硅单晶片损伤层对抛光去除量的影响研究

• 作者: 杨召杰 王云彪 田原 郭亚坤
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅单晶片 恒定腐蚀法 损伤层 抛光去除量
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 354-357
• 页数: 4页
• 分类号: TN605
• 字数: 2694字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2015.06.012

摘要

硅单晶片是制作集成电路及分立器件的基础材料，随着集成电路不断向小线宽、低成本方向发展，对于硅单晶片的质量水平和成本控制提出了更高的要求。研究表面损伤层与抛光去除量的关系，能够有效控制抛光去除量的大小，对于提高抛光片表面质量、控制生产成本、优化工艺条件具有重要的意义。通过恒定腐蚀法与化学机械抛光法相结合的方式分析了损伤层深度与去除量的关系，研究发现研磨片、碱腐蚀片和酸腐蚀片的表面损伤层深度依次降低，但均小于抛光去除量，依据损伤层模型，提出了抛光去除量取决于腐蚀后表面晶胞状况的观点。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田原	中国电子科技集团公司第四十六研究所	17	24	3.0	4.0
2	王云彪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	18	49	4.0	5.0
3	杨召杰	中国电子科技集团公司第四十六研究所	4	3	1.0	1.0
4	郭亚坤	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	5	1.0	2.0