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半导体技术期刊
出版文献量（篇）
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半导体技术

Semiconductor Technology

CAJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.3579
《半导体技术》是由信息产业部主管，中国半导体行业协会、半导体专业情报网、中电科技集团公司十三所主办，业内权威的国家一级刊物之一。1976年创刊，它以严谨风格，权威著述，在业内深孚众望，享誉中外，对我国半导体事业的发展发挥了积极作用。“向读者提供更好资讯，为客户开拓更大市场”，是《半导体技术》的追求，本刊一如既往地坚持客户至上，服务第一，竭诚向读者提供多元化的信息。 《半导体技术》是中文核心... 更多
主办单位：
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉：
中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）  中国科技论文统计用刊  中文核心期刊 
ISSN：
1003-353X
CN：
13-1109/TN
出版周期：
月刊
邮编：
050002
地址：
石家庄179信箱46分箱
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  • 1. GaAs基微机械加工技术
    作者： 张文栋 张斌珍 李科杰 薛晨阳 陈建军
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  481-484
    摘要： 为了进一步提高传感器的灵敏度,提出了利用GaAs半导体材料来突破硅的极限,阐明了GaAs材料的优越特性和发展GaAs基MEMS的必要性.概述了GaAs微机械加工的刻蚀技术、体微机械加工技术和...
  • 2. 电子表格模型在半导体晶圆制造产能规划中的应用
    作者： 任建华 许圣良 钱省三
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  485-488
    摘要： 半导体晶圆厂的设备非常昂贵,对设备利用率的要求较高,设计一套简单实用的办法进行产能规划是十分必要的.本文提出了产能规划的三大模块,在前两个模块中将建立半导体晶圆制造产能规划的电子表格模型(S...
  • 3. 局域铂掺杂寿命控制快恢复二极管的研究
    作者： 亢宝位 胡冬青 谢书珊 贾云鹏 韩宝东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  489-492
    摘要： 利用质子辐照感生的局域高浓度空位缺陷对样品表面层预生成的铂硅合金中的铂原子进行汲取,形成与感生缺陷分布相似的局域铂分布,首次实现了具有局域铂掺杂的快恢复二极管中的局域寿命控制技术.报告了改变...
  • 4. 银河飞腾DSP芯片总剂量辐照试验研究
    作者： 扈啸 王跃科 邢克飞
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  493-494,505
    摘要： 利用60Co产生γ射线辐射场对国产银河飞腾DSP的总剂量效应进行了初步试验.建立了一个辐射环境下银河飞腾DSP芯片功能检测的计算机测量平台,对不同剂量率(2～10 rad(Si)/s)、不同...
  • 5. 硼/氢掺杂金刚石薄膜导电特性研究
    作者： 俞琳 刘东红 戴瑛 胡连军 闫翠霞 龙闰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  495-497
    摘要： 金刚石是非常理想的功能器件材料,由于室温下金刚石缺少浅施主态,已成为金刚石作为电子器件材料的主要障碍之一.最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导.研究了...
  • 6. 热丝法CVD生长金刚石薄膜的简化工艺研究
    作者： 刘刚 刘忆
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  498-502
    摘要： 研究了改变本底真空对薄膜质量的影响,给出了在该系统中得到质量较高金刚石薄膜的最小本底真空值;阐述了降低灯丝温度对薄膜质量的影响.在较低压力下用甲烷氢气作碳源在1500～1700℃合成质量较高...
  • 7. VB-GaAs晶体生长技术中掺Si浓度的控制
    作者： 兰天平 牛沈军 王建利
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  503-505
    摘要： 结合VB-GaAs晶体生长工艺,对工艺中掺Si浓度的控制进行了探讨,提出了掺杂计算的修正因子.针对不同浓度要求的材料,通过工艺控制可提供满足要求的优质材料.
  • 8. 硅系太阳电池表面钝化技术比较
    作者： 王正志 王涛
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  506-508
    摘要： 通过对硅片的少数载流子有效寿命、硅太阳电池的反射损失和光谱响应这三个方面的研究,比较了目前主要的硅太阳电池表面钝化技术,对这些钝化技术的优缺点进行了分析和评价.从上述三个方面的比较可以看出,...
  • 9. 新型塑封器件开封方法以及封装缺陷
    作者： 张素娟 李海岸
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  509-511,519
    摘要： 随着塑封器件(PEMs)质量和可靠性的不断提高,塑封器件的应用领域进一步扩展,也逐步应用于军事领域.去除塑料包封层,露出芯片表面,是DPA(破坏性物理分析)及FA(失效分析)的关键一步.对塑...
  • 10. IC测试原理-芯片测试原理
    作者： Anthony K. Stevens Gordon W. Roberts Mark Burns 许伟达
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  512-514,519
    摘要：
  • 11. 射频磁控溅射掺氮ZnO薄膜的制备与表征
    作者： 丁瑞钦 朱慧群
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  515-519
    摘要： 以ZnO为靶材,采用射频磁控溅射法,在衬底温度为450℃、混合气体压强为1.3Pa的条件下,在石英玻璃和抛光单晶硅衬底上沉积了一系列呈六角纤锌矿结构、沿(0002)晶面高度取向生长的ZnO薄...
  • 12. 晶体中光电子涨落的影响因素
    作者： 李新政 郑滨
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  520-522
    摘要： 针对晶体中光电子涨落的特点,分析了光吸收激发和热激发中影响光电子产生的因素.在光电子的衰减阶段,不同的电子陷阱所起的作用不同,浅电子陷阱由于延长了光电子在导带的弛豫时间,使光电子的衰减变缓;...
  • 13. 利用改善的体连接技术制备SOI LDMOSFET
    作者： 俞跃辉 宋朝瑞 程新红 袁凯 许仲德
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  523-525
    摘要： 对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接.采用与常规1μm SOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程,在SIMOX SOI片上制备了LDMOS结构的功率...
  • 14. FPGA和ASIC设计特点及应用探讨
    作者： 孟李林
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  526-529
    摘要： 介绍了ASIC、FPGA的设计步骤和设计流程,重点比较两者之间的设计特点和应用趋向,采用这两种不同方法完成40G高阶数字交叉连接芯片设计.通过比较表明:FPGA技术适用于小批量、产品更新快、...
  • 15. 嵌入式家庭网络关键技术的研究
    作者： 李晓峰
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  530-533,541
    摘要： 介绍了家庭网络的关键技术及其相关标准,给出了根据我国家庭网络标准而进行的总体结构和各部分的设计,研制了基于蓝牙技术的信息家电网络的设备,论述了主网和子网部分的具体实现.研制的设备已经得到实际...
  • 16. 最小元件的新型CCCⅡ-C电流模式滤波器
    作者： 宋树祥 曹才开 王卫东
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  534-536,541
    摘要： 提出了一种基于电流控制传输器(CCC Ⅱ)的新型电流模式多功能滤波器电路.该电路仅由两个CCC Ⅱ及两个接地电容构成,无需接任何电阻元件,不仅能实现多输入单输出的低通、带通、高通、带阻、全通...
  • 17. 引信用MEMS加速度传感器敏感元件的设计
    作者： 刘俊 石云波 祁晓瑾
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  537-541
    摘要： 根据引信环境信息探测的要求,设计了一种新型MEMS高g值压阻式加速度传感器敏感元件.通过ANSYS仿真对该结构进行了量程分析、抗过载分析、灵敏度分析及横向灵敏度分析,提供了一种新的阻尼设计方...
  • 18. 超低压差线性稳压器的带隙基准电路设计
    作者： 余华 邹雪城 陈朝阳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  542-545,548
    摘要： 设计了一种采用电流反馈及电阻分压技术,输出可调的,用于单片集成超低压差的CMOS线性稳压器的高性能带隙基准电压电路.它可产生1～1.2217V多个电压基准;当温度从-40～125℃变化时,温...
  • 19. C波段低噪声放大器的设计
    作者： 张巧威 郭芳
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  546-548
    摘要： 介绍了C波段低噪声放大器的设计和研制过程,并给出了研制结果.它采用平衡式电路结构来达到宽带、低噪声的性能.该放大器在5～6GHz的性能指标为:小信号功率增益GP≥30dB,增益波动△GP≤0...
  • 20. 飞思卡尔ColdFire MCF5251为音频处理器带来全新体验
    作者： 飞思卡尔半导体(中国)有限公司
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  549-550
    摘要：
  • 21. 飞思卡尔在经济高效的大功率RF晶体管塑料封装领域实现突破--超模压塑料封装内的RF设备旨在以2GHz的频率提供与气腔封装一样的性能,同时降低放大器的成本并改进自动化装配
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  550
    摘要：
  • 22. 第四届科利登系列技术研讨年会于2006年6月2日在中国西安举办;同期现场展示Sapphire D-10
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  551
    摘要：
  • 23. 中国半导体行业协会与世界半导体理事会签署备忘录
    作者：
    刊名： 半导体技术
    发表期刊： 2006年7期
    页码:  552
    摘要：

半导体技术基本信息

刊名 半导体技术 主编 赵小宁
曾用名
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共和国工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1003-353X CN 13-1109/TN
邮编 050002 电子邮箱 bdtj1339@163.com
电话 0311-87091339 网址
地址 石家庄179信箱46分箱

半导体技术评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中国学术期刊光盘版《CAJ－CD》执行优秀期刊奖（03）
2. 中国科技论文统计用刊
3. 中文核心期刊

半导体技术统计分析

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