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半导体学报(英文版)2008年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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61. 基于共振隧穿二极管的应力检测方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 共振隧穿二极管(RTD)具有微分负阻效应,且其共振隧穿的I-V特性随着廊力的变化而变化,这就是RTD的压阻效应.与半导体材料压阻效应的应用类似,RTD也可用于应力检测.文中研究了两种基于RT...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出一种新的钝化技术--采用盐酸和氢氟酸混合预处理溶液(HF:HCI:H2O=1:4:20)对AIGaN/GaNHEMTs进行表面预处理后冉淀积Si3N4钝化,研究了新型钝化技术对AlGaN...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材料的温度特性分析了温度升高对器件特性的影响.分析了陷阱对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种全新的器件结构--双栅双应变沟道全耗尽SOI MOSFETs,模拟了沟道长度为25nm时器件的电学特性.工作在单栅模式下,应变沟道(Ge=0.3)驱动能力与体Si沟道相比,nMOS...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了一种新的全耗尽型浮空埋层LDMOS(FB-LDMOS)结构.全耗尽n型埋层在器件的体内产生新的电场,该电场调制了漂移区电场,使得在降低漂移区漏端电场的同时提高了源侧和中部电场REBUL...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 对新近提出的一种新结构的IGBT--内透明集电极IGBT进行了器件性能的仿真.这种IGBT是在传统非透明集电极IGBT结构基础上,通过在集电区内距离集电结很近处设置一个高复合层的方法,使器件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 空气桥是单片微波集成电路MMICs的一种高速互连技术,其目的是减少微波大功率器件单位而积的寄生电容,提高器件的频率特性.文中提出了一种灵活性很强,应用于微波和高温器件的空气桥定型方法.该方法...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 讨论了取样光栅分布布拉格反射激光器(SGDBR)中取样光栅对激光器调谐范围、输出功率和光谱质量的影响,介绍了其设计流程,并据此对SGDBR进行了实验研究.其取样光栅的反射谱和设计相符,且在3...
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69. UHF平衡式宽带20W功率放大器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 报道了一款自主设计并研制成功的UHF频段宽带大功率放大器,采用PCB工艺实现了基于LANGE耦合器的平衡放大结构.通过调整耦合端和直通端的谐振支路,在损耗与对称性之间折衷,LANGE耦合器的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 介绍了一个应用于数字电视地面多媒体广播(DTMB)接收机的10-bit,40-MS/s流水线模数转换器(ADC),通过优化各级电容大小和运算放大器电流大小,在保证电路性能的同时降低了功耗.测...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 采用CSMC 0.6μm 2P2M CMOS工艺设计并实现了一种新型可用于智能光模块的可变阈值信号丢失(LOS)检测电路,电路利用光接收机中的限幅放大器组成准对数律接收信号强度指示电路.该指...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 分析独特的屏蔽方法及改进方法的不足,提出了逻辑层和算法层相结合抵御高阶差分功耗分析攻击的新方法,并给出芯片半定制设计流程.芯片关键部分电路采用自定义功耗恒定逻辑单元实现,非关键部分电路采用C...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 为了研究电过应力对功率MOSFET可靠性的影响,分别对含有焊料空洞、栅极开路和芯片裂纹缺陷的器件进行失效分析与可靠性研究.利用有限元分析、电路模拟及町靠性加速实验,确定了器件发生EOS失效的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要： 提出了可构成径向基函数(RBF)神经网络的CMOS模拟单元电路,包括绝对值电路、电流求均方根电路和类高斯函数电路.基于这些电路设计了一个二输入/一输出,含有两个隐层神经元的径向基函数神经网络...
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75. 投稿须知刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年2期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响.测试表明,氨气气氛下在生长温度进行的原位退火,明显提高了GaN外延膜的质量....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 成功地将Polyimide钝化平坦化工艺应用于InP/InGaAs单异质结晶体管制作工艺中.在Vce=1.1V,Ic=33.5mA的偏置条件下,发射极尺寸为1.4μm×1.5μm的器件,其f...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 为了利用有机三线态发光提高有机发光器件的发光效率,用磷光材料掺杂到聚合物主体中作为发光层,制备有机电致发光器件.在测量器件的电流-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱的基础上,计算了器件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 基于65nm CMOS工艺,综合考虑电容耦合与电感耦合效应,提出了一种互连线耦合串扰分布式RLC解析模型.采用函数逼近理论与降阶技术,在斜阶跃输入信号下,提出了被干扰线远端的串扰数值表达式....
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81. 一种新型电容式压力传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种新的电容式压力传感器.传感器结构为由Al/SiO2/n-type Si等三层方形膜构成的固态电容.传感器采用pn结自停止腐蚀和粘结剂键合的方式制造,制造过程仅需三块掩模板.对不同边...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种适用于无源超高频射频识别标签的低电压低功耗射频/模拟前端电路.通过引入一个使用亚阈值技术的基准源,电路实现了温度补偿,从而使得系统时钟在～40～100℃的范围内保持稳定.在模块设计...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研究了在外加电场作用下无限深GaAs半导体量子阱中束缚磁极化子的性质,采用线性组合算符及幺正变换方法导出了量子阱中弱耦合束缚磁极化子的基态能量与阱宽、电场强度、磁感应强度、库仑束缚势的变化关...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 基于对称性分析,应用KP微扰理论确定了应变Si1-xGex(0≤x<0.45)/(001),(111),(101)Si的△i能谷附近的色散关系.结果证明:应变Si1-xGx中的△i能级大小不...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 提出了一种适用于按比例缩小至亚10nm的圆柱体全包围栅场效应管.报道了圆柱体全包围栅场效应管器件物理分析、技术仿真结果以及器件制作详细工艺流程.与其他常规鳍形场效应管器件(FinFET)相比...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参数提取方法,得到界面态密度和界面电容分别为4....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 研究了静电感应晶闸管的反向转折特性.当工作在正向阻断态的阳极电压增大到某一临界值时,静电感应晶闸管的Ⅰ-Ⅴ曲线呈现出反向转折特性,甚至转向导通态.在综合考虑了工作机理、双注入效应、空间电荷效...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 详细讨论了基于CMOS工艺宽带片上巴伦的实现.首先分析了应当采用的结构及参数化版图.然后给出了一个宽带集总元件等效电路模型,该模型考虑了各种必须考虑的物理效应.通过采用物理公式与优化拟合相结...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 采用金刚石膜电极的电化学方式在专用水基清洗剂中不断产生强氧化剂过氧焦磷酸根离子(P2O4-8),并将此方式作为金刚石膜电化学清洗工艺步骤的第一步,用于氧化去除硅片表面的有机沾污.通过与RCA...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2008年3期页码:摘要： 介绍了一种制作栅介质的新工艺--原位水汽生成工艺.基于Deal-Grove模型提出了原位水汽生成过程中活性氧原子和硅一硅键反应形成硅氧硅键的氧化模型,并通过MOS电容结构对原位水汽生成和炉管...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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