石英坩埚对大直径直拉硅单晶生长的影响

• 作者: 莫宇 张颖武 韩焕鹏 赵堃 李明佳
• 来源期刊: 电子工艺技术
• 学科: 工学
• 关键词: 石英坩埚 无位错 直拉硅单晶 粗糙度 金属浓度
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 新工艺 新技术
• 页码范围: 46-49
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.14176/j.issn.1001-3474.2021.01.013

摘要

大直径的单晶硅生长需要更多的时间和资源,提高单晶成晶率非常重要,石英坩埚是影响单晶产量和质量的主要因素.研究了两种不同内涂层的石英坩埚,一种是内层为高纯合成石英砂的坩埚(SQC),另一种是内层涂抹了碱土金属钡的离子溶液的天然石英砂的坩埚(NQC).使用两种石英坩埚长时间生长大直径(350 mm)单晶后,通过金相显微镜对两种石英坩埚表面形态进行了观察,并使用粗糙度测试仪对其粗糙度进行了测试,同时使用ICP-MS测试了生长出的晶体的金属浓度.结果表明,使用NQC有较多杂质颗粒进入到硅熔体中,对单晶的无位错生长和单晶质量造成了影响,而使用SQC可减少杂质颗粒进入到硅熔体.