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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. 半导体照明灯
    作者： 梁春广
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  1
    摘要：
  • 2. 神经MOS晶体管
    作者： 汤玉生 管慧
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  2-7
    摘要： 神经MOS晶体管是1991年发明出来的一种具有高功能度的多输入栅控制的浮栅MOS器件.本文介绍了它的基本结构和特点,论述了这种新器件及其电路的国外研究现状、研究趋势以及笔者所完成的研究工作.
  • 3. 亚微米器件制造技术的发展动态
    作者： 范焕章 黎想
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  8-10,18
    摘要： 主要从光刻、隔离、金属互连线三个方面讨论了亚微米器件所面临的挑战及其发展趋势.
  • 4. 上海第三代同步辐射装置及其在光刻和LIGA中的应用
    作者： 叶甜春 谢常青
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  11-13
    摘要： 对即将动工的上海第三代同步辐射装置(SSRF)及其主要参数作了介绍.叙述了目前同步辐射x射线光刻和LIGA的一些技术进展情况,并对未来SSRF光刻/LIGA实验站的应用前景作了简要分析.
  • 5. 微型热致动器研究
    作者： 叶雄英 周兆英 杨岳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  14-18
    摘要： 微致动技术是微型机电系统(MEMS)设计制造的重要技术基础.本论文围绕微型热致动器的研制开发,对热致动方式进行较为深入研究,利用硅微细加工工艺制造出多种微型热致动器,并进行了理论分析和实验测...
  • 6. 光电双基区晶体管中的光控电流开关效应
    作者： 张世林 张培宁 李树荣 郑云光 郭维廉
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  19-21,30
    摘要： 光电双基区晶体管在光电混合模式工作条件下具有光控"S"型负阻特性及其光控电流开关效应.测量了光照时IBE-VBE特性、Ith(光阈值)-RC特性等曲线.并利用电注入双基区晶体管的"S"型负阻...
  • 7. 1GHz微波功率MOSFET的研究
    作者： 刘英坤 王长河 祁斌
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  22-24
    摘要： 分析了影响VDMOS器件频率性能的一些关键参数,研制出1GHz输出功率10W,增益8dB的VD MOS器件.验证了VDMOS器件在这一频段的工作性能.测试结果与设计指标和理论计算基本符合,说...
  • 8. 静电感应晶闸管的工艺控制和参数调节
    作者： 姜岩峰 孟雄晖 李思渊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  25-27
    摘要： 以静电感应晶闸管(SITH)的长期工艺实践为基础,总结和研究了器件结构参数对SITH主要性能参数的影响,并分析了其原因,提出了改善SITH器件性能的工艺和设计方法.
  • 9. 双向晶闸管通态电压特性曲线分析
    作者： 李树良 赵善麒
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  28-30
    摘要： 根据实验数据给出了双向晶闸管(TRIAC)的通态电压特性曲线.通过对特性曲线的分析,认为用铬-镍-银阻挡层烧结新工艺可大大改善双向晶闸管的双向通态特性.
  • 10. 超突变结变容二极管的杂质浓度分布及n值
    作者： 毛立平 翁寿松
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  31-32,38
    摘要： 讨论了国产和进口超突变结变容二极管的杂质浓度分布和n值,提出了提高国产超突变结变容二极管性能的措施.
  • 11. Cr/蓝宝石界面的二次离子质谱研究
    作者： 岳瑞峰 王佑祥 陈春华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  33-35,41
    摘要： 采用电子束蒸发的方法在200℃抛光的(1102)取向的蓝宝石(α-Al2O3单晶)衬底上淀积200nm的Cr膜,并在高真空中退火.利用MCs+-SIMS技术(在Cs+一次离子轰击下检测MCs...
  • 12. SiGe/Si异质结构的x射线双晶衍射
    作者： 周静 徐晨 杜金玉 沈光地 王玉田 罗辑 董欣 邹德恕 陈建新 高国 魏欢
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  36-38
    摘要： 通过x射线双晶衍射图形讨论了SiGe/Si HBT的电学特性与晶格结构的关系.
  • 13. 高能粒子辐射直拉硅中辐照缺陷的控制
    作者： 裴志军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  39-41
    摘要： 受高能粒子辐射,在直拉硅中会产生各种辐照缺陷,对硅及硅基器件的性能产生不利的影响,对辐照缺陷的控制可以增加硅的辐照稳定性.
  • 14. 纳米级富氮SiOxNy薄膜的电子注入损伤研究
    作者： 冯文修 刘小阳 张昊 田小峰 陈蒲生
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  42-45
    摘要： 研究了在30V的直流偏压下,对PECVD工艺制备的SiOxNy薄膜进行电子注入,并结合俄歇谱和红外光谱对实验结果进行了讨论.结果表明,薄膜内有较多的受主陷阱,平带电压漂移在小电流下有显著变化...
  • 15. 量子阱材料盖层对结构稳定性和能带隙的影响
    作者： 丁国庆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  46-49
    摘要： 介绍了应变量子阱材料单结点失配位错能量平衡模型;计算了一些典型量子阱结构的阱层临界应变和应变体材料的最大允许应变.报告了No.558压应变量子阱材料的实际阱层应变和No.9182材料非应变盖...
  • 16. a-Si/poly-Si叠层太阳能电池稳定性研究
    作者： 林罡 林鸿生 段开敏
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  50-52,56
    摘要： 通过应用Scharfetter-Gummel解法数值求解泊松方程,对经高强度光辐照过的a-Si/poly-Si叠层太阳能电池进行计算机数值模拟分析.结果表明,光生空穴俘获造成的a-Si:H中...
  • 17. ANSYS在VLSI互连模拟中的应用
    作者： Reinhard Streiter Thomas Gessner Thomas Otto 宋任儒 梁庆龙 阮刚
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  53-56
    摘要： 介绍了ANSYS程序在VLSI互连几何最佳化设计中的初步应用.应用表明:ANSYS的模拟精度高,图形显示功能强.应用ANSYS自动寻优功能使RC延迟最佳化几何参数的寻找较为迅速和直观.
  • 18. 一种新型Rail-to-Rail运算放大器的设计与分析
    作者： 张杰伟 柯菁华 赖宗声
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  57-60
    摘要： 提出了一种采用线性跨导输入级的Rail-to-Rail运算放大器,输入级的跨导基本实现了与共模输入电压无关,而只与工艺参数和工作电压有关.采用了复合晶体管的设计,使等效NMOS和等效PMOS...
  • 19. ispLSI1032和89C51单片机构成的双片系统
    作者： 戴紫彬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  61-63
    摘要： 给出了一个由Lattice公司的ispLSI1032和89C51构成的双片系统的电路典型结构,讨论采用EDA软件设计1032,仿真多种接口电路.
  • 20. WSTS发布1999年秋季世界半导体市场预测报告
    作者： 陈文华
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年1期
    页码:  64-65
    摘要：
  • 21. 半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展
    作者： 丁瑞钦 周国荣 杨恢东 王浩
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  1-6
    摘要： 从全光通信对光子器件的要求出发,报道了近年来在半导体/介质纳米颗粒镶嵌材料中光致载流子弛豫过程的研究进展.强量子限制效应可以大大地减小激子的寿命,但这种材料(Ⅰ-Ⅶ族例外)普遍存在着长寿命的...
  • 22. 分辨力自增掩模板
    作者： 罗先刚 陈旭南
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  6
    摘要：
  • 23. 半导体材料的光伏应用现状
    作者： 王荣敏 王雁 邓志杰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  7-9,13
    摘要： 世界光伏市场已成为高速增长的市场.介绍了各类太阳电池近年来所取得的进展和产业化现状及发展趋势.
  • 24. 相图--解释金属化层稳定性和薄膜反应的热力学方法
    作者： 岳瑞峰 王燕
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  10-13
    摘要： 介绍了计算相图的起因与发展,综述了利用Gibbs生成自由能数据绘制简化的三元、四元相图的热力学方法,尤其是确定相图中直达连线的思想方法,最后给出了利用相图来解释金属化层稳定性和薄膜反应的应用...
  • 25. 激光全息光刻技术及其应用
    作者： 宋登元 王小平
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  14-16
    摘要： 论述了激光全息光刻技术的基本原理、发展状况和在制备衍射光栅及场发射平板显示器等光电子器件方面的应用.
  • 26. 一种可用于辐照剂量计的新型器件
    作者： 刘毓耿 刘竞云 易清明 黄君凯
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  17-19,28
    摘要： 应用高纯氮携带液氧蒸气作为氧源的热氧化技术和SiH4-NH3体系LPCVD技术,制作对辐照吸收有明显响应的MNOS器件,在103～105Gys剂量范围内其平带电压漂移值随辐照剂量的增加按指数...
  • 27. SITH负阻转折特性的分析模型
    作者： 刘肃 姜岩峰 李思渊
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  20-22,31
    摘要： 提出了一个用于分析SITH正向阻断态的新模型.这个模型在结构上类似于SCR.这样,就可以把SITH的二维分析简化为SCR的一维分析.我们应用了这个模型来分析SITH的负阻特性并且计算出了阳极...
  • 28. 厚膜型气敏器件膜厚影响气体检测灵敏度的研究
    作者： 傅军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  23-25
    摘要： 利用化学沉淀法制备SnO2纳米材料,再利用平面丝网印刷技术制备不同膜厚的SnO2厚膜型气敏器件试样,测量不同厚膜气敏器件试样对甲烷气体检测灵敏度和阻温曲线,并进行复阻抗分析.实验表明试样膜厚...
  • 29. 400MHz,CW 300W VDMOS功率场效应晶体管
    作者： 何玉樟 刘英坤 吴坚 周晓黎 夏雷 张大立 王占利 郎秀兰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  26-28
    摘要： 采用Mo栅工艺技术降低栅串联电阻,通过优化工艺参数,全离子注入工艺,研制出了在400MHz下共源推挽结构连续波输出300W的高性能VDMOSFET,其漏极效率大于50%,增益大于9dB.
  • 30. 锥状电臂半导体制冷器工作参数的理论分析
    作者： 宣向春 王维扬
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2000年2期
    页码:  29-31
    摘要： 通过求解导热微分方程,推导出锥状电臂半导体制冷器的理论工作参数.结果表明,采用锥状电臂不仅可以节约材料,而且在达到相同制冷温差时,可减小工作电流,降低直流功耗,缩短降温时间,而制冷效率不变.

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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