很大程度上减轻了工艺变化对电路的影响,相比以前的闭环校准方法,该方法可以显著缩短校准...
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366. 一维半导体-有机物型光子晶体的光学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 理论上采用转移矩阵法研究了具有P30T/AIN多层膜结构的一维半导体-有机物型光子晶体的光学特性.计算结果表明:由厚度分别为30,30nm的P30T,AIN薄膜组成的多层膜结构,在中心波段为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 运用第一性原理方法研究了CulnSe2和不同量的S掺杂CulnSe2所形成的化合物的电子结构.理论计算表明,S掺杂导致CuInse2禁带宽度增大,且通过对其电子结构和键长的分析,发现因S掺杂...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 生长温度对SiGe合金的性能有重要影响.在双腔超高真空化学气相淀积生长中,通常采用液氮冷却的方法.该生长模式下,通入乙硅烷时腔内的生长气压约为10-5Pa,SiGe的最低生长温度约为550℃...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 双轴应变技术被证实是一种能同时提高电子和空穴迁移率的颇有前景的方法;<100>沟道方向能有效地提升空穴迁移率.研究了在双轴应变和<100>沟道方向的共同作用下的空穴迁移率.双轴应变通过外延生...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 研制成功了一种无微空气桥的亚微米InP基异质结双极晶体管(HBT).发展了小于100nm的发射极侧向腐蚀工艺,实现了亚微米的InP基HBT.发射极宽度的减小有效提高了频率特性,发射极面积为0...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出非均匀厚度漂移区SOl高压器件新结构及其优化设计方法.非均匀厚度漂移区调制SOI层的电场并增强埋层电场,从而 提高器件击穿电压.考虑到这种调制效应.提出解析模型用以优化设计该新器件的结构...
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372. 共振隧穿二极管的力电耦合特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 报道了微结构中共振隧穿二极管(RTD)的压阻效应.分析并加工了四梁结构,其中RTD置于应力敏感区.沿[110]晶向和[110]晶向的应力导致RTD电流-电压曲线的改变,即介观压阻变化,尤其是...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 在半绝缘GaAs光电导开关币发现了光激发电荷畴的猝灭畴模式.分析指出畴猝灭是由于畴在渡越中开关的瞬时电场低于畴的维持电场引起的,并指出在开关电场低于非线性光电导开关阈值电场条件下,在到达阳极...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了一种新颖的无负载4管全部由nMOS管组成的随机静态存储器(SRAM)单元.该SRAM单元基于32nm绝缘体上硅(SOI)工艺结点,它包含有两个存取管和两个下拉管.存取管的沟道长度小于下...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了一种新的基于Philips MOS Model 20(MM20)的RF-SOI(radio frequency silicon-on-insulator)LDMOS(1aterally...
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376. 单次可编程金属-分子-金属器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了一种单次可编程的金属-分子-金属器件.该器件利用一种经过改良的Rotaxane LB膜作为功能层.可以和应用于场编程门阵列电路中的无机反熔丝器件相比拟,将在有机可编程电路和容错电路等方...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 针对纳米级定位平台小型化和高定位精度的要求,基于体硅工艺研制出一种集结构、驱动和位移检测一体化的集成式微型纳米级xy定位平台.采用体硅双面深度反应离子刻蚀(DRIE)技术释放出高深宽比的静电...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 噪声和不匹配是流水线ADC中的重要误差源,采用Matlab软件对它们进行了计算和系统仿真.为了在没有降低表现的情况下控制功耗,采用了相同结构放大器共用相同的偏置电路技术,并且采用了共源共栅补...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了一种用SMIC 0.18μm CMOS混合信号工艺实现的全集成CMOS微阵列生物芯片,并成功地实现了其与一种新的生物纳米系统的集成.该电路实现了19μm×19μm电极的4×4(16单元...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 利用根据负载电流的大小变换调制模式的方法实现了一种降压型高转换效率的DC/DC开关电源.当控制电压占空比小于20%时,采用伪PFM(pseudo-pulse-frequency modula...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 设计了应用于便携式GPS接收机射频前端中的CMOS低噪声放大器和正交混频器.该电路中的低噪声放大器采用带源端电感负反馈的输入级,并引入功耗约束下的噪声和输入同时匹配技术.正交混频器基于吉尔伯...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了一种用于双波段GPS接收机的宽带CMOS频率合成器.该GPS接收机芯片已经在标准O.18μm射频CMOS工艺线上流片成功,并通过整体功能测试.其中压控振荡器可调振荡频率的覆盖范围设计为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 提出了一种新型带有负反馈的分段曲率校正带隙电压基准源,该基准源的主要特色是利用温度相关的电阻比技术获得一个分段曲率校正电流,校正了一阶带隙基准源的非线性温度特性.该分段线性电流产生电路还形成...
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384. 光激发单极畴与耿氏偶极畴的物理机制比较刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制.从产生机理、电场分布、电子浓度、生长和演变过程等多角度阐述光激发单极畴的特性.与偶极畴显著不同的是,光激发单极畴内仅有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 研究了普通直拉(CZ)硅单晶和掺氮直拉(NCZ)硅单晶在氩气氛下进行1250℃/50s的快速热处理(RTP)后,再经600～1000℃的不同温区内的缓慢升温处理和1000℃保温处理后的氧沉淀...
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386. 掺Sb的ZnO单晶的缺陷和性质研究刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 采用化学气相传输法生长了掺Sb的ZnO体单晶,生长温度为950℃.与非掺ZnO单品相比,掺Sb后ZnO单晶仍为n型,其自由电子浓度明显升高.x射线光电子能谱(XPS)测量结果表明.掺人的Sb...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 采用电子束蒸发技术在TiO2缓冲层上沉积了ZnO薄膜,研究了不同的退火温度对薄膜晶化质量及发光性质的影响.利用X射线衍射仪和扫描探针显微镜分析了薄膜样品的结构性质,利用荧光光谱仪研究了薄膜样...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 用电子束蒸发方法在Si(111)村底蒸发了Au/Cr和Au/Ti/AI/Ti两种金属缓冲层,然后在金属缓冲层上用气源分子束外延(GSMBE)生长GaN.两种缓冲层的表面部比较平整和均匀,都是...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 液滴外延生长半导体材料是一种较为新颖的MBE生长技术.而图形衬底对液滴外延的影响到目前为止并没有非常详细的研究结果.作者在GaAsμm级别网形衬底上进行了InAs的液滴外延生长,并在不同结构...
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390. 自缓释镍源的横向诱导晶化多晶硅薄膜晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年10期页码:摘要： 以镍硅合金靶作为溅射源,采用磁控溅射方法制备了一种自缓释镍源.控制合适的自缓释镍源的准备条件,以单一方向横向晶化条件对非晶硅薄膜进行再晶化,可以获得低残余镍含量、大晶粒、高薄膜质量的多晶硅....
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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