Ge/Si复合纳米结构电荷存储特性的模拟研究

• 作者: 卜惠明 吴军 张荣 施毅 杨红官 沈波 赵波 郑有炓 韩平 顾书林
• 来源期刊: 固体电子学研究与进展
• 学科: 工学
• 关键词: 锗/硅 纳米结构 存储器 数值模拟
• 年，卷（期）: 2001,（1）
• 页码范围: 63-68
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 3010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-3819.2001.01.011

摘要

这一研究工作模拟计算了Ge/Si复合纳米结构MOSFET存储器的擦写和存储时间特性。结果表明，Ge/Si复合纳米结构存储器在低压下即可实现μs和ns量级编程。与Si纳米结构存储器相比，由于Ge/Si复合势阱的作用，器件的电荷保留时间提高了3～5个量级，有效地解决了快速擦写编程与长久存储之间的矛盾，使器件的性能得到明显改善。