基于AlGaN/GaN HEMT的源漏整体刻蚀欧姆接触结构

• 作者: 刘新宇 李培咸 郑英奎 陈诗哲 霍荡荡 魏珂
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 高电子迁移率晶体管(HEMT) 欧姆接触 合金 源漏整体刻蚀 电极表面形貌
• 年，卷（期）: 2017,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体制造技术
• 页码范围: 521-525,550
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.93|TN325.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2017.07.008

摘要

研究了源漏整体刻蚀欧姆接触结构对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的欧姆接触电阻和金属电极表面形貌的影响.利用传输线模型(TLM)对样品的电学性能进行测试,使用原子力显微镜(AFM)对样品的表面形貌进行表征,通过透射电子显微镜(TEM)和X射线能谱仪(EDS)对样品的剖面微结构和界面反应进行表征与分析.实验结果显示,采用Ti/Al/Ni/Au(20 nm/120 nm/45 nm/55 nm)金属和源漏整体刻蚀欧姆接触结构,在合金温度870 c℃,升温20 s,退火50 s条件下,欧姆接触电阻最低为0.13 Ω·mm,方块电阻为363.14 Ω/□,比接触电阻率为4.54×10-7Ω·cm2,形成了良好的欧姆接触,降低了器件的导通电阻.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘新宇	中国科学院微电子研究所高频高压中心	141	717	13.0	18.0
2	李培咸	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	36	324	10.0	17.0
3	魏珂	中国科学院微电子研究所高频高压中心	24	134	5.0	10.0
4	郑英奎	中国科学院微电子研究所高频高压中心	15	43	4.0	6.0
5	霍荡荡	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	1	1.0	1.0
6	陈诗哲	西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院	2	1	1.0	1.0