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摘要:
通过进一步优化芯片设计与工艺设计,研制出L波段370 W硅双极型功率晶体管.该器件在42 V工作电压下,脉宽150 μs,占空比10%,频率1.2~1.4 GHz全带内,输出功率可达370W以上,增益达8.7 dB,效率大于55%,具有良好的抗失配性能.
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文献信息
篇名 1.2~1.4 GHz 370 W硅双极型晶体管研制
来源期刊 固体电子学研究与进展 学科 工学
关键词 硅双极型晶体管 L波段 脉冲功率管
年,卷(期) 2014,(2) 所属期刊栏目 射频与微波
研究方向 页码范围 124-128
页数 5页 分类号 TN322+.8
字数 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 严德圣 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 5 0 0.0 0.0
2 丁晓明 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 3 0 0.0 0.0
3 刘洪军 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 5 0 0.0 0.0
4 蒋幼泉 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 5 0 0.0 0.0
5 高群 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 9 0 0.0 0.0
6 王建浩 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 3 0 0.0 0.0
7 冯忠 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 1 0 0.0 0.0
8 庸安明 中国电子科技集团公司第55研究所(南京电子器件研究所) 2 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
硅双极型晶体管
L波段
脉冲功率管
研究起点
研究来源
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研究去脉
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期刊影响力
固体电子学研究与进展
双月刊
1000-3819
32-1110/TN
大16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东路524号)
1981
chi
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