金丝键合偏差对微波组件电性能的影响

• 作者: 张阳阳 王梅 胡子翔
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微波组件 金丝键合 电性能 有限元仿真
• 年，卷（期）: 2020,（4）
• 所属期刊栏目: 微组装技术 SMT PCB
• 页码范围: 196-199
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 1786字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2020.04.004

摘要

针对微波组件的关键误差源——金丝键合偏差进行研究,通过实验和仿真的方法,确定其对微波组件电性能的影响.结果表明,金丝的键合距离与拱高的增加都会导致传输损耗的增加,驻波比增大,S21减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王梅	中国电子科技集团公司第三十八研究所国家级工业设计中心	16	30	4.0	4.0
2	胡子翔	中国电子科技集团公司第三十八研究所国家级工业设计中心	3	0	0.0	0.0
3	张阳阳	中国电子科技集团公司第三十八研究所国家级工业设计中心	1	0	0.0	0.0