磷化铟晶体合成生长研究现状

• 作者: 周晓龙 孙聂枫 杨帆 杨瑞霞 高海凤
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 磷化铟 单晶生长 缺陷 杂质 半绝缘
• 年，卷（期）: 2010,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 135-140
• 分类号: TN304
• 字数: 6823字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3474.2010.03.004

摘要

介绍了磷化铟的基本属性及其在光电子与微电子器件方面的应用,归纳了磷化铟合成与单晶生长的主要方法,并对各种方法进行了比较.对国内外磷化铟体单晶领域的的研究状况、磷化铟中的缺陷与杂质及半绝缘磷化铟的形成机制方面的研究成果作了介绍和讨论,同时,介绍了磷化铟单晶材料研究领域的发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨瑞霞		180	759	13.0	18.0
2	周晓龙	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	24	3.0	4.0
3	杨帆		84	332	9.0	14.0
4	孙聂枫	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	39	4.0	5.0
5	高海凤		1	12	1.0	1.0