短周期AlGaAs/GaAs超晶格的MOCVD生长及X射线衍射研究

• 作者: 王向武 程祺祥
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学汽相淀积 超晶格 X射线衍射
• 年，卷（期）: 2000,（2）
• 页码范围: 212-215
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1313字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2000.02.013

摘要

生长了短周期AlGaAs/GaAs超晶格,并通过双晶X射线衍射谱,对MOCVD超薄层AlGaAs、GaAs的生长进行了研究.从衍射谱卫星峰的级数及Pendell?song干涉条纹的出现,定性地对晶格结构及界面作出评价.X光衍射测量结果与HEMT结构电学性能测试结果有较好的对应关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王向武		11	24	2.0	4.0
2	程祺祥		2	6	1.0	2.0